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[实用新型]多晶硅还原炉和观察视镜-CN201120271927.0有效
发明人：严大洲;毋克力;肖荣晖;汤传斌;汪绍芬;冯廷敏 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉用观察视镜，包括：内管；波纹管，所述波纹管套设在所述内管上且所述波纹管的内壁与所述内管的外壁限定有第一冷却介质容纳腔；第一法兰，所述波纹管的第一端抵接在所述第一法兰上，所述内管的第一端穿过所述第一法兰的中心孔且所述第一法兰的中心孔的内周壁与所述内管的外周壁相连；视镜玻璃，所述视镜玻璃的内表面覆盖在所述内管的第一端上且所述视镜玻璃的外周壁与所述第一法兰的中心孔的内周壁相连；和第二法兰，所述第二法兰的内侧与所述视镜玻璃的外表面相连。根据本实用新型的多晶硅还原炉用观察视镜，结构简单合理且运行安全。本实用新型还公开了一种多晶硅还原炉。
多晶还原观察

[实用新型]多晶硅还原炉-CN201120346855.1有效
发明人：严大洲;肖荣辉;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；六十对电极，所述六十对电极设在所述底盘上且分别分布在第一至第八圈上，所述第一至第八圈为以所述底盘中心为中心且由内向外依次增大的八个同心正六边形；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第八圈与所述底盘的外周沿之间。根据本实用新型的多晶硅还原炉，所述六十对电极设在所述底盘上且分别分布在第一至第八圈上，由此，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。
多晶还原

[实用新型]具有新型喷嘴的多晶硅还原炉-CN201120346930.4有效
发明人：严大洲;肖荣辉;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体；六十对电极，所述六十对电极设在所述底盘上且分别分布在第一至第八圈上；进气系统；和排气系统；其中，所述每个喷嘴包括形成有第一进气腔的基座；与所述基座的上端相连且形成有第二进气腔的引流部，所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积；和与所述引流部的上端相连且形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔的导流部，所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。根据本实用新型的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以提高所述还原炉的生产效率。
具有新型喷嘴多晶还原

[发明专利]客户端虚拟化架构-CN201010505636.3有效
发明人： 汤传斌;王彦新 -专利权人：运软网络科技(上海)有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明揭示了一种客户端虚拟化架构，实现利用差分同步和封闭计算的客户端虚拟化方法，其中，该客户端虚拟化架构包括：客户端系统、服务器端系统、虚拟桌面服务器、虚拟机监控器服务器、客户端虚拟化镜像同步协议、虚拟桌面/虚拟机监控器远程桌面传输协议。客户端系统包括数据、应用程序、虚拟机、虚拟机监控器、客户端硬件和客户端管理软件；服务器端系统包括服务端管理软件、服务器虚拟化组件、服务器硬件和服务器存储设备，服务器存储设备包括服务器本地磁盘或服务器连接的网络磁盘，服务器存储设备保存用户数据、应用程序镜像、虚拟机镜像和虚拟机监控器二进制代码。
客户端虚拟架构

[发明专利]具有新型喷嘴的多晶硅还原炉-CN201110274523.1无效
发明人：严大洲;肖荣辉;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体；六十对电极，所述六十对电极设在所述底盘上且分别分布在第一至第八圈上；进气系统；和排气系统；其中，所述每个喷嘴包括形成有第一进气腔的基座；与所述基座的上端相连且形成有第二进气腔的引流部，所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积；和与所述引流部的上端相连且形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔的导流部，所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。根据本发明实施例的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以提高所述还原炉的生产效率。
具有新型喷嘴多晶还原

[发明专利]用于处理含有四氯化硅的溶液的设备-CN201110320140.3无效
发明人：严大洲;汤传斌;万烨;肖荣晖;毋克力 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于处理含有四氯化硅的溶液的设备。用于处理含有四氯化硅的溶液的设备包括：蒸发装置，用于将所述溶液中的四氯化硅转变为四氯化硅蒸汽并得到废液；除尘装置，所述除尘装置与所述蒸发装置相连以便从所述蒸发装置接收所述四氯化硅蒸汽，并除去所述四氯化硅蒸汽中的粉尘，以获得经过净化的四氯化硅蒸汽；冷凝装置，所述冷凝装置与所述除尘装置相连以便从所述除尘装置接收经过净化的四氯化硅蒸汽，并将所述经过净化的四氯化硅蒸汽冷凝，以得到经过净化的四氯化硅液体。用于处理含有四氯化硅的溶液的设备，结构简单，操作方便，能耗低，成本低，可以有效地纯化四氯化硅，并且可以避免粉尘堵塞管道，从而保证管道和设备的正常运行。
用于处理含有氯化溶液设备

[发明专利]用于多晶硅生产的供电调节系统-CN201110201177.4无效
发明人：毛涛涛;严大洲;毋克力;肖荣晖;汤传斌;李超林 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H02M5/293 文献下载
摘要：本发明提出一种用于多晶硅生产的供电调节系统，包括：电流检测元件，用于检测通过硅棒的电流；电压检测元件，用于检测硅棒的电压；变压器，其输出端具有多个抽头，用于输出多个不同等级的电压；多组晶闸管，每组晶闸管分别与每个抽头相连，用于控制电压的输出；和控制器，与电流检测元件、电压检测元件和每组晶闸管连接，用于设置电流与电压的匹配关系，根据电流检测元件检测到的电流值确定期望电压值，并将期望电压值与电压检测元件检测到的电压值进行比较，以及根据比较的结果控制晶闸管。本发明通过采用多层电源叠层控制技术，使每组功率回路接收多种电压等级的电源，叠层输出功率电源，有效地提高还原功率、减小电源谐波，并且显著地节能降耗。
用于多晶生产供电调节系统

