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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁存储装置以及磁存储装置的制造方法-CN201910787760.4有效
  • 津端修一 - 铠侠股份有限公司
  • 2019-08-26 - 2023-10-27 - H10N50/10
  • 实施方式提供一种更高性能的磁存储装置以及磁存储装置的制造方法。实施方式涉及的磁存储装置具备：层叠体，其包括第1铁磁性体、第1铁磁性体上的绝缘体、绝缘体上的第2铁磁性体；层叠体的上方的非磁性体；非磁性体的上方的第1导电体；以及第1导电体的上方的硬掩模。非磁性体具备相对于第1离子的束被以第1蚀刻速率除去的材料。第1导电体具备相对于第1离子的束被以第2蚀刻速率除去的材料。第1蚀刻速率比第2蚀刻速率低。
  • 存储装置以及制造方法
  • [发明专利]磁性存储装置-CN202010124947.9有效
  • 津端修一 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-02-27 - 2023-10-03 - H10N50/10
  • 实施方式提供一种高性能的磁性存储装置。实施方式的磁性存储装置包含具有第1面的第1导电体。包含第1强磁体的第1构造设置在第1导电体的第1面上。第1绝缘体设置在第1构造上。包含第2强磁体的第2构造设置在第1绝缘体上。第2导电体与第1导电体的第1面及第1构造的侧面相接。第2绝缘体位于第2导电体上，且覆盖第1绝缘体的侧面，与第1构造的侧面及第2构造的侧面相接。第3导电体位于第2绝缘体上，且与第2构造的侧面相接。
  • 磁性存储装置
  • [发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法-CN202110675281.0在审
  • 野田光太郎;野田恭子;星野健;津端修一 - 铠侠股份有限公司
  • 2021-06-18 - 2022-09-27 - H01L27/24
  • 本发明的实施方式提供能够谋求电特性的提高的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。本实施方式的半导体存储装置具有第1布线、第2布线、第1存储层和第1绝缘膜。上述第1绝缘膜沿着上述第2布线的一部分表面及上述第1存储层的表面而设置。上述第1绝缘膜由Si、N及O形成。在上述第3方向上，将上述第1存储层的上述第2布线侧的端面的位置设定为第1位置。将上述第2布线的与上述第1存储层相反侧的端面的位置设定为第2位置。上述第1位置处的上述第1绝缘膜的N与O的原子比(N/O)为1.0以上。上述第2位置处的上述第1绝缘膜的N与O的原子比(N/O)低于1.0。
  • 半导体存储装置制造方法
  •  1 
  • 共 3 条
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