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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201880033268.1有效
发明人： D·B·法尔梅尔;唐建石;J·J·尤尔卡斯;汉述仁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及用于使用润湿层在具有缩放触点的n型碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)中增强驱动电流和增加器件产量的方法和所得结构。在本发明的一些实施例中，在衬底的表面上形成纳米管。在纳米管上形成绝缘层，使得纳米管的端部暴露。在纳米管的端部上形成低功函数金属，并且在低功函数金属和纳米管之间形成润湿层。
半导体器件

[发明专利]电池-CN201880032135.2有效
发明人： 汉述仁;D·B·法梅;D·吴;H·T·莫内;C·埃克根;E·埃克卡;G·德米西 -专利权人：国际商业机器公司;阿塞桑电子莎娜依和提卡瑞特有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01M12/08 文献下载
摘要：电池及其形成方法包括锂阳极、对锂离子和氧具有高溶解度的电解质以及在衬底上形成的薄石墨烯阴极。锂离子从锂阳极穿过电解质迁移，从而在薄石墨烯阴极的表面形成Li2O2。
电池

[发明专利]用均匀碳纳米管薄膜进行太赫兹检测和光谱分析-CN201780017029.2有效
发明人： A·法尔克;D·B·法默;汉述仁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：检测器及其形成方法包括将半导体碳纳米管平行排列在基板上以形成纳米管层(208)。将纳米管层中的排列的半导体碳纳米管切割成对应于检测频率的一致的长度(216)。在纳米管层的相对端形成金属触点(218)。
均匀纳米薄膜进行赫兹检测光谱分析

[发明专利]基于集成传感器实时监测的定点照护药物递送系统中的可控药物递送-CN201980032021.2在审
发明人：曹庆;汉述仁;唐建石;B·库玛 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： A61B5/053 文献下载
摘要：一种药物递送系统包括基底、设置在基底上的集成传感器、设置在基底上的药物递送元件、以及耦合到集成传感器和药物递送元件的控制单元。集成传感器包括设置在基底的第一表面上的第一电极和第二电极。药物递送元件包括设置在基底的第一表面上的贮存器、包围贮存器的热活性聚合物和设置在热活性聚合物上方的加热线圈。控制单元被配置成通过测量集成传感器的第一电极和第二电极之间的电压差来测量生物参数，并且响应于指示指定条件的所测量的生物参数而将触发信号施加到药物递送元件的加热线圈，以加热热活性聚合物，从而选择性地从贮存器释放药物。
基于集成传感器实时监测定点照护药物递送系统中的可控

[发明专利]多光谱等离子热成像装置-CN201880069716.3在审
发明人： A·法尔克;汉述仁;D·B·法梅;G·图勒弗斯基;A·阿弗扎利-阿达卡尼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：一种由计算机实现的方法和包括等离子体材料层和处理器的热成像设备。等离子体材料层接收来自物体的电磁辐射，并在多个波长下生成电磁辐射的辐射测量。处理器根据辐射测量确定物体的发射率和温度，并根据确定的发射率和温度形成物体的基于热的电子图像。
光谱等离子成像装置

[发明专利]基于磁性传感器的定量结合动力学分析-CN201610497391.1有效
发明人：王善祥;理查德·S.·加斯特;徐亮;汉述仁;罗伯特·威尔逊 -专利权人：小利兰·斯坦福大学托管委员会
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G01N27/74 文献下载
摘要：提供了定量地测定分子结合相互作用的结合动力学参数的方法。本方法的实施方案的方面包括：制备磁性传感器装置，所述磁性传感器装置包含与分析混合物接触的磁性传感器，所述分析混合物包含磁性标记的分子以产生可检测的分子结合相互作用；从所述磁性传感器中获取实时信号；以及由所述实时信号定量确定分子结合相互作用的结合动力学参数。还提供了被配置为用于所述方法的系统和试剂盒。
基于磁性传感器定量结合动力学分析

[发明专利]用于重置栅极晶体管中功函数调节的碳注入-CN201210383534.8有效
发明人：郭德超;汉述仁;黄洸汉;袁骏 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法，其包括提供具有半导体层并在所述半导体层上设置有绝缘体层的晶片。所述绝缘体层具有在其中设置的开口以暴露所述半导体层的表面，其中每个开口对应于将会成为设置在栅极堆叠下面的半导体层内的晶体管通道的位置。所述方法还包括沉积高介电常数栅极绝缘体层以覆盖所述半导体层的暴露表面和所述绝缘体层的侧面；在高介电常数栅极绝缘体层上面沉积栅极金属层；通过栅极金属层和下面的高介电常数栅极绝缘体层注入碳以在所述半导体层的上部形成碳注入区域，所述碳注入区域具有选定碳浓度以建立所述晶体管的电压阈值。
用于重置栅极晶体管函数调节注入

[发明专利]具有不对称栅极的垂直晶体管-CN201280048709.8有效
发明人：郭德超;袁骏;K·K·H·黄;汉述仁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管结构被形成为包含衬底以及位于所述衬底上方的源极、漏极和沟道，所述沟道被垂直地设置在所述源极与所述漏极之间。所述沟道被耦接至栅极导体，所述栅极导体经由栅极电介质材料层围绕所述沟道，所述栅极电介质材料层围绕所述沟道。所述栅极导体由具有第一功函数的第一导电材料和具有第二功函数的第二导电材料构成，所述第一导电材料围绕所述沟道的长度的第一部分，所述第二导电材料围绕所述沟道的长度的第二部分。还公开了一种制造所述晶体管结构的方法。可将所述晶体管结构表征为具有不对称栅极的垂直场效应晶体管。
具有不对称栅极垂直晶体管

