专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种封装场效应管的内部引线结构-CN201020566724.X无效
  • 段康胜 - 宁波明昕微电子股份有限公司
  • 2010-10-15 - 2011-06-29 - H01L23/49
  • 本实用新型涉及一种封装场效应管的内部引线结构,包括焊接在场效应管内部的芯片金属表面上的三根键合线,其特征在于:所述三根键合线中与芯片的源极相连的两根键合线采用铝线焊接,与芯片的门极相连的键合线采用金线焊接。与现有技术相比,本实用新型的优点在于:通过将与芯片的门极相连的键合线采用金线代替铝线,金线的直径最小可以做到1mils,不仅能有效缩小芯片面积,还能保证键合线的电性能,芯片面积缩小了,产品整体成本不会受到影响。
  • 一种封装场效应内部引线结构
  • [实用新型]一种半导体的封装结构-CN200920119213.0无效
  • 段康胜 - 宁波明昕微电子股份有限公司
  • 2009-05-05 - 2010-04-14 - H01L25/04
  • 本实用新型涉及一种半导体的封装结构,其特征在于:包括金属衬底,该金属衬底的表面上焊接有一陶瓷片,该陶瓷片的表面上焊接有相互分隔的由金属材质制成的第一芯片粘接片和第二芯片粘接片,第一芯片粘接片上设置有第一外接电极端,第二芯片粘接片上设置有第二外接电极端,一悬空的与第一外接电极端、第二外接电极端并排设置的第三外接电极端,第一半导体芯片的背面粘接在第一芯片粘接片的表面上,第二半导体芯片的背面粘接在第二芯片粘接片的表面上,第一半导体芯片的正面通过导电线与第二芯片粘接片的表面相连,第二半导体芯片的正面通过导电线与第三外接电极端相连。采用这种封装结构的半导体具有较好的功率和较好的散热性。
  • 一种半导体封装结构
  • [实用新型]一种T0220F外形三极管产品的封装结构-CN200920121158.9无效
  • 段康胜 - 宁波明昕微电子股份有限公司
  • 2009-05-27 - 2010-03-03 - H01L25/07
  • 本实用新型涉及一种T0220F外形三极管产品的封装结构,包括金属衬底(1)和三个并排设置的外接电极端(2、3、4),这三个外接电极端中第一外接电极端(2)与所述金属底板(1)相电连接,而第二外接电极端(3)与第三外接电极端(4)与金属底板(1)之间保持不连接的悬空设置状态,其特征在于:金属衬底(1)的表面上设置有相互分隔的第一芯片粘接区(11)和第二芯片粘接区(12),并且第一芯片粘接区(11)和第二芯片粘接区(12)表面上设置有密集的呈点阵型分布的凹点,第一三极管芯片(5)、第二三极管芯片(6)的背面分别粘接在第一芯片粘接区(11)和第二芯片粘接区(12)的表面上,第一三极管芯片(5)和第二三极管芯片(6)的正面分别通过导电线与第二外接电极端(3)、第三外接电极端(4)相连。
  • 一种t0220f外形三极管产品封装结构

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