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[发明专利]硅光子芯片光功率测量装置、设备及测量方法-CN202010001447.6有效
发明人：田桂霞;洪小刚;陈奔;沈笑寒;郭倩 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司;江苏亨通光网科技有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光子芯片光功率测量装置，硅光子芯片光功率测量装置、设备及测量方法，硅光子芯片上设有硅光波导，硅光子芯片光功率测量装置包括光反射部件，其配置于硅光波导出射光的传输路径上，硅光波导的出射光经光反射部件反射产生反射光；光传导部件，其配置于反射光的传输路径上，用于轴向传输反射光至其端部输出；光功率探测器，其用于接收光传导部件端部输出的反射光，并测量反射光的光功率，本发明在不损伤硅光子芯片结构的前提下，精确有效地测量出硅光子芯片的出光功率，实现硅光子芯片晶圆级出光性能测试。
光子芯片功率测量装置设备测量方法

[发明专利]一种硅光子芯片高度集成多通道光收发模块和有源光缆-CN201711152841.4有效
发明人：施伟明;沈笑寒;徐虎;孙权;蔡寅舟;杨晓佳 -专利权人：苏州卓昱光子科技有限公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光子芯片高度集成多通道光收发模块，其包括：硅光子集成芯片、电路集成芯片、组装印刷线路板，硅光子集成芯片、电路集成芯片均集成在组装印刷线路板上，硅光子集成芯片包括硅光子发射芯片和硅光子接收芯片，电路集成芯片包括电路集成发射芯片和电路集成接收芯片，电路集成发射芯片通过导线与硅光子发射芯片连接，硅光子发射芯片通过光纤跳线连接至光纤活动连接器上，电路集成接收芯片通过导线与硅光子接收芯片连接，硅光子接收芯片通过光纤跳线连接至光纤活动连接器上。本发明基于先进的硅光子芯片集成技术，提供一种集成化、低功耗、低成本的100Gbps高速硅光子收发模块和有源光缆。
一种光子芯片高度集成通道收发模块有源光缆

[实用新型]亚微米级波导耦合结构-CN202121965405.0有效
发明人：李量;沈笑寒;甘飞;许詹垒;于泽晖;丁晓亮;杨恒毅;杨建民 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种亚微米级波导耦合结构，其包括：硅光芯片、激光器芯片以及硅波导；激光器芯片倒装于硅光芯片一面的安装槽中；激光器芯片包括激光器，激光器包括：磷化铟衬底以及形成于磷化铟衬底中的多量子阱结构；磷化铟衬底的上表面具有凹槽，硅光芯片的安装槽中对应设置有与凹槽相配合的定位柱；磷化铟衬底的端面形成出光端面和划片端面，出光端面通过刻蚀方式形成，并与划片端面形成台阶结构；硅波导位于硅光芯片一面上，其端面与激光器芯片的出光端面相耦合。本实用新型能够实现硅光芯片、激光器芯片的高效率耦合，通过对硅光芯片、激光器芯片的设计以及精确倒装，能够解决光源与硅基芯片的混合集成问题，适合应用于大批量生产中。
微米波导耦合结构

[发明专利]亚微米级波导耦合结构-CN202110960374.8在审
发明人：李量;沈笑寒;甘飞;陈奔;朱宇 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供一种亚微米级波导耦合结构，其包括：硅光芯片、激光器芯片以及硅波导；激光器芯片倒装于硅光芯片一面的安装槽中；激光器芯片包括激光器，激光器包括：磷化铟衬底以及形成于磷化铟衬底中的多量子阱结构；磷化铟衬底的上表面具有凹槽，硅光芯片的安装槽中对应设置有与凹槽相配合的定位柱；磷化铟衬底的端面形成出光端面和划片端面，出光端面通过刻蚀方式形成，并与划片端面形成台阶结构；硅波导位于硅光芯片一面上，其端面与激光器芯片的出光端面相耦合。本发明能够实现硅光芯片、激光器芯片的高效率耦合，通过对硅光芯片、激光器芯片的设计以及精确倒装，能够解决光源与硅基芯片的混合集成问题，工艺简单，适合应用于大批量生产中。
微米波导耦合结构

