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[发明专利]压电陶瓷组合物及其制造方法、压电陶瓷、压电元件和压电振动装置-CN201910547301.9有效
发明人：下田贞纪;波多野桂一 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题在于：提供一种即使低温下烧制时也显示高的特性的铌酸碱系压电陶瓷组合物。本发明解决技术问题的技术方案在于：该压电陶瓷组合物以通式LixNayK1－x－yNbO3(其中，0＜x＜1、0＜y＜1、x+y＜1)所示的化合物为主要成分，氟的含量以质量为基准计为100ppm以上且小于1000ppm。
压电陶瓷组合及其制造方法元件振动装置

[发明专利]压电元件及其制造方法-CN202110254130.8在审
发明人： 波多野桂一;塚越功一 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于以低成本提供使用了碱金属铌酸系的压电陶瓷的层叠型压电元件。本发明的技术方案为由银的含量为80质量％以上的金属形成内部电极，并且由以具有钙钛矿型结构的碱金属铌酸盐为主成分且含有选自钙和钡中的至少1种碱土金属元素和银的压电陶瓷构成压电陶瓷层，在将上述碱金属铌酸盐的B位点中的元素的含量设为100摩尔％时，上述碱土金属元素的合计含量设为0.2摩尔％以上且低于2.0摩尔％，该压电陶瓷层含有至少1个内包银偏析区域(42)的烧结颗粒(41)，并且上述银偏析区域(42)的长径设为10nm以下。
压电元件及其制造方法

[发明专利]压电元件及其制造方法-CN201710140947.6有效
发明人： 波多野桂一;岸本纯明;原田智宏;土信田丰 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明提供一种兼具高可靠性和良好的压电特性的使用碱金属铌酸盐类压电陶瓷的非铅类的压电元件以及能够以低成本制造其的技术。压电元件，是单层型或叠层型的压电元件。上述压电元件包括第1和第2电极与压电陶瓷层。上述第1和第2电极中，银的含量为50重量％以上。上述压电陶瓷层，配置在上述第1和第2电极之间，由含有钙、锶和钡中的至少一种碱土金属且含有银的碱金属铌酸盐类压电陶瓷的多晶体构成。根据该构成，能够提高电阻和压电性，因此能够得到高可靠性和良好的压电特性。
压电元件及其制造方法

[发明专利]压电器件及其制造方法-CN201310163472.4有效
发明人：清水宽之;波多野桂一;土信田丰 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制绝缘性能伴随使用而产生降低的压电器件。压电器件具有第一内部电极和第二内部电极，并具有配置于上述第一内部电极和上述第二内部电极之间的由陶瓷构成的压电陶瓷层。与上述压电陶瓷层的中央相比，上述压电陶瓷层的分别与上述第一内部电极和上述第二内部电极相邻的各区域中锰元素的存在量相对较多。该构成的压电器件抑制了绝缘性能伴随使用而产生的降低。
压电器件及其制造方法

[发明专利]压电陶瓷、其制造方法及具有压电陶瓷的压电陶瓷扬声器-CN201410573511.2在审
发明人：渡边刚基;后藤隆幸;波多野桂一;岸本纯明;土信田丰 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2014-10-23 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明提供压电陶瓷、其制造方法及具有压电陶瓷的压电陶瓷扬声器，上述压电陶瓷为呈现高kr、高相对介电常数的可低温焙烧的特性差异小的压电陶瓷。该压电陶瓷包括：包含陶瓷颗粒的主相，上述陶瓷颗粒含有Pb、Nb、Zn、Ti、Zr并具有钙钛矿型结晶构造；和包含ZnO颗粒的副相。
压电陶瓷制造方法具有扬声器

[发明专利]压电陶瓷和压电器件-CN201310161720.1有效
发明人： 波多野桂一;岸本纯明;土信田丰 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：发明提供一种抑制由于施加高电场而产生的压电特性的降低的压电陶瓷。压电陶瓷包括以含有碱金属的铌酸盐类钙钛矿结构为主相的多晶体，镍元素和锰元素共同存在于该多晶体的晶界处。该构成的压电陶瓷抑制了由于施加高电场而产生的压电特性的降低。
压电陶瓷器件

