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[发明专利]一种三维纳米管气体传感器阵列及其封装方法-CN202010709099.8有效
发明人：范智勇;陈卓;周清峰;沈国震 -专利权人：艾感科技(广东)有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维纳米管气体传感器阵列的封装方法，所述方法包括：建立包括气体敏感度差异化的若干传感区域的三维纳米管气体传感器阵列，以打线结合的方式将阳极氧化铝薄膜第一表面的沿第一方向排列的且与传感区域对应的若干第一电极进行短接；将阳极氧化铝薄膜第二表面的沿第二方向排列的且与传感区域对应的共用第二电极与陶瓷层第一表面上的第三电极连接。本发明将结合打线接合技术及上下交叉电极技术，集成三维纳米管阵列，完成上下电极的引出，实现了能够同时探测多种气体的三维纳米管传感器阵列。
一种三维纳米气体传感器阵列及其封装方法

[发明专利]一种低功耗高灵敏度微结构气体传感器系统及制造方法-CN202310374889.9在审
发明人：周清峰;沈国震;丘勇才;朱广森 -专利权人：艾感科技（广东）有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01N27/403 文献下载
摘要：本发明涉及一种低功耗高灵敏度微结构气体传感器系统及制造方法，传感器系统包括用于沉积敏感材料的基底、用于检测电学变化的检测电极以及用于提供支撑的绝缘层，敏感材料沉积至基底以在基底上定义至少两个沉积区域，其中，沉积至检测电极与绝缘层的部分形成牺牲区域以降低多组分气体检测中的干扰，牺牲区域和检测区域基于至少包括温度和反应位点数目的不同吸附能力参数差异以对其相应气体进行选择性吸附；系统的制造方法，包括以下步骤：形成基片，基片配置有用于检测的检测电极、沉积敏感材料的基底和用于支撑的绝缘层，在基片上形成感测层，敏感材料沉积至基底形成感测层的过程中以在基底上定义至少两个沉积区域。
一种功耗灵敏度微结构气体传感器系统制造方法

[发明专利]复合薄膜声音传感器及其制备方法和应用-CN202210348311.1有效
发明人：王丽丽;陈靖雯;沈国震;陈娣 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01H11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合薄膜声音传感器及其制备方法和应用，本发明提供的声音传感器，包括：柔性衬底；导电敏感层，用于感知外界声音信号，通过与所述声音信号产生共振改变所述导电敏感层的电阻和导电状态，形成电信号；电极，用于给所述导电敏感层通电，并传输所述电信号；其中，所述导电敏感层通过导电膜以及二硫化钼膜形成周期性交叠多层结构。采用添加具有二维层状结构的柔性敏感表层，使传感器可与不同的声音产生共振，从而感知外界声音信号，表现为自身电学性能的变化，进而应用于振动检测和声音检测，能够应用于声控电子系统等小型电子器件，解决了传统声学设备不适用于便携的传感器设备的问题。
复合薄膜声音传感器及其制备方法应用

[发明专利]一种基于阵列气体传感器的气体识别系统及方法-CN202211661647.X在审
发明人：周清峰;沈国震;訾云龙;廖树伟;丘勇才 -专利权人：艾感科技（广东）有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于阵列气体传感器的气体识别系统及方法，系统包括探测管。探测管至少包括气体传感器阵列。气体传感器阵列由分流道和若干个传感器组成，若干个传感器设置于分流道中。探测管的气体入口通过管体连接至少两个分流道。至少两个分流道中基于气体中若干种混合成分设有滤膜和传感器以实现若干种混合成分的区分和浓度检测。通过本发明若干分流道、滤膜和传感器的设计方案能够区分出目标气体出现的原因。这种快速判断方式不仅使得燃气管网调度中心能够根据实际发生的故障类型，进行不同安全预案的选择，还使得对气体中各成分进行了详细的检测与确定，从而将整个城市燃气管网的气体变化进行统筹记录，防止可燃性气体大量堆积，保障安全性。
一种基于阵列气体传感器识别系统方法

[发明专利]光电探测器及其制备方法-CN202210217955.7有效
发明人： 沈国震;李营;田越;杨雅茜;陈娣 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种光电探测器，包括：衬底；电极层，形成在衬底上，包括两个叉指单元，两个叉指单元的多个叉指相向延伸并互相绝缘；以及微米层，覆盖多个叉指单元的多个叉指，叉指单元的叉指与微米层之间基于范德华力结合。范德华力消除了金属电极层和纳米层界面处化学无序、高缺陷态的缺点，避免了费米能级钉扎效应，降低了暗电流，改善了光提取和光电流的收集。
光电探测器及其制备方法

