专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]在涂布后研磨前切割-CN201280038320.5无效
  • G·黄;Y·金;R·吉诺;Q·黄 - 汉高知识产权控股有限责任公司
  • 2012-07-25 - 2014-08-20 - H01L21/56
  • 本发明涉及将半导体晶圆单体化成单个半导体裸片的方法,所述半导体晶圆的顶部表面具有金属预连接凸块,并具有设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层。所述方法包括:(A)提供半导体晶圆,其顶部表面具有金属预连接凸块的阵列和设置在所述金属预连接凸块上及周围的底部填充剂的涂层;(B)穿过所述金属预连接凸块之间的所述底部填充剂切割并切入所述半导体晶圆的所述顶部表面中至最终所需晶圆厚度,产生切割线;以及(C)从晶圆背侧除去晶圆材料至少至所述切割线的深度,从而由所述晶圆单体化得到的裸片。
  • 涂布后研磨切割

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