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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有通路结构的半导体器件及其制造方法-CN202310467107.6在审
发明人：金恩成;白在职;洪元赫;郑明勋;李钟振;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，包括：至少一个晶体管、正面结构和背面结构，正面结构相对于晶体管与背面结构相对设置；以及前通路，形成在晶体管的一侧并将正面结构连接到背面结构，其中前通路形成在由彼此垂直连接的下通路孔和上通路孔形成的通路孔中，以及其中通路孔在其侧表面具有弯曲结构，在该弯曲结构处，下通路孔连接到上通路孔。
具有通路结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202310457061.X在审
发明人：崔宰铭;李长根;徐康一;洪元赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：提供了集成电路器件及其形成方法。一种集成电路器件包括第一绝缘层和在第一绝缘层中的金属通路。集成电路器件包括在第一绝缘层上的第二绝缘层。集成电路器件包括在第二绝缘层的侧壁之间且在金属通路上的导电材料。此外，集成电路器件包括在导电材料和/或第二绝缘层上的金属线。还提供了形成集成电路器件的相关方法。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]半导体芯片架构及其制造方法-CN202310369604.2在审
发明人：咸富铉;洪炳鹤;郑明勋;洪元赫;李昇映;徐康一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供一种半导体芯片架构及其制造方法，该半导体芯片架构包括：晶片；在晶片的第一侧上的工艺线前端(FEOL)层，该FEOL层包括在晶片的第一侧上的半导体器件、在晶片中的浅沟槽隔离(STI)结构以及在半导体器件和晶片上的层间电介质(ILD)结构；提供在FEOL层上的工艺线中段(MOL)层，该MOL层包括接触和连接到该接触的通路；绝缘层，在晶片的第一侧上并在水平方向上与通路相邻；以及电源轨，从晶片的与第一侧相对的第二侧穿透晶片，其中通路在垂直方向上延伸穿过ILD结构、STI结构和晶片以接触电源轨。
半导体芯片架构及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210089512.4在审
发明人： 洪元赫;李義福;金洛焕;张宇镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置，其包括：衬底上的晶体管；第一金属层，其在晶体管上，并且包括电连接至晶体管的下布线；以及第一金属层上的第二金属层。第二金属层包括电连接至下布线的上布线，并且上布线包括穿通孔中的穿通件结构以及线沟槽中的线结构。穿通件结构包括：穿通件部分，位于穿通孔中，并且联接至下布线；以及阻挡件部分，其从穿通件部分竖直地延伸，以覆盖线沟槽的内表面。阻挡件部分在线结构与第二金属层的层间绝缘层之间。阻挡件部分在其下部水平处比在其上部水平处更厚。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010945564.8在审
发明人： 洪元赫;李钟振;金洛焕;郑恩志 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：晶体管，其位于衬底上；第一层间绝缘层，其位于晶体管上；第一层间绝缘层的上部分中的第一下互连线和第二下互连线；以及分别位于第一下互连线和第二下互连线上的第一过孔和第二过孔。第一下互连线的线宽大于第二下互连线的线宽。第一下互连线和第二下互连线中的每一个包括第一金属图案。第一下互连线还包括第二金属图案，第二金属图案位于第一金属图案上并包含与第一金属图案的金属材料不同的金属材料。第二金属图案不存在于第二下互连线中。第二过孔包括分别与第一层间绝缘层的顶表面和第二下互连线的顶表面接触的第一部分和第二部分，并且第二部分的底表面的最低水平高度低于第一过孔的底表面的最低水平高度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202010776850.6在审
发明人：刘承勇;李钟振;金洛焕;郑恩志;洪元赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供了半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上并具有第一沟槽的第一层间绝缘膜。第一下导电图案填充第一沟槽并且包括在与基底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开的第一谷区域和第二谷区域。第一谷区域和第二谷区域朝向基底凹陷。第二层间绝缘膜设置在第一层间绝缘膜上并且包括暴露第一下导电图案的至少一部分的第二沟槽。上导电图案填充第二沟槽并且包括上阻挡膜和设置在上阻挡膜上的上填充膜。上导电图案至少部分地填充第一谷区域。
半导体装置

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