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[发明专利]一种快速检测掺杂无机闪烁体掺杂元素含量分布的方法-CN202310295085.X在审
发明人： 殷子昂;郭士轩;蔡卓辰;张香港;刘珂静;康哲;赵清华;王涛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01N21/39 文献下载
摘要：本发明提供一种快速检测掺杂无机闪烁体掺杂元素含量分布的方法，解决现有掺杂闪烁体掺杂元素含量测试过程具有破坏性以及费时昂贵的技术问题。本发明利用掺杂无机闪烁体中掺杂元素具有特征的紫外吸收峰，且掺杂元素含量与晶体对应波长位于特征吸收峰吸收边的激光的吸收系数线性相关这一特点，通过对掺杂无机闪烁体采用特定波长的激光扫描成像，可以实时获得掺杂元素分布图片，从图片中提取透过率并转化为线吸收系数，与建立的激活剂浓度‑吸收系数标准定量曲线对应，即可获得掺杂元素含量。
一种快速检测掺杂无机闪烁元素含量分布方法

[发明专利]一种使用移动加热器法生长高质量CLLB晶体的方法-CN202210064013.X有效
发明人：张香港;蔡卓辰;殷子昂;王涛;赵清华 -专利权人：西北工业大学深圳研究院;西北工业大学
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提出一种使用移动加热器法生长高质量Cs2LiLaBr6晶体的方法，依据Cs2LaBr5‑LiBr相图，分别制备了符合CLLB计量比的致密多晶料、可以直接析出CLLB晶体比例的溶剂区致密多晶料，之后利用符合CLLB计量比的致密多晶料和溶剂区致密多晶料，通过调整出特定的温场形状令只有溶剂区多晶料融化，熔体扩散和对流中使得符合CLLB计量比的多晶料在溶解界面溶解，然后在生长界面析出，采用THM法，随着炉体和晶体的相对移动，溶剂区缓慢的上移，最终全部符合CLLB计量比的多晶料融化通过溶剂区并在生长界面析出结晶，生长出结晶质量良好的CLLB单晶体。本发明可以使熔体始终维持在可以析出CLLB晶体的比例，又能避免熔区溶质浓度降低导致的结晶界面失稳，提高LiBr的利用率。
一种使用移动加热器生长质量 cllb 晶体方法

[实用新型]一种低波长闪烁晶体封装结构-CN202223109360.4有效
发明人：王涛;金堋;张香港;康哲;殷子昂;刘珂静;赵清华 -专利权人：西北工业大学深圳研究院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本实用新型提出一种低波长闪烁晶体封装结构，包括由多种反射层包裹低波长闪烁晶体形成的第一预构件，由光学窗口与封装外壳密封结合固定形成的第二预构件，以及封装底盖；第一预构件中的低波长闪烁晶体出光面与所述第二预构件中的光学窗口之间填充有光耦合剂，组合形成第三预构件；第三预构件中的封装外壳底部与封装底盖密封连接后，形成完整封装结构。光学窗口采用远紫外光学JGS1石英玻璃；第一反射层采用聚四氟乙烯带，第二反射层采用铝制胶带，第三反射层采用紧密填充的氧化镁粉末。本实用新型结构简单、制作容易，能够满足低波长闪烁晶体在室温条件下使用需求，减少外界环境对探测过程的影响，维持闪烁体探测器的性能与延长低波长闪烁晶体的使用寿命。
一种波长闪烁晶体封装结构

[实用新型]一种基于叠层碲锌镉的高能质子探测探头-CN202222593678.8有效
发明人：王涛;邢雨晗;殷子昂;赵清华;查刚强 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于叠层碲锌镉的高能质子探测探头，探头由静电屏蔽层，以及5个探测单元排列而成，探测单元的电极结构为半球形，阴极为侧面和底面，阳极为顶面，每个探测单元连接一个前置放大电路，每个前置放大电路连接相加电路，探头的能量分辨率、电荷收集效率、工作效率提高，为空间辐射环境监测提供依据。
一种基于叠层碲锌镉高能质子探测探头

[实用新型]一种基于碲锌镉的低能质子探测探头-CN202222594576.8有效
发明人：王涛;邢雨晗;殷子昂;赵清华;查刚强 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于碲锌镉的低能质子探测探头，探头由能量衰减层，静电屏蔽层，探测层，以及电子学部分组成，其中探测层的电极结构为半球形，阴极为侧面和底面，阳极为顶面。该结构可实现低能质子的探测，且能量分辨率高，寿命长，信号收集效率高，可为空间环境探测积累数据，从而为航天器的设计与防护提供依据。
一种基于碲锌镉低能质子探测探头