[发明专利]偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法-CN202211224131.9在审
发明人：魏钟鸣;王小宇;杨珏晗;沈国震;文宏玉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01J4/04 文献下载
摘要：本发明提供一种偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法，涉及半导体光电探测器及其制备技术领域。该偏振放大系统包括偏振探测器、参考电阻和晶体管，其中：偏振探测器包括第一硅片基底，以及从左至右依次位于第一硅片基底上的第一有源层、第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极均为金属材料；晶体管包括第二硅片基底，以及从左至右依次位于第二硅片基底上的第二有源层、第二源电极、第二漏电极、介电层和栅电极，第二源电极、第二漏电极和栅电极均为金属材料；偏振探测器的第一漏电极与参考电阻电连接，并共同连接至晶体管的栅电极；其中，第一有源层和第二有源层均为二维半导体材料，偏振探测器的探测波段为可见光至近红外波段。
偏振放大系统制备方法分析

[发明专利]一种热充电型电容器及其制备方法-CN202110634522.7有效
发明人： 沈国震;许小寒;陈娣;李腊;胡楚乔 -专利权人：中国科学院半导体研究所;北京科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本公开公开了一种热充电型电容器及其制备方法，其中，热充电型电容器，包括：两个电极片；位于两个电极片之间的聚合物固体电解质；其中，所述电极片包括衬底、以及依次涂覆在所述衬底上的MXene薄膜和3‑己基噻吩聚合物薄膜。
一种充电电容器及其制备方法

[发明专利]柔性微型电容器及其制备方法-CN202110487786.4有效
发明人： 沈国震;刘伟佳;陈娣;李腊;胡楚乔 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：一种柔性微型电容器及其制备方法，其中柔性微型电容器包括：柔性衬底；用于导通电路的导电基底，设置在柔性衬底上；所述导电基底被电极沟槽分为第一部分基底与设置于所述第一部分基底外侧的第二部分基底；以及设置在导电基底上的电容单元，包括：第一电极，设置在所述第一部分基底上；以及第二电极，设置在所述第二部分基底上；所述电极沟槽适用于为所述第一电极与所述第二电极之间提供绝缘介质；其中，所述导电基底以及所述第一电极均由包括二维钛化碳的材料制成；所述第二电极由包括锌的材料制成。本发明的柔性微型电容器具有体积小、充电速度快，安全便捷，可随身携带的特点，同时储存的电容量满足可穿戴设备的日常使用需求。
柔性微型电容器及其制备方法

[发明专利]用于人工神经网络预处理系统的柔性电子器件及制备方法-CN202210914236.0在审
发明人： 沈国震;胡楚乔;李腊;刘伟佳 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种用于人工神经网络预处理系统的柔性电子器件及制备方法，涉及柔性电子器件的制备技术领域。该柔性电子器件包括：柔性PET衬底(1)；金电极阵列(2)，形成于柔性PET衬底(1)上；光敏材料(3)，形成于金电极阵列(2)上，光敏材料(3)由具有近红外光电特性的苯磺酸改性的Ti3C2Tx溶液制成。本发明采用改性Ti3C2Tx作为光电器件的活性材料，通过苯磺酸的嫁接来改变其带隙结构，使类金属特性的Ti3C2Tx改性成为带隙宽度为1.53eV的近红外光敏材料，使之在光电领域不仅仅作为电极材料或形成异质结等，拓宽了Ti3C2Tx的应用范围。
用于人工神经网络预处理系统柔性电子器件制备方法

[发明专利]柔性电容器装置及其制备方法-CN202110487710.1有效
发明人： 沈国震;刘伟佳;陈娣;李腊;胡楚乔 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01G11/10 文献下载
摘要：一种柔性电容器装置及其制备方法，柔性电容器装置包括：柔性衬底与设置在所述柔性衬底上电连接的多个电容器；每个所述电容器包括：导电基底，设置在柔性衬底上，用于导通电路；所述导电基底被电极沟槽分为第一部分基底和设置在所述第一部分基底外侧的第二部分基底；以及设置在导电基底上的电容单元，包括：第一电极，设置在所述第一部分基底上；以及第二电极，设置在所述第二部分基底上；所述电极沟槽适用于为所述第一电极与所述第二电极之间提供绝缘介质；所述导电基底以及所述第一电极均由包括二维钛化碳的材料制成；所述第二电极由包括锌的材料制成。本发明中电容装置的电容储量高，且机械强度高，可通过对电容器排列的设计实现多样化图案。
柔性电容器装置及其制备方法