[发明专利]具有扩展触头的碳纳米管晶体管-CN201480074465.X在审
发明人： 汉述仁;W·汉熙;J·B·汉农 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，包含沿着第一方向延伸以界定长度且沿着与第一方向垂直的第二方向延伸以界定高度的基板。该基板包含电介质层以及形成于电介质层上的至少一个栅极叠层。源极触头被形成于栅极叠层的第一侧的相邻处，并且漏极触头被形成于栅极叠层的相对第二侧的相邻处。碳纳米管形成于源极触头和漏极触头上。纳米管的第一部分形成源极。第二部分形成漏极。第三部分被置于源极和漏极之间，以界定沿第一方向延伸的栅极沟道。源极和漏极沿第二方向延伸，并具有比栅极沟道长的长度。
具有扩展纳米晶体管

[发明专利]具有混合沟道材料的场效应晶体管-CN201280061803.7有效
发明人：郭德超;汉述仁;E·W·基维拉;徐崑庭 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了在相同的CMOS电路中使用不同沟道材料的技术。在一个方面，制造CMOS电路的方法包括以下步骤。提供具有在绝缘体上的第一半导体层的晶片。STI被用于将第一半导体层划分为第一有源区和第二有源区域。凹陷在所述第一有源区中的第一半导体层。在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中所述第二半导体层包括具有至少一种Ⅲ族元素和至少一种Ⅴ族元素的材料。使用所述第二半导体层作为用于n-FET的沟道材料在所述第一有源区中形成所述n-FET。使用所述第一半导体层作为p-FET的沟道材料在所述第二有源区中形成所述p-FET。
具有混合沟道材料场效应晶体管

[发明专利]应用石墨烯的结构及其制造方法-CN201210552932.8无效
发明人： 汉述仁;曹庆 -专利权人： HCGT有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用石墨烯的结构及其制造方法，其中该方法包括：形成一石墨烯层于一金属层的一面；形成一保护层于该石墨烯层相对于该金属层的另一面，使该石墨烯层的位置介于该金属层与该保护层之间；将该保护层、该石墨烯层与该金属层设置于一基板的一面；自该石墨烯层移除该金属层；及形成一导电层于该石墨烯层相对于该保护层的一面。因此，本发明应用石墨烯的装置不仅能在转移时保护石墨烯不受到损坏，更可以藉由保护层的设置使该装置能够在滚动条式制程中承受来自滚轮的压力，以提升生产的效率。
应用石墨结构及其制造方法

[发明专利]片上解耦电容器、集成芯片及其制造方法-CN201310594462.6在审
发明人： D·B·法默;A·D·富兰克林;汉述仁;G·S·图勒夫斯基 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本发明涉及片上解耦电容器、集成芯片及其制造方法。公开了一种片上解耦电容器。一个或多个碳纳米管被耦合到所述电容器的第一电极。在所述一个或多个碳纳米管上形成介电肤层。在所述介电肤层上形成有金属涂层。所述介电肤层被配置为将所述一个或多个碳纳米管与所述金属涂层电隔离。
片上解耦电容器集成芯片及其制造方法

[发明专利]具有局部化底栅和栅极电介质的石墨烯或碳纳米管器件-CN201280026658.9有效
发明人：陈志宏;A·D·富兰克林;汉述仁;J·B·汉拿恩;K·L·萨恩格;G·S·土利维斯盖 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H03H11/46 文献下载
摘要：提供了具有基于纳米级材料的沟道（例如，碳纳米管或石墨烯沟道）的晶体管器件以及用于制造该器件的技术。在一个方面，提供了一种晶体管器件。该晶体管器件包括基底；基底上的绝缘体；嵌入绝缘体的局部底栅，其中该栅极的顶表面与绝缘体的表面基本共面；底栅上的局部栅极电介质；位于局部栅极电介质的至少一部分之上的碳基纳米结构材料，其中该碳基纳米结构材料的一部分用作所述器件的沟道；以及在所述沟道的相对两侧上与所述碳基纳米结构材料的一个或多个部分接触并用作所述器件的源区和漏区的导电源极和漏极接触部。
具有局部化底栅栅极电介质石墨纳米器件

[发明专利]具有平面功函数材料层的替代栅电极-CN201280035052.1在审
发明人：郭德超;汉述仁;黄洸汉;袁骏 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：在替代栅方案中，在栅极腔中的底面和侧壁表面上沉积连续材料层。去除所述连续材料层的垂直部分，以形成其垂直部分不延伸到所述栅极腔的顶部的栅极部件。所述栅极部件可以用作栅极电介质或功函数材料部分以形成增强替代栅场效应晶体管的性能的栅极结构。
具有平面函数材料替代电极

[发明专利]具有嵌入的栅电极的自对准碳电子装置-CN201280024107.9有效
发明人：郭德超;汉述仁;K·K·H·黄;袁骏 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种器件及器件制造方法包括在电介质衬底中形成（202）掩埋栅电极以及对在所述掩埋栅电极之上的包括高介电常数层、基于碳的半导电层和保护层的叠层进行构图（212）。对形成在所述叠层之上的隔离电介质层进行开口（216）以在与所述叠层相邻的区域中界定凹部。蚀刻所述凹部（218）以形成腔并且去除所述高介电常数层的一部分以在所述掩埋栅电极的相反侧暴露所述基于碳的半导电层。在所述腔中沉积导电材料（224）以形成自对准的源极区和漏极区。
具有嵌入电极对准电子装置

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