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[发明专利]互连结构及其形成方法-CN201510610880.9有效
发明人：黄义钧;姚志翔;郑价言;江文铨;黄瀛文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种示例性半导体器件，包括：第一导电部件，位于介电层中；以及第二导电部件，位于介电层上方并电连接至第一导电部件。第二导电部件包括双镶嵌结构，并且还包括：顶部，位于第二导电部件的导线部分和通孔部分内；和底部，位于第二导电部件的通孔部分中。底部包括与顶部不同的导电材料，并且底部的厚度至少为第二导电部件的通孔部分的总厚度的大约百分之二十。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。
互连结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210552090.6有效
发明人：白志阳;涂国基;江文铨;周仲彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，包括半导体衬底，设置在半导体衬底中的隔离结构，设置在隔离结构上方的导电层，设置在隔离结构上方的电容器，该电容器包括顶部电极、底部电极以及设置在顶部电极和底部电极之间的电介质，并且第一接触件将导电层和底部电极电连接，底部电极大体接合在至少两个面上的第一接触件。本发明还公开了半导体器件的制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有无方向的去耦合电容器的半导体器件及其制造方法-CN201210044727.0有效
发明人：涂国基;曾国权;江文铨;王铨中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了具有无方向去耦电容器的半导体器件和制造该半导体器件的方法。在一个实施例中，半导体器件包括至少一个集成电路和至少一个去耦电容器。将至少一个去耦电容器定向为与至少一个集成电路定向的方向不同的方向。
具有无方耦合电容器半导体器件及其制造方法

[发明专利]嵌入式动态随机存取存储器装置及其接触插塞的形成方法-CN200810081334.0无效
发明人：白志阳;江文铨;喻中一;杜友伦;刘源鸿;李祥帆;王铨中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式动态随机存取存储器(eDRAM)装置及其接触插塞的形成方法。该形成方法包括如下步骤：形成一介电层于一半导体基底上；形成一接触孔于该介电层中，以暴露出一部分的该半导体基底；沉积一钨材料层于该介电层上以填入该接触孔，其中形成一钨缝隙于该接触孔内的钨材料层中；实施一干式蚀刻制造工艺以移除该介电层的上表面的钨材料层，且凹陷该钨材料层于该接触孔中，以于该介电层的上表面下方，形成具一深度的凹陷区，因而形成一凹陷的钨插塞于该接触孔内；沉积一导电层于该介电层和该凹陷的钨插塞上，以填入该凹陷区；及移除该介电层的上表面的该导电层，以形成一导电插塞于该接触孔内的凹陷的钨插塞上。
嵌入式动态随机存取存储器装置及其接触形成方法

[发明专利]类平面及类鳍式场效电晶体的电晶体元件及其制造方法-CN200610066934.0有效
发明人：季明华;江文铨;江木吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是有关于一种类平面及类鳍式场效电晶体的电晶体元件，本发明揭露了于块状硅材上的类平面互补金氧半导体及鳍式场效电晶体的电晶体元件。第一电晶体具有掺杂且凹陷的通道区，此通道区是形成于浅沟隔离区的侧壁上。第二电晶体则具有掺杂且凹陷的通道区，且其具有复数个边鳍并列于元件的主动区的边界上。第三电晶体具有未掺杂且凹陷的通道区于浅沟隔离区的侧壁上，其中通道区具有复数个边鳍于其上。此外，上述的每一元件均可附加额外的罩幕，以让传统电晶体及本发明的类鳍式场效电晶体的电晶体元件共同制造于块状硅材上。另外，数个用以制造以上各个元件的方法亦将在本发明中揭露。
平面类鳍式场效电晶体元件及其制造方法

[发明专利]内存晶胞及其制造方法-CN200510056836.4有效
发明人：季明华;江文铨;陈政谷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-03-22 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明是有关于一种内存晶胞及其制造方法。该内存晶胞主要包括开关晶体管以及储存区域。其中晶体管设有闸极以及汲极，储存区域设有浅沟渠隔离区域(STI)的沟渠，而位于沟渠中的非绝缘结构的材质例如可为多晶硅或是金属材质，以作为电容结构。利用掺杂的侧壁来定义一部分的沟渠，其中该掺杂的侧壁是为晶体管的源极，且以一介电层使多晶硅与沟渠的侧壁彼此互相分离。进行写入操作时，利用穿透介电层的穿隧机制，使电荷传送至非绝缘结构中，并且利用沟渠侧壁表面上所产生的闸极引发汲极漏电流(GIDL)电流来辅助讯号的读取操作。本发明的实施例可缩减元件的尺寸、增加电荷保存的期限以及增加与标准制程步骤之间的相容性。
内存晶胞及其制造方法