[发明专利]水下光电探测阵列及制备方法-CN202210618465.8在审
发明人：娄正;李哲新;沈国震;闫勇旭;李林林;王丽丽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种水下光电探测阵列，包括：衬底和光电晶体管。多个所述光电晶体管集成到所述衬底上，光电晶体管包括：栅电极，设置于所述衬底之上；介质层，覆盖于所述栅电极表面；掺杂纳米线，设置于所述介质层之上，适用于俘获光电子并将俘获的光电子贮存在杂质和缺陷能级中；源电极，覆盖于所述掺杂纳米线的一端的表面；漏电极，覆盖于所述掺杂纳米线的另一端的表面；以及防水封装层，覆盖于源电极、漏电极以及裸露的所述掺杂纳米线的表面，以阻隔掺杂纳米线与外界接触。本发明还提供一种水下光电探测阵列的制备方法。
水下光电探测阵列制备方法

[发明专利]光电探测器的制备方法-CN202210504734.8在审
发明人：王丽丽;郑贻强;沈国震 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器的制备方法，包括：形成衬底；在衬底上制备电极层；在电极层上制备钙钛矿薄膜；在钙钛矿薄膜上制备Ti3C2TXMXene量子点层。通过引入Ti3C2TX MXene量子点修饰二维钙钛矿薄膜，以Ti3C2TX MXene量子点‑二维钙钛矿纳米片薄膜作为紫外光电探测器的敏感材料，基于局域表面等离子体共振(LSPR)效应，有效提高敏感材料对光的吸收，从而提高了紫外光电探测器的光谱响应度和光谱选择性。
光电探测器制备方法

[发明专利]多像素有机柔性透明近红外图像传感器及其制备方法-CN202111125418.1在审
发明人： 沈国震;胡楚乔;李腊;陈皓;刘伟佳 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本公开提供了一种多像素有机柔性透明近红外图像传感器及其制备方法，该传感器包括：Ti3C2Tx MXene叉指电极阵列；RAN薄膜，覆盖在所述Ti3C2Tx MXene叉指电极阵列上；其中，Ti3C2Tx MXene叉指电极阵列与RAN薄膜之间形成范德华有机无机异质结和氢键，使二者接触紧密。该传感器可实现多像素点图像传感，且柔性透明的特点大大拓宽了器件的应用范围，在上千次弯曲循环后，器件仅在很小的范围内正常波动，拥有很好的机械性能。
像素有机柔性透明红外图像传感器及其制备方法

[发明专利]双模态传感器及其数据处理方法-CN202111428372.0在审
发明人：王丽丽;李林林;沈国震;娄正 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01N3/40 文献下载
摘要：本公开提供了一种双模态传感器及其数据处理方法，该双模态传感器包括：活性层，设置于柔性衬底上；第一传感元件和第二传感元件，设置于活性层上；第二传感元件对称设置于第一传感元件两侧；第一传感元件和第二传感元件被配置为共用一个工作电极；填充层，设置于第一传感元件上，填充层的高度配置为第一传感元件和第二传感元件之间的高度差。
双模传感器及其数据处理方法

[发明专利]碲纳米线垂直阵列的生长方法-CN202111363651.3在审
发明人：王丽丽;李林林;沈国震 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲纳米线垂直阵列的生长方法，包括：将碲粉放置于石英管中作为前驱体源；将所述石英管放置在管式炉中，所述碲粉位于所述管式炉的升温区；清洗衬底并干燥，将清洗干燥后的衬底固定于所述石英管中作为沉积材料，所述衬底位于所述管式炉的降温区；将所述管式炉内的真空度抽至10‑20Pa，通入惰性气体，清除所述管式炉内残留的氧气；打开等离子体源激励所述惰性气体发生电离，形成等离子体，所述等离子体激发所述碲粉转化为小颗粒碲粉；加热所述管式炉，位于所述管式炉的升温区的所述小颗粒碲粉受热气化转移至所述管式炉的降温区并在所述衬底处进行沉积，生长出所述碲纳米线垂直阵列。
纳米垂直阵列生长方法

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