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[发明专利]具有相等栅极堆叠厚度的垂直传输晶体管-CN201880026997.4有效
发明人：鲍如强;李忠贤;徐铮;毕振兴 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体器件及其形成方法包括在第一类型区域和第二类型区域中的底部源极/漏极层上形成垂直半导体沟道。栅极介电层形成在垂直半导体沟道的侧壁上。在第一类型区域中形成第一类功函数层。在第一类型区域和第二类型区域中形成第二类功函数层。在第二类型区域中形成厚度匹配层，使得第一类型区域中的层堆叠具有与第二类型区域中的层堆叠相同的厚度。顶部源极/漏极区域形成在垂直沟道的顶部部分上。
具有相等栅极堆叠厚度垂直传输晶体管

[发明专利]垂直传输鳍场效应晶体管的底部介电隔离方法-CN201880008882.2有效
发明人： S·梅赫塔;B·普拉纳萨蒂哈伦;毕振兴;T·德瓦拉詹;M·桑卡拉潘迪安 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种垂直传输鳍场效应晶体管(VT FinFET)，包括衬底的表面上的一个或多个垂直鳍；在衬底上的L形或U形间隔槽，邻接所述一个或多个垂直鳍中的至少一个；和栅极介电层，位于所述一个或多个垂直鳍的至少一个和所述L形或U形间隔槽的侧壁上。
垂直传输场效应晶体管底部隔离方法

[实用新型]一种大气定量自动采样仪-CN202221865436.3有效
发明人： 毕振兴;张良;崔晓哲 -专利权人： 毕振兴
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01N1/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种大气定量自动采样仪，涉及大气检测领域，包括容器本体、储气机构以及负压机构，储气机构与容器本体的开口处螺纹配合，储气机构包括可收缩的气囊件、向下倒扣的盖体组件以及单向气阀，工作人员将储气机构螺纹密封连接在容器本体的上部，此时储气机构的气囊件处于收缩状态；设定时间时，负压机构快速抽取容器本体内的气体，随着气囊件外壁与容器本体内壁之间的气体抽出，使得容器本体内的气压小于外界大气压，外界空气顺着单向气阀进入气囊件内，进而实现定时、定量且自动地采集待检测的大气，有效取代人工采样，操作简单、便捷；该采样仪呈圆柱体结构，体型类似水杯，便于携带，实用性强。
一种大气定量自动采样

[发明专利]高白高纯轻质碳酸钙的制备方法-CN202210599911.5在审
发明人： 毕振兴;李冠韬;赵章;杜宇;花婷;许坤;许会成;董德英;张马利;陈志勇 -专利权人：河北立信新材料科技有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C01F11/18 文献下载
摘要：本发明提供一种高白高纯轻质碳酸钙的制备方法，属于纳米材料制备技术领域，所述制备方法是取氢氧化钙悬浮液加入次胺基三乙酸二钠和六偏磷酸钠组成的分散剂，通入二氧化碳气体进行第一次碳化反应，并在反应体系pH值降至8.5~9.0时，进行超声后，再次通入二氧化碳进行第二次碳化反应，反应体系pH值为7.0~7.5时，停止第二次碳化反应，所得料浆经脱水、干燥、粉碎、筛分后，制得所述高白高纯轻质碳酸钙。本发明通过控制纳米碳酸钙的制备过程，获得了具有亚微米纺锤形晶型结构的碳酸钙；所得碳酸钙晶型结构均匀，粒径为亚微米级、粒度分布相对较窄，无聚集。
高纯碳酸钙制备方法

[发明专利]橡胶专用轻质碳酸钙的制备方法-CN202210167612.4在审
发明人：李冠韬;毕振兴;赵章;杜宇;花婷;许坤;许会成;董德英;张马利;陈志勇 -专利权人：河北立信新材料科技有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C01F11/18 文献下载
摘要：本发明提供一种橡胶专用轻质碳酸钙的制备方法，属于纳米材料制备技术领域，所述制备方法是取氢氧化钙悬浮液加入油酸铵，通入二氧化碳气体进行第一次碳化反应，并在反应体系pH值降至9.5~10.0时，进行高速剪切，然后加入炭黑，再次通入二氧化碳进行第二次碳化反应，反应体系pH值为7.0~7.5时，停止第二次碳化反应，所得料浆经脱水、干燥、粉碎、筛分后，制得所述橡胶专用轻质碳酸钙。本发明通过控制纳米碳酸钙的制备过程，获得了具有链状晶型结构的碳酸钙，并在碳酸钙表面形成炭黑层，获得与橡胶具有良好相容性的活性表层；同时，这种表面具有炭黑层的链状碳酸钙，表面能有所降低，不易发生团聚，比表面积明显增大，分散性良好。
橡胶专用碳酸钙制备方法

[发明专利]垂直FET栅极长度控制技术-CN201980008379.1在审
发明人：刘其俊;杨振荣;R.H.K.赵;毕振兴;K.施密特;Y.米格诺特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了用于VFET栅极长度控制的技术。在一个方面，一种形成VFET器件的方法包括：在衬底中图案化鳍片；缘着所述鳍片的相对侧壁形成第一聚合物隔离物；通过所述第一聚合物隔离物形成与所述鳍片偏置的第二聚合物隔离物；去除对所述第二聚合物隔离物有选择性的所述第一聚合物隔离物；使所述第二聚合物隔离物回流以闭合与所述鳍片的间隙；在所述第二聚合物隔离物上方形成覆层；去除所述第二聚合物隔离物；沿着暴露于所述底部隔离物和所述覆层之间的所述鳍片的相对侧壁形成栅极，其中所述栅极具有通过去除所述第二聚合物隔离物而设定的栅极长度Lg；在所述覆层上方形成所述顶部隔离物；在所述顶部隔离物上方形成顶部源极和漏极。还提供了VFET器件。
垂直 fet 栅极长度控制技术