[发明专利]基于碲锌镉的低能质子探测探头的设计方法及探测方法-CN202211201131.7在审
发明人：王涛;邢雨晗;殷子昂;赵清华;查刚强 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碲锌镉的低能质子探测探头的设计以及探测方法，可通过能量屏蔽材料将高能粒子进行能量衰减，实现碲锌镉探测器对低能粒子的探测，属于空间粒子测量技术领域。所述方法步骤如下：(1)碲锌镉探头的静电屏蔽材料的筛选；(2)通过蒙特卡洛算法的SRIM软件包中的TRIM模块进行能量屏蔽层的选择与尺寸的计算；(3)通过有限元软件Comsol Multiphysics中的AC/DC静电模块进行碲锌镉探测器的电极结构与尺寸的模拟计算；(4)低能质子的探测。所述方法可实现对低能质子进行探测，且能量分辨率高，测量结果准确，方法切实可行，可为空间探测活动服务。
基于碲锌镉低能质子探测探头设计方法

[发明专利]基于叠层碲锌镉的高能质子探测探头的设计方法以及探测方法-CN202211202167.7在审
发明人：王涛;邢雨晗;殷子昂;赵清华;查刚强 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明公开了基于叠层碲锌镉的高能质子探测探头的设计方法以及探测方法，具体涉及能量为100Mev的质子探测，属于空间粒子测量技术领域。所述方法步骤如下：(1)叠层碲锌镉探头的静电屏蔽材料的筛选；(2)通过蒙特卡洛算法的SRIM软件包中的TRIM模块进行叠层碲锌镉半导体的层数以及尺寸计算；(3)通过有限元软件ComsolMultiphysics中的AC/DC静电模块进行叠层碲锌镉探测器的电极结构与尺寸的模拟计算；(4)通过每一层碲锌镉探测器与一个前置放大器连接，再将信号输入到相加电路中进行信号的叠加，再通过主放大器、多道、计算机进行能谱的采集。所述方法可实现对高能质子进行探测，且能量分辨率高，测量结果准确，方法切实可行，可为空间探测活动服务。
基于叠层碲锌镉高能质子探测探头设计方法以及

[发明专利]一种液封熔体法生长锑化铝晶体的方法-CN202011332058.8有效
发明人： 殷子昂;张香港;刘珂静;王涛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种锑化铝晶体液封熔体法生长方法，将氯化锂作为液封剂放入热解氮化硼坩埚中，高纯铝和高纯锑置于氮化硼坩埚中，氮化硅坩埚整体放入石英坩埚中，抽真空并使用氢氧焰焊接，然后升温到液封剂熔点，使液封剂包覆铝和锑，再升温到锑化铝熔点以上保温，使熔体均匀化，最后采用布里奇曼法生长，通过液封熔体法获得大尺寸单晶。本方法实现生长过程中液封剂包覆熔体，避免锑化铝生长过程中元素损失，实现锑化铝晶体与氮化硼坩埚之间无接触生长，抑制侧壁形核，并且生长结束后液封剂LiCl较LiCl‑KCl更容易被无水乙醇去除，使锑化铝晶锭易脱模，使氮化硼坩埚可以重复使用，降低成本，制备的锑化铝晶体，无明显包裹物存在，晶粒尺寸大于5×5mm2。
一种液封熔体法生长锑化铝晶体方法

[发明专利]一种合成锑化铝多晶材料工艺的装置及合成方法-CN202011265992.2有效
发明人： 殷子昂;张香港;刘珂静;王涛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种合成锑化铝多晶材料工艺的装置及合成方法，将高纯锑与高纯铝装入氮化硅陶瓷坩埚，覆盖石墨垫片嵌套于石英坩埚中，石墨垫片与氮化硅陶瓷坩埚上表面之间存在气隙，在抽真空时不影响氮化硅陶瓷坩埚内达到高真空；抽真空后，焊接石英塞与石英坩埚，最后在可倾斜旋转管式炉旋转合成，实现单相锑化铝在小空腔坩埚中不外加补偿的合成，合成过程元素不损失。该工艺装置中氮化硅陶瓷坩埚在高温下不与锑化铝熔体反应，抑制锑元素蒸发，防止外石英坩埚吸附铝元素反应破裂的效果，保证合成过程中熔体组分不损失，并且在高温下石墨垫片具有吸附残余氧的效果。合成的锑化铝多晶料具有单相成分均匀的特征。
一种合成锑化铝多晶材料工艺装置方法

[发明专利]一种利用室外低温环境的风洞预冷装置-CN202110679288.X在审
发明人：范峰;张清文;莫华美;张国龙;殷子昂 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01M9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用室外低温环境的风洞预冷装置，属于建筑雪荷载领域。风洞预冷装置安装在风洞的过渡段，其中，风洞预冷装置包括进风管道和出风管道，进风管道和出风管道均连通风洞内部与外界空气。本发明提出了一种利用室外低温环境的风洞预冷装置，可以因地制宜地利用寒冷地区冬季的室外低温环境，对风洞进行预冷，其成本相比于现有其它类似设备的预冷方式成本大大减低，经初步测算，每次试验可降低用电量约1200Kw·h。
一种利用室外低温环境风洞预冷装置

