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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]具有延伸接垫的图像传感器-CN202320887101.X有效
发明人：张胤杰;江彦廷;丁世汎;刘人诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种图像传感器。图像传感器包括设置在衬底上的图像感测组件、邻近于图像感测组件设置的延伸接垫，以及设置在延伸接垫上的多晶硅柱。图像传感器还包括设置在图像感测组件、延伸接垫和多晶硅柱上方的绝缘层。本实用新型可以提高器件性能和可靠性。
具有延伸图像传感器

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202210955856.9在审
发明人： 江彦廷;陈彦瑜;张文豪;许慈轩;洪丰基;丁世汎;刘人诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对图像传感器，该图像传感器包括设置在衬底内的多个光电探测器。衬底包括与背侧表面相对的前侧表面。外部隔离结构设置在衬底中并且横向围绕多个光电探测器。外部隔离结构具有第一高度。内部隔离结构在外部隔离结构的侧壁之间间隔开。内部隔离结构设置在多个光电探测器中的相邻的光电探测器之间。外部隔离结构与内部隔离结构分别从背侧表面朝着前侧表面延伸。内部隔离结构包括小于第一高度的第二高度。根据本发明的其他实施例，还提供了用于形成图像传感器的方法。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202310146543.3在审
发明人：陈彦瑜;江彦廷;黄百韬;卢泽华;许慈轩;丁世汎;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括具有第一侧和第二侧的衬底。衬底包括像素区域。光电探测器位于像素区域中。第一掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域垂直位于第一掺杂区域和衬底的第一侧之间。掺杂阱位于衬底中并且横向围绕像素区域。掺杂阱部分位于第二掺杂区域中。第二掺杂区域的部分垂直位于掺杂阱和衬底的第二侧之间。沟槽隔离结构位于半导体衬底中并且横向围绕像素区域。沟槽隔离结构的覆盖区位于掺杂阱的覆盖区内。本申请的实施例还涉及用于形成图像传感器的方法。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]集成电路芯片及其形成方法-CN202210331398.1在审
发明人：李宥贤;江彦廷;丁世汎;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路芯片及其形成方法。本公开的各种实施例涉及一种集成电路(IC)芯片，其中键合焊盘结构延伸到具有高过孔密度的柱状结构。例如，互连结构位于衬底的正面，并且包括形成柱状结构的第一键合导线、第二键合导线和一个或多个键合过孔。键合过孔从第一键合导线延伸到第二键合导线。键合焊盘结构被插入衬底的与正面相反的背面，并且延伸至第一键合导线。第一键合导线或第二键合导线在平行于衬底的顶表面的平面上的第一投影具有第一面积，并且键合过孔在该平面上的第二投影具有第二面积，第二面积为第一面积的10％或更多，使得过孔密度较高。
集成电路芯片及其形成方法

[发明专利]减少停机时间的方法及系统-CN202110646468.8在审
发明人：洪明宏;陈星辑;江彦廷 -专利权人：广达电脑股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：所公开的是一种系统及方法，用于当计算机系统中的硬件元件发生错误时缩短系统管理模式。计算机系统具有可能有错误的硬件元件。其中一个硬件元件中的错误的通知，经由处理单元上的RAS硅所接收。错误是从硬件元件，通过引导处理器内核所执行的系统管理中断处置器所检测。错误数据经由处理单元所执行的系统控制中断处置器，而登录进系统错误日志。在登录错误数据的期间，避免了系统管理模式。这预防系统管理模式使其他处理器内核暂停。
减少停机时间方法系统

[发明专利]键合半导体器件及其形成方法-CN202210115716.0在审
发明人：黄诗涵;许文义;蔡双吉;杨明宪;江彦廷;丁世泛;洪丰基;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供了键合半导体器件及其形成方法。一种用于晶圆键合的方法，包括：接收键合层的布图，该布图具有不对称图案，通过设计规则检查器来确定布图的不对称程度是否在预定范围内，如果不对称程度超出预定范围，则修改布图以降低布图的不对称程度。该方法还包括：以计算机可读格式输出布图。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910750283.4有效
发明人：吴尉壮;杨敦年;洪丰基;刘人诚;施俊吉;周耕宇;江彦廷;杨明宪;陈春元 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请的各个实施例针对包括用以增强性能的复合背照式(CBSI)结构的图像传感器。在一些实施例中，第一沟槽隔离结构延伸到衬底的背侧至第一深度并且包括一对第一沟槽隔离段。光电探测器位于衬底中、第一沟槽隔离段之间并且邻接所述第一沟槽隔离段。第二沟槽隔离结构位于第一沟槽隔离段之间并且延伸到衬底的背侧中至小于第一深度的第二深度。第二沟槽隔离结构包括一对第二沟槽隔离段。吸收增强结构位于光电探测器上面、第二沟槽隔离段之间，并且凹进至半导体衬底的背侧。吸收增强结构和第二沟槽隔离结构共同限定CBSI结构。本发明的实施例还涉及形成图像传感器的方法。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]图像传感器的形成方法、CMOS图像传感器及其形成方法-CN201910185176.1有效
发明人：郑有宏;丁世泛;江彦廷;杜友伦;蔡敏瑛 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供了一种图像传感器的形成方法。该方法包括在半导体衬底中形成多个沟槽，其中，沟槽从半导体衬底的背侧延伸到半导体衬底中。在沟槽的下表面、沟槽的侧壁和半导体衬底的背侧上形成包括掺杂剂的外延层，其中，掺杂剂具有第一掺杂类型。将掺杂剂驱入半导体衬底中以沿外延层形成具有第一掺杂类型的第一掺杂区，其中，第一掺杂区将具有与第一掺杂类型相对的第二掺杂类型的第二掺杂区与沟槽的侧壁分离并且与半导体衬底的背侧分离。在半导体衬底的背侧上方形成介电层，其中，介电层填充沟槽以形成背侧深沟槽隔离结构。本发明的实施例还提供了CMOS图像传感器及其形成方法。
图像传感器形成方法 cmos 及其