[发明专利]压电陶瓷、压电陶瓷部件及使用该压电陶瓷部件的压电装置-CN201180044864.8有效
发明人： 波多野桂一;清水宽之;土信田丰 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种全新的压电陶瓷，该压电陶瓷具有将Li、Na、K、Nb和O作为构成元素的含碱铌酸类钙钛矿结构，其可以在1000℃左右容易地进行烧结，且不会使压电特性大幅降低。对于具有将Li、Na、K、Nb和O作为构成元素的含碱铌酸类钙钛矿结构的压电陶瓷，通过有意图地使Li3NbO4结晶相析出，能够在不是通常需要的1050℃以上的烧制温度，而是在1000℃左右进行烧制。
压电陶瓷部件使用装置

[发明专利]压电陶瓷及层叠压电陶瓷部件-CN201210230001.6有效
发明人： 波多野桂一;清水宽之;山本麻;土信田丰 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种压电陶瓷，其具有由组成式(LixNayK1-x-y)a(Nb1-zTaz)O3表示的含碱铌酸系钙钛矿构造作为主成分，其中，0.04＜x≤0.1，0≤y≤1，0≤z≤0.4，0.95≤a≤1.005，在构成该压电陶瓷的多个结晶粒子的晶界或晶界三叉点处存在含有Si及K的结晶相或非结晶相。
压电陶瓷层叠部件

[发明专利]无铅压电陶瓷组成物、及使用该组成物的压电陶瓷零件以及压电陶瓷零件的制造方法-CN201080051822.2有效
发明人： 波多野桂一;小林圭介;萩原智也;清水宽之;土信田豊 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种虽然晶体结构的转变点存在于动作保证温度的范围内，也能减少急剧的静电电容变化的含碱铌酸系压电陶瓷组成物，本发明的以Li、Na、K、Nb、Ta、Sb及O为主构成元素，且具有含碱铌酸系钙钛矿结构的压电陶瓷组成物，在将ABO3型钙钛矿结构设为Z＝1的单位晶格的情况下，具有从单斜晶系向正方晶系的晶体结构的转变点。由此，具备如下特征：为了利用所述晶体结构的转变点的MPB较高的压电效应，在-50℃～150℃范围内虽然具有晶体结构的转变点，但始终为ΔC＞0。
压电陶瓷组成使用零件以及制造方法

[发明专利]压电陶瓷及其制造方法以及压电器件-CN201080016866.1有效
发明人： 波多野桂一;土信田丰 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种特征在于含有[K1-xNax]1-yLiy[Nb1-z-wTazSbw]O3(x、y、z、w表示摩尔比，分别为0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、0≤w≤1)作为主相，含有K3Nb3O6Si2O7作为副相，作为添加物含有相对于100mol的主相换算成CuO为0.02mol～5.0mol的Cu化合物的压电陶瓷。
压电陶瓷及其制造方法以及器件

[发明专利]压电陶瓷、其制造方法和压电器件-CN200980133416.8有效
发明人： 波多野桂一;岸本纯明;土信田丰 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种不含铅的压电陶瓷，其具有高的压电特性，具备含有碱金属的铌酸系钙钛矿结构，不需要对高压下的烧制、特殊氛围下的烧制、精细的烧制的条件进行控制，能够得到致密且内部的多晶结构微细且均匀的压电陶瓷，另外，提供一种该压电陶瓷的制造方法以及使用该压电陶瓷的压电器件。压电陶瓷的特征在于，含有[K1-xNax]1-yLiy[Nb1-z-wTazSbw]O3(x、y、z、w表示摩尔比，分别为0≤x＜1、0≤y＜1、0≤z＜1、0≤w＜1)作为主相，含有K3Nb3O6Si2O7作为副相。另外，压电陶瓷的制造方法的特征在于，包括：得到上述作为主相的组合物(或者它们的材料)的步骤；得到上述作为副相的组合物的步骤；将两者混合的步骤；和将两者的混合物成型、烧制的步骤。并且，第一电极和第二电极隔着压电陶瓷层相对的压电器件的特征在于，上述压电陶瓷层由上述压电陶瓷形成。
压电陶瓷制造方法器件

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