[实用新型]一种合成锑化铝多晶材料工艺的装置-CN202022612467.5有效
发明人： 殷子昂;张香港;刘珂静;王涛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种合成锑化铝多晶材料工艺的装置，包括石英塞、石墨垫片、氮化硅陶瓷坩埚和石英坩埚；氮化硅陶瓷坩埚置于石英坩埚内，石墨垫片位于氮化硅陶瓷坩埚上端口，石英塞置于石墨垫片2上方，且置于石英坩埚内，石英塞与石英坩埚通过氢氧焰焊接。本发明装置中氮化硅陶瓷坩埚在高温下不与锑化铝熔体反应，同时通过石墨垫片实现氮化硅陶瓷坩埚密封效果，在氮化硅坩埚中形成密闭体系，实现抑制锑元素蒸发，以及防止外石英坩埚吸附铝元素反应破裂的效果，保证合成过程中熔体组分不损失，并且在高温下石墨垫片具有吸附残余氧的效果。
一种合成锑化铝多晶材料工艺装置

[发明专利]一种通过反应性气体除H2-CN202010197973.4有效
发明人： 殷子昂;张香港;杨帆;孙茂钧;王涛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种通用的原料除水提纯方法及装置，用以解决现有晶体行业高纯原料中普遍存在的水污染问题。该方法以高纯4N～6N金属或卤素化合物为待提纯原材料，置于本发明提供的以毛细管连接的坩埚结构上部分，再将上述坩埚结构转接固定至气路和炉体中，通入保护性气氛，加热炉体使待处理原料融化，接入卤素族或硅烷族化合物反应性气体至熔体处，使熔体中的H2O与反应性气体充分反应，生成惰性物质及尾气并随保护性气氛排出，待反应结束后，调节气体流速将熔体挤落至下坩埚中并封管。由于待处理原料中的H2O与反应性气体在高温熔体状态下充分反应，所述原料中的H2O含量下降1‑2个数量级，可有效减少坩埚和晶体的润湿效应，显著提高相应晶体的光电性能。
一种通过反应性气 base sub

[发明专利]一种多坩埚生长闪烁晶体籽晶的方法-CN202010197966.4在审
发明人：张香港;殷子昂;杨帆;王涛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公布了一种多坩埚生长闪烁晶体籽晶的方法，该方法在将原料按照一定比例放置于多支特制石英坩埚中，抽真空后封接坩埚，上述坩埚的内径与所需籽晶尺寸一致，可以自发形核生长闪烁体晶体，使用特制的支撑结构将上述坩埚一起放入晶体生长设备中进行生长，最后取出晶体后沿径向切割打磨即可得到所需的晶体籽晶。由于生长出的晶体直径与所需籽晶相同，只需沿径向切割至所需长度，并简单加工切割面即可作为籽晶使用，工艺简单，原料利用率高。使用本方法生产的闪烁晶体籽晶成品率高达80‑95％；籽晶质量优良，通透光洁，无明显包裹物存在，能量分辨率高；多坩埚共同生长有效提升籽晶生产效率，降低生产成本。
一种坩埚生长闪烁晶体籽晶方法

[发明专利]基于二维硒化镓材料场效应晶体管制备方法-CN201711177574.6有效
发明人：王涛;李洁;赵清华;张颖菡;殷子昂;王维;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维硒化镓材料场效应晶体管制备方法，用于解决现有场效应晶体管制备方法制备效率低的技术问题。技术方案是在显微镜与三维对准‑转移平台下，借助于PDMS将材料转移到硅衬底上，能够有效避免残胶对器件的影响，使用碳纤维和PDMS自制掩膜板，然后蒸镀上金属电极，能够制备出4‑7μm左右的平直沟道，便于将尺寸较小的材料(≥10μm)制备成场效应晶体管。该二维GaSe场效应晶体管制备方法操作简单、成本低、方便快捷，对材料无损伤，提高了场效应晶体管制备效率。
基于二维硒化镓材料场效应晶体管制备方法

[发明专利]碲镓银单晶体的制备方法-CN201610137496.6有效
发明人：王涛;代书俊;赵清华;殷子昂;陈炳奇;李洁;王维;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镓银单晶体的制备方法，用于解决现有碲镓银晶体的方法实用性差的技术问题。技术方案是首先将高纯原料碲镓银加热到银的熔点，使碲镓银三种原料充分熔化反应，转动炉体使反应充分进行，之后以一定的速率降温到凝固点，断开炉体开关，以炉冷速率降温到室温。然后将合成的多晶料放入布里奇曼法生长炉中，以一定的加热，并过热保温一段时间后，在温场为10‑15℃/cm，结晶温度为712℃处开始生长，生长完成后在670‑680℃停留一段时间，进行原位退火，之后以5℃/h的冷却速率降到室温。由于采用加热到银的熔点温度来实现多晶料的合成，生长单晶时采用10‑15℃/cm的温场，成分过冷促进了碲镓银单晶的生长。
碲镓银单晶体制备方法

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