[实用新型]一种具有新型喷嘴的多晶硅还原炉-CN201120232674.6有效
发明人：严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体；四十八对电极，所述四十八对电极设在所述底盘上且分别分布在同心的第一、第二、第三和第四圆周；进气系统；和排气系统；其中，所述每个喷嘴包括形成有第一进气腔的基座；与所述基座的上端相连且形成有第二进气腔的引流部，所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积；和与所述引流部的上端相连且形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔的导流部，所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。根据本实用新型的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以提高所述还原炉的生产效率。
一种具有新型喷嘴多晶还原

[实用新型]多晶硅还原炉-CN201120232682.0有效
发明人：严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；三十六对电极，所述三十六对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间。根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。
多晶还原

[实用新型]具有新型喷嘴的多晶硅还原炉-CN201120232182.7有效
发明人：严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体；三十六对电极，所述三十六对电极设在所述底盘上且分别分布在同心的第一、第二、第三和第四圆周；进气系统；和排气系统；其中，所述每个喷嘴包括形成有第一进气腔的基座；与所述基座的上端相连且形成有第二进气腔的引流部，所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积；和与所述引流部的上端相连且形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔的导流部，所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以提高所述还原炉的生产效率。
具有新型喷嘴多晶还原

[实用新型]一种多晶硅还原炉-CN201120232200.1有效
发明人：严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；四十八对电极，所述四十八对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间。根据本实用新型的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。
一种多晶还原

[实用新型]多晶硅还原炉及其喷嘴-CN201120231237.2有效
发明人：严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉用喷嘴，包括：基座，所述基座内形成有第一进气腔；引流部，所述引流部与所述基座的上端相连且所述引流部内形成有第二进气腔，所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积；和导流部，所述导流部与所述引流部的上端相连且所述引流部内形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔，所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。根据本实用新型实施例的多晶硅还原炉用喷嘴可以增加工艺气体流速且可以使工艺气体分布均匀。本实用新型还公开了一种具有上述喷嘴的多晶硅还原炉。
多晶还原及其喷嘴

[实用新型]用于多晶硅副产物四氯化硅处理的反应器-CN201120073833.2有效
发明人：严大洲;毋克力;肖荣晖;汤传斌;谢正和;杜俊平;谢冬晖;汪绍芬;郭富东 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本实用新型提出一种用于多晶硅副产物四氯化硅处理的反应器，包括：限定有反应腔的反应器本体，所述反应器本体的上部设有四氯化硅-空气入口和氢气入口，所述反应器本体的底部设有反应器出口；嘴套，所述嘴套套设在所述反应器本体的下端以与所述反应器本体限定出向下开口的环形空间；与所述嘴套相连以向所述环形空间内供给氢气的环隙氢气进口管；和设置在所述反应腔内用于均匀分布从所述四氯化硅-空气入口和所述氢气入口供给到反应腔内的四氯化硅-空气和氢气的分布器。根据本实用新型的反应器，用在用多晶硅副产物四氯化硅生产二氧化硅中，四氯化硅、氧气和氢气在该反应器内发生反应以生成氯化氢和纳米级二氧化硅，且结构简单，成本低。
用于多晶副产物氯化处理反应器

[发明专利]一种多晶硅还原炉-CN201110185383.0有效
发明人：严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体，所述炉体连接在所述底盘上且在所述炉体与所述底盘之间限定出反应腔室；四十八对电极，所述四十八对电极设在所述底盘上且分别分布在第一、第二、第三和第四圆周，所述第一、第二、第三和第四圆周为以所述底盘中心为圆心且半径依次增大的同心圆周；进气系统，所述进气系统包括设在所述底盘中部的多个喷嘴；和排气系统，所述排气系统包括多个排气口，所述排气口设在所述底盘上且位于所述第四圆周与所述炉体之间。根据本发明实施例的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以避免炉体内侧壁带走过多热量，可以降低热量损耗。
一种多晶还原

[发明专利]一种具有新型喷嘴的多晶硅还原炉-CN201110185381.1无效
发明人：严大洲;肖荣晖;毋克力;汤传斌;汪绍芬;姚心 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括：底盘和炉体；四十八对电极，所述四十八对电极设在所述底盘上且分别分布在同心的第一、第二、第三和第四圆周；进气系统；和排气系统；其中，所述每个喷嘴包括形成有第一进气腔的基座；与所述基座的上端相连且形成有第二进气腔的引流部，所述第二进气腔与所述第一进气腔相连通且所述第二进气腔的横截面积小于所述第一进气腔的横截面积；和与所述引流部的上端相连且形成有位于中部的中央喷孔和环绕所述中央喷孔且沿圆周方向均匀分布的多个侧喷孔的导流部，所述中央喷孔和所述多个侧喷孔与所述第二进气腔相连通。根据本发明实施例的多晶硅还原炉，可以合理利用热能，同时也可以提高所述还原炉的生产效率。
一种具有新型喷嘴多晶还原

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