[实用新型]硅基光斑模场转化器-CN202022727394.4有效
发明人： 沈笑寒;陈奔;朱宇;王皓;邢园园;杨凌冈 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅基光斑模场转化器，其包括：第一模斑转化器波导和第二模斑转化器波导；第一模斑转化器波导位于第二模斑转化器波导的顶面上，且其一端的端面与第二模斑转化器波导一端的端面对齐；第一模斑转化器波导一端形成第一单模波导，其余部分的宽度沿远离第一单模波导的方向非线性减小；第二模斑转化器波导另一端形成第二单模波导，其余部分的宽度沿靠近第二单模波导的方向线性减小。本实用新型的有益效果是：(1)耦合损耗小于1.5dB，(2)波长相关性小，工作波长可覆盖O波段及C波段；(3)具有偏振非相关性；(4)通过设计V型槽结构，可实现单模光纤与硅波导的无源耦合，简化耦合工艺，提高封装效率。
光斑转化

[发明专利]移动物联网智能信息终端-CN201610371656.3有效
发明人：冯卫;廖志军;张俊锋;吴婷婷;沈笑寒;李轩;唐微;何小炜;张昱;申益平;袁月亮;苏涵;李骏 -专利权人：国家电网公司;国网江西省电力公司宜春供电分公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G06F16/903 文献下载
摘要：本发明公开了一种移动物联网智能信息终端，包括终端壳体，所述终端壳体上设置系统控制模块、通讯模块、存储模块、电源控制模块、系统外设模块、信息查询模块和信息采集模块；所述信息采集模块包括支撑板、第一电机、第二丝杠、第三丝杠以及信息采集装置，所述第一电机的输出轴上设置第一丝杠，所述第一丝母上设置第二电机，所述第二丝杠上设置第一锥形齿轮、第一连接杆，所述第三丝杠设置第二锥形齿轮、第二连接杆，所述第二电机的输出轴上设置第三锥形齿轮；所述信息查询模块包括触摸屏和升降机构。本发明的有益效果在于：能够实现物品与物品、人与物品、人与人之间的互连且方便信息采集和查询。
移动联网智能信息终端

[发明专利]硅基光斑模场转化器及其制作工艺-CN202011322160.X在审
发明人： 沈笑寒;陈奔;朱宇;王皓;邢园园;杨凌冈 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基光斑模场转化器及其制作工艺，其中，硅基光斑模场转化器包括：第一模斑转化器波导和第二模斑转化器波导；第一模斑转化器波导位于第二模斑转化器波导的顶面上，且其一端的端面与第二模斑转化器波导一端的端面对齐；第一模斑转化器波导一端形成第一单模波导，其余部分的宽度沿远离第一单模波导的方向非线性减小；第二模斑转化器波导另一端形成第二单模波导，其余部分的宽度沿靠近第二单模波导的方向线性减小。本发明的有益效果是：(1)耦合损耗小于1.5dB，(2)波长相关性小，工作波长可覆盖O波段及C波段；(3)具有偏振非相关性；(4)通过设计V型槽结构，可实现单模光纤与硅波导的无源耦合，简化耦合工艺，提高封装效率。
光斑转化及其制作工艺

[实用新型]PSM4/AOC光发射芯片-CN202020450803.8有效
发明人：王皓;朱宇;陈奔;施伟明;吴邦嘉;沈笑寒;张拥建;洪小刚;邢园园;陈红涛 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PSM4/AOC光发射芯片，该芯片集成有四个MZ电光调制器和四个激光器，四个激光器依次键合在衬底上，所述衬底上设有SiO2层，所述SiO2层上设有Si层；MZ电光调制器均包括PLC波导合路器、PLC波导分路器和一对硅波导相移臂；四个MZ电光调制器的PLC波导合路器、分路器均设置在SiO2层内，四个MZ电光调制器的硅波导相移臂均设置在Si层上；四个激光器输出的光信号分别端面耦合进入四个MZ电光调制器的PLC波导分路器。本实用新型的光发射芯片，兼具高调制速率、低片上光损耗的技术优势，并且在出光端可以直接与单模光纤阵列实现低损耗的端面耦合。
psm4 aoc 发射芯片