[发明专利]半导体图像感测装置及其制作方法-CN201811229019.8有效
发明人： 江彦廷;陈春元;曾晓晖;李升展;王昱仁;吴尉壮;丁世汎;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置，其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔离结构包含在所述半导体衬底中的底部隔离部分、在所述半导体衬底中的上隔离部分，及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。
半导体图像装置及其制作方法

[发明专利]半导体结构和半导体结构制造方法-CN201810749873.0有效
发明人：李升展;陈奕男;陈子祥;王昱仁;江彦廷;周正贤;蔡正原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明一些实施例公开一种半导体结构和半导体结构制造方法。其中，半导体结构包含：半导体衬底，其具有前表面及背向所述前表面的后表面；填充材料，其从所述前表面延伸到所述半导体衬底中且不穿透所述半导体衬底，所述填充材料包含上部分及下部分，所述上部分与所述半导体衬底接触；及外延层，其加衬于所述填充材料的所述下部分与所述半导体衬底之间。本发明一些实施例还公开一种相关联制造方法。
半导体结构制造方法

[发明专利]快速外围组件互连界面卡的初始化方法-CN201710418491.5有效
发明人： 江彦廷 -专利权人：佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司;神云科技股份有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G06F13/10 文献下载
摘要：本发明提出一种快速外围组件互连界面卡的初始化方法，所述方法包含，处理单元于开机程序根据旗标之预设之第一值以基本输入输出系统码包含之第一初始化参数初始化一快速外围组件互连界面插槽所插置之快速外围组件互连界面卡，处理单元于开机程序根据初始化后之快速外围组件互连界面卡设定前述旗标，使旗标具有第一值或第二值，处理单元于开机程序判断初始化后之快速外围组件互连界面卡是否需重新初始化，以及当快速外围组件互连界面卡需重新初始化时，处理单元根据设定后之旗标之第二值以基本输入输出系统码包含之一第二初始化参数重新初始化快速外围组件互连界面卡。
快速外围组件互连界面初始化方法

[发明专利]互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及影像传感器的形成方法-CN201810662951.3有效
发明人： 江彦廷;陈春元;曾晓晖;王昱仁;刘人诚;杨敦年 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开实施例涉及具有被背侧深沟槽隔离结构围绕的光学二极管的互补式金属－氧化物－半导体影像传感器及相关形成方法。在一些实施例，多个像素区是置于基底中且分别具有光学二极管。背侧深沟槽隔离结构是置于相邻的像素区间，从基底的背侧延伸至基底内部。背侧深沟槽隔离结构包括掺杂层与介电填充层，掺杂层顺着深沟槽的侧壁表面排列，介电填充层填充深沟槽的剩余空间。通过形成所公开的背侧深沟槽隔离结构，其功能是作为掺杂阱与隔离结构，简化了从基底的前侧进行的注入工艺，因此改善了曝光分辨率、光学二极管的电荷满载量及销接电压。
互补金属氧化物半导体影像传感器形成方法

[发明专利]垂直栅极场效晶体管器件及其形成方法-CN202110008411.5在审
发明人：陈春元;王俊智;曾晓晖;刘人诚;施俊吉;丁世泛;吴尉壮;江彦廷;廖家庆;陈彦瑜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。
垂直栅极晶体管器件及其形成方法

[实用新型]腰髋骨盆调整带-CN202020575651.4有效
发明人： 江彦廷 -专利权人：太极石科技有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： A61F5/05 文献下载
摘要：本实用新型为一种腰髋骨盆调整带，其为包括一腰髋骨盆调整带组及数矿石体，其数矿石体为分布容设于腰髋骨盆调整带组内，借由使用者穿戴该腰髋骨盆调整带组，进行使用者腰部及臀部提拉及束紧的功能，而矿石体由腰髋骨盆调整带组内释放出远红外线及共振频率，促进使用者下半身的血液循环，及骨盆与髋关节整复调整，使梨状肌及神经不被压迫，以达使用功能性及结构稳定性佳的功效。
髋骨调整

[发明专利]集成电路装置、制造其的方法以及半导体图像传感装置-CN202010519137.3在审
发明人： 江彦廷;王俊智;杨敦年;刘人诚;施俊吉;丁世泛;黄益民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：通过为反射器提供接地连接来解决降低图像传感装置(特别是近红外检测器)中的噪声的问题。反射器可通过将反射器耦合到衬底的接地区域的通孔来接地。衬底的接地区域可以是接近于衬底的表面形成的P+掺杂区域。具体来说，P+掺杂区域可以是光电二极管的部分。替代地，反射器可通过形成在衬底的前侧上方的金属内连线结构来接地。
集成电路装置制造方法以及半导体图像传感

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