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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111286650.3在审
  • 江知优 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-11-02 - 2023-05-05 - H01L23/544
  • 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：多个校正参考部件，位于基板上且沿第一方向间隔设置；以及多行第一主动部件及多行第二主动部件，分别设置于所述校正参考部件的两侧，其中每行第一主动部件在第二方向上彼此间隔设置且每行第一主动部件包括沿第一方向间隔设置的多个第一主动部件，其中第一方向不平行于第二方向，每行第二主动部件在第二方向上彼此间隔设置且每行第二主动部件行包括沿第一方向间隔设置的多个第二主动部件，其中校正参考部件、第一主动部件及第二主动部件设置于同一层且是基板的一部分。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体图案的制作方法-CN201811553322.3有效
  • 王嘉鸿;刘恩铨;陈建豪;李钊豪;李修申;江知优 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-12-19 - 2022-09-13 - H01L21/8242
  • 本发明公开一种半导体图案的制作方法，包含：首先，提供一基底，其上有一氧化层以及一第一材料层位于该氧化层上，其中一第一区域以及一第二区域定义于该基底上，接着进行一第一蚀刻步骤，移除部分该第一区域内的该第一材料层，然后形成多个第一图案于该第一区域内的该第一材料层上，再形成一第二复合层于该第一图案上，接下来，形成一第二图案层于该第一区域内的该第二复合层上，以及进行一第二蚀刻步骤，以该第一图案与该第二图案为一掩模，移除部分该第二复合层、该第一材料层以及该氧化层。
  • 半导体图案制作方法
  • [发明专利]用于光刻工艺的识别方法与半导体元件-CN202010611718.X在审
  • 江知优 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-06-30 - 2021-12-31 - H01L21/027
  • 本发明提供一种用在光刻工艺的识别方法与半导体元件。所述方法包括在半导体衬底上形成掩膜层，再图案化所述掩膜层，以在所述元件区内形成密集线图案，并在元件区与周边区的界面区域形成假密集线图案，其中第一条与第三条假密集线图案之间设有至少一连接部，且第二条假密集线图案在连接部不连续并与连接部相隔开。在半导体衬底上形成覆盖周边区的光刻胶层，并根据光刻胶层的边缘至最接近的假密集线图案的距离以及连接部的宽度来判定所述光刻胶层的着陆位置是否正确。
  • 用于光刻工艺识别方法半导体元件
  •  1 
  • 共 3 条
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