“泉谷淳子”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电容器-CN201880048521.0有效
发明人：原田真臣;泉谷淳子;香川武史;松原弘 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。本发明的一侧面所涉及的电容器具备：基板；下部电极，形成在基板上；介电膜，形成在下部电极上；上部电极，形成在介电膜上的局部；保护层，覆盖下部电极以及上部电极；以及外部电极，贯通保护层，在从上方观察电容器的俯视时，外部电极仅形成在被上部电极的周缘划定的区域内。
电容器

[发明专利]薄膜电容器及其制造方法-CN201880042663.6有效
发明人：香川武史;泉谷淳子;原田真臣;松原弘;石田宣博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：薄膜电容器(100)具备：下部电极(120)；介电膜(130)；上部电极(140)；第1保护膜(151)，其分别形成有使上部电极(140)开口的第1贯通孔(CH11)和使下部电极(120)开口的第2贯通孔(CH12)且具有第1上表面(150A)；第2保护膜(152)，其具有处于比第1保护膜151的第1上表面150A高的位置的第2上表面(150B)；第1端子电极(161)，其通过第1贯通孔(CH11)而与上部电极(140)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置；以及第2端子电极(162)，其通过第2贯通孔(CH12)而与下部电极(120)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置。
薄膜电容器及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201880082364.5有效
发明人：松原弘;泉谷淳子;大江秀明;根本益太郎 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)；以及多孔金属氧化膜(180)，形成在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧，并且具有多个细孔。半导体基板(110)构成为：在第一主面(110A)侧具有与多孔金属氧化膜(180)电连接的连接部(111)，并且从第二主面(110B)侧到第一主面(110A)侧的连接部(111)提供供电路径。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]电容器-CN201780066804.3有效
发明人：香川武史;泉谷淳子;原田真臣;石田宣博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：电容器具备：基板，其具有第1主面和第2主面；下部电极，其设置在上述第1主面上；介电膜，其设置在上述下部电极上；以及上部电极，其设置在上述介电膜上，在俯视上述第1主面时，上述下部电极和上述上部电极中至少一者具备：具有矩形形状的第1区域、和从上述第1区域的至少一个边突出的至少一个第2区域。
电容器

[发明专利]安装基板-CN201580050306.0有效
发明人：福井勇贵;泉谷淳子;大川忠行 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明提供一种安装基板，在安装基板(10)所具备的基材(20)的背面形成有外部连接用电极，在表面形成有安装用电极(71、72)。另外，在基材(20)的厚度方向形成有连接外部连接用电极与安装用电极(71、72)的孔内电极(51、52)。在基材(20)与安装用电极(71、72)之间形成含有Al的反射膜(40)。反射膜(40)被绝缘膜层(41)覆盖，在俯视观察下，在孔内电极(51、52)的形成区域具有开口(40A、40B)。反射膜(40)在俯视观察下具有外周从包括安装用电极(71、72)的导体形成区域(73)分离一定距离的大小。开口(40A、40B)在俯视观察下小于安装用电极(71、72)。由此，防止反射膜的变质，来抑制发光效率降低。
安装

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910158694.0无效
发明人：福井胜一;森本升;西冈康隆;泉谷淳子;石井敦司 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。为了提供一种可以提高半导体器件可靠性的半导体器件制造方法，通过热CVD方法等形成用于覆盖半导体衬底中形成的半导体元件的、具有良好嵌入性质的第一绝缘膜。通过等离子体CVD方法形成具有优良抗潮性的第二绝缘膜以覆盖第一绝缘膜。形成塞以穿透第一绝缘膜和第二绝缘膜。包括介电常数相对低的低k膜的第三绝缘膜形成于第二绝缘膜之上。布线通过大马士革技术形成于第三绝缘膜中以电耦合到塞。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]有布线连接结构的电子器件的制造方法-CN03127226.6无效
发明人： 泉谷淳子 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明旨在实现可以避免通孔塞与金属布线之间的接触不良的、具有布线连接结构的电子器件的制造方法。在形成通孔(8)的蚀刻工序中，用C₄H₈、O₂及Ar的混合气体作为蚀刻气体。因而，至少在通孔(8)的侧壁的上部，通孔(8)的侧壁的表面形成没有微小凹凸的光滑形状。因此，在阻挡层金属膜(9)与通孔(8)的侧壁之间不会产生起因于上述微小凹凸的间隙，两者相互紧贴。其结果，在CMP工序后的氢氟酸清洗工序中，清洗液不会通过阻挡层金属膜(9)与通孔(8)的侧壁之间的间隙而渗入到金属膜(3)内。
布线连接结构电子器件制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN02141160.3无效
发明人： 泉谷淳子;竹若博基 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-07-08 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明的课题在于在备有使用铜布线的多层布线结构的半导体装置中，获得将键合引线键合在键合区上时能提高连接的可靠性及稳定性的半导体装置及其制造方法。在第二层间绝缘膜14上局部地形成都是由铝合金构成的第三层布线17及键合区71。在第三层间绝缘膜63、第四层间绝缘膜67、保护绝缘膜72、以及缓冲被覆膜73内局部地形成具有由键合区71规定的底面的开孔部74。在开孔部74内插入键合引线75，键合引线75被键合在键合区71上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有电容元件的半导体器件及其制造方法-CN01125517.X无效
发明人：高田佳史;泉谷淳子;砂田繁树 -专利权人：三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社
申请日： 2001-08-10 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种具有电容元件的半导体器件及其制造方法,在下层电极9A上形成电容元件用电介质层10。在该下部电极层9A和电容元件用电介质层10上形成层间绝缘层11,在该层间绝缘层11上形成到达电容元件用电介质层10的插塞孔11a。形成上层电极12A,13A使得充填该插塞孔11a的内部,而且把电容元件用电介质层10夹在中间与下层电极9A相对。电容元件用电介质层10在插塞孔11a的正下方区以及插塞孔11a的周壁的外周的区域与下层电极9A接触。由此,可以得到能够防止下层电极9A的金属原子的扩散的同时具有大容量的电容元件的半导体器件及其制造方法。
具有电容元件半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法、化学机械研磨装置和方法-CN01110846.0无效
发明人：原田繁;高田佳史;泉谷淳子 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-01-12 - 公布日： 2001-08-08 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：提供防止高集成化的半导体器件的焊盘电极的表面氧化,与外部端子的连接强度高的半导体器件。一种半导体器件,配有用于连接外部电极的焊盘电极和与该焊盘电极连接的多层布线结构,覆盖该焊盘电极、在该焊盘电极上有开口部并使该焊盘电极的表面露出的绝缘膜的单面与贵金属和从以该贵金属为主要成分的金属中选择的一种贵金属材料组成的金属面连接。
半导体器件及其制造方法化学机械研磨装置

1
共 10 条