[实用新型]集成电光调制器-CN202020451400.5有效
发明人：王皓;朱宇;陈奔;施伟明;吴邦嘉;沈笑寒;张拥建;洪小刚;邢园园;吴有强 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开一种集成电光调制器，包括层叠设置的SiO2层和Si层，Si层上设有第一、第二硅波导相移臂，SiO2层内设有PLC波导分路器、合路器；PLC波导分路器的两路分支基于倏逝波耦合分别与第一、第二硅波导相移臂光路连通；PLC波导合路器的两路分支基于倏逝波耦合分别与第一、第二硅波导相移臂光路连通。本实用新型的集成电光调制器，使用PLC波导分路器/合路器与硅波导相移臂配合实现电光调制，不仅利用硅波导相移臂实现了高速率电光调制，而且利用PLC波导器件与单模光纤模场匹配的特性实现了调制器与光纤的低损耗直接耦合。解决传统硅基电光调制由于硅波导与单模光纤模场失配大，需要设置复杂结构的模斑转换器或垂直耦合光栅来实现光纤耦合而且耦合损耗较大的问题。
集成电光调制器

[实用新型]异质集成CWDM4光发射芯片-CN202020450632.9有效
发明人：王皓;朱宇;陈奔;施伟明;吴邦嘉;沈笑寒;张拥建;洪小刚;邢园园;田桂霞 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：本实用新型公开一种异质集成CWDM4光发射芯片，该芯片集成有四个MZ电光调制器、四个激光器和一个波分复用器，四个激光器键合在衬底上，衬底上设有SiO2层，SiO2层上设有Si层；MZ电光调制器均包括PLC波导合路器、PLC波导分路器和一对硅波导相移臂；四个MZ电光调制器的PLC波导合路器、分路器均设置在SiO2层内，四个MZ电光调制器的硅波导相移臂均设置在Si层上；波分复用器设置在SiO2层内；四个激光器输出的光信号分别端面耦合进入四个MZ电光调制器的PLC波导分路器，四个MZ电光调制器的PLC波导合路器的输出端分别通过PLC波导连接波分复用器。本实用新型的异质集成CWDM4光发射芯片兼具高调制速率和低损耗的技术优势，并且在出光端可以直接与单模光纤实现低损耗的端面耦合。
集成 cwdm4 发射芯片

[实用新型]硅光子芯片光功率测量装置及设备-CN202020002646.4有效
发明人：田桂霞;洪小刚;陈奔;沈笑寒;郭倩 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅光子芯片光功率测量装置及设备，硅光子芯片上设有硅光波导，硅光子芯片光功率测量装置包括光反射部件，其配置于硅光波导出射光的传输路径上，硅光波导的出射光经光反射部件反射产生反射光；光传导部件，其配置于反射光的传输路径上，用于轴向传输反射光至其端部输出；光功率探测器，其用于接收光传导部件端部输出的反射光，并测量反射光的光功率，本实用新型在不损伤硅光子芯片结构的前提下，精确有效地测量出硅光子芯片的出光功率，实现硅光子芯片晶圆级出光性能测试。
光子芯片功率测量装置设备

