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[发明专利]光增感化学放大型抗蚀剂材料、图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、纳米压印用模板-CN202010075147.2有效
发明人： 永原诚司;田川精一;大岛明博 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供一种光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了该光增感化学放大型抗蚀剂材料的图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、以及纳米压印用模板。本发明的光增感化学放大型抗蚀剂材料用于二段曝光光刻工艺，且包含：(1)能够显影的基础成分；及(2)通过曝光产生光增感剂和酸的成分。上述成分仅含有(a)酸‑光增感剂产生剂、(b)光增感剂前体及(c)光酸产生剂这3种成分中的(a)成分，或者含有其中的任意2种成分，或者含有(a)～(c)成分的全部。
感化大型抗蚀剂材料图案形成方法半导体器件光刻用掩模纳米压印模板

[发明专利]光处理装置、涂敷、显影装置、光处理方法和存储介质-CN201711381750.8有效
发明人： 永原诚司;友野胜;福永信贵;白石豪介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在利用多个发光区块形成带状的照射区域来对基片进行光处理时，能够将照射区域的长度方向的照度分布模式容易地高精度地调节到目标照度分布模式的技术。按每个发光区块(42)事先取得将照射区域的长度方向的位置与驱动电流的变化量引起的照度的变化量相对应的照度分布模式分布图的变化量即照度分布响应量，并将其存储到存储部中。而且，设置有运算处理部，其为了使照射区域的当前的长度方向的照度分布模式接近目标照度分布模式，基于发光区块(42)各自当前的电流指令值和存储于各发光区块的上述照度分布模式的变化量，求取(推算)各发光区块的电流指令值。
处理装置涂敷显影方法存储介质

[发明专利]改性噻吨酮光引发剂-CN202180009441.6在审
发明人：克里斯托弗·沃尔;丁聪奎;永原诚司 -专利权人：林特弗德有限公司;东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C07D335/16 文献下载
摘要：本发明描述了潜伏性的光引发剂化合物，以及含有这些化合物的组合物以及它们在用于生产结构化光刻胶的光引发方法中的用途。
改性噻吨酮光引发

[发明专利]曝光装置和曝光方法-CN202111186912.9在审
发明人： 永原诚司;友野胜;福永信贵;白石豪介;岭川幸江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供曝光装置和曝光方法。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域相对地旋转；载置部用移动机构(36)，其使载置部相对于照射区域前后相对地移动。然后，使基片相对于形成第一照度分布的照射区域相对地旋转，以将基片的整个表面曝光。另外，在基片的旋转停止的状态下使该基片相对于形成第二照度分布的照射区域在前后方向相对地移动，以将基片的整个表面曝光。
曝光装置方法

[发明专利]曝光装置、曝光方法和存储介质-CN201711144518.2有效
发明人： 永原诚司;友野胜;福永信贵;白石豪介;岭川幸江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种在曝光基片的整个表面的曝光装置中，能够高精度地控制基片的面内的各部的曝光量的技术。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域相对地旋转；载置部用移动机构(36)，其使载置部相对于照射区域前后相对地移动。然后，使基片相对于形成第一照度分布的照射区域相对地旋转，以将基片的整个表面曝光。另外，在基片的旋转停止的状态下使该基片相对于形成第二照度分布的照射区域在前后方向相对地移动，以将基片的整个表面曝光。
曝光装置方法存储介质

[发明专利]光处理装置和基板处理装置-CN201711305669.1有效
发明人：守屋光彦;友野胜;嶋田谅;早川诚;永原诚司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来，在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时，不对晶圆进行曝光，并且，保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此，将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。
处理装置

[发明专利]光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了其的图案形成方法、以及半导体器件、光刻用掩模和纳米压印用模板的制造方法-CN201580009168.1有效
发明人： 永原诚司;田川精一;大岛明博 -专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：本发明提供一种光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了该光增感化学放大型抗蚀剂材料的图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、以及纳米压印用模板。本发明的光增感化学放大型抗蚀剂材料用于二段曝光光刻工艺，且包含：(1)能够显影的基础成分；及(2)通过曝光产生光增感剂和酸的成分。上述成分仅含有(a)酸‑光增感剂产生剂、(b)光增感剂前体及(c)光酸产生剂这3种成分中的(a)成分，或者含有其中的任意2种成分，或者含有(a)～(c)成分的全部。
感化大型抗蚀剂材料使用图案形成方法以及半导体器件光刻用掩模纳米压印模板

[发明专利]曝光装置、曝光装置的调整方法以及存储介质-CN201711142462.7在审
发明人：守屋光彦;友野胜;嶋田谅;早川诚;永原诚司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种曝光装置、曝光装置的调整方法以及存储介质。在对基板的表面整体曝光的曝光装置中，能够对基板面内的各部以适当的曝光量进行曝光。曝光装置具备：载置部，其用于载置基板；多个光照射部，所述多个光照射部分别独立地向所述基板的表面的左右方向上的互不相同的位置照射光来形成从所述基板的表面的一端至另一端的带状的照射区域；载置部用移动机构，其使所述载置部相对于所述照射区域沿前后方向相对地移动以对所述基板的表面整体曝光；以及受光部，其以在该照射区域的一端部与另一端部之间移动的方式接收光以检测所述照射区域的长边方向上的照度分布。通过这种结构，能够防止因所述照度分布异常而导致基板的各部的曝光量异常。
曝光装置照射区域基板存储介质光照射部照度分布对基板曝光量载置部曝光前后方向移动机构载置基板接收光受光部照射光移动长边检测

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