[发明专利]异质集成CWDM4光发射芯片-CN202010245273.8在审
发明人：王皓;朱宇;陈奔;施伟明;吴邦嘉;沈笑寒;张拥建;洪小刚;邢园园;田桂霞 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：本发明公开一种异质集成CWDM4光发射芯片，该芯片集成有四个MZ电光调制器、四个激光器和一个波分复用器，四个激光器键合在衬底上，衬底上设有SiO2层，SiO2层上设有Si层；MZ电光调制器均包括PLC波导合路器、PLC波导分路器和一对硅波导相移臂；四个MZ电光调制器的PLC波导合路器、分路器均设置在SiO2层内，四个MZ电光调制器的硅波导相移臂均设置在Si层上；波分复用器设置在SiO2层内；四个激光器输出的光信号分别端面耦合进入四个MZ电光调制器的PLC波导分路器，四个MZ电光调制器的PLC波导合路器的输出端分别通过PLC波导连接波分复用器。本发明的异质集成CWDM4光发射芯片兼具高调制速率和低损耗的技术优势，并且在出光端可以直接与单模光纤实现低损耗的端面耦合。
集成 cwdm4 发射芯片

[发明专利]硅光子光模块的封装结构及其封装方法-CN201910099878.8有效
发明人：朱宇;陈奔;沈笑寒;梁巍 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光子光模块的封装结构及其封装方法。本发明一种硅光子光模块的封装结构，包括：PCBA电路板、CuW底座、CuW盖子、硅光子芯片发射单元和硅光子芯片接收单元、驱动芯片、跨阻放大器芯片和半导体致冷器(TEC)；所述PCBA电路板上设有开窗区域；所述开窗区域下表面边沿为第四配合面；所述PCBA电路板上表面靠近开窗区域设有第五配合面和第六配合面；所述CuW底座的上表面边沿为第一配合面；所述CuW底座上还设有第二配合面和第三配合面；所述第一配合面与所述第四配合面通过UV固化胶水贴合。本发明的有益效果：利用CuW结构件以及带高度控制功能的吸嘴来消除硅光子芯片与IC芯片之间贴片的高度差异，从而缩减不同芯片焊盘之间的金丝键合长度。
光子模块封装结构及其方法

[发明专利]集成电光调制器-CN202010247026.1在审
发明人：王皓;朱宇;陈奔;施伟明;吴邦嘉;沈笑寒;张拥建;洪小刚;邢园园;吴有强 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电光调制器，包括层叠设置的SiO2层和Si层，Si层上设有第一、第二硅波导相移臂，SiO2层内设有PLC波导分路器、合路器；PLC波导分路器的两路分支基于倏逝波耦合分别与第一、第二硅波导相移臂光路连通；PLC波导合路器的两路分支基于倏逝波耦合分别与第一、第二硅波导相移臂光路连通。本发明的集成电光调制器，使用PLC波导分路器/合路器与硅波导相移臂配合实现电光调制，不仅利用硅波导相移臂实现了高速率电光调制，而且利用PLC波导器件与单模光纤模场匹配的特性实现了调制器与光纤的低损耗直接耦合。解决传统硅基电光调制由于硅波导与单模光纤模场失配大，需要设置复杂结构的模斑转换器或垂直耦合光栅来实现光纤耦合而且耦合损耗较大的问题。
集成电光调制器

[发明专利]PSM4/AOC光发射芯片-CN202010245254.5在审
发明人：王皓;朱宇;陈奔;施伟明;吴邦嘉;沈笑寒;张拥建;洪小刚;邢园园;陈红涛 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种PSM4/AOC光发射芯片，该芯片集成有四个MZ电光调制器和四个激光器，四个激光器依次键合在衬底上，所述衬底上设有SiO2层，所述SiO2层上设有Si层；MZ电光调制器均包括PLC波导合路器、PLC波导分路器和一对硅波导相移臂；四个MZ电光调制器的PLC波导合路器、分路器均设置在SiO2层内，四个MZ电光调制器的硅波导相移臂均设置在Si层上；四个激光器输出的光信号分别端面耦合进入四个MZ电光调制器的PLC波导分路器。本发明的光发射芯片，兼具高调制速率、低片上光损耗的技术优势，并且在出光端可以直接与单模光纤阵列实现低损耗的端面耦合。
psm4 aoc 发射芯片

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