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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种高导热氮化硅陶瓷基片的制备方法-CN202210605665.X有效
发明人：张景贤;段于森;吴炜炜 -专利权人：浙江多面体新材料有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种高导热氮化硅陶瓷基片的制备方法，包括：（1）以硅粉/氮化硅粉体作为原料，与烧结助剂混合后，得到混合粉体；（2）将所得混合粉体分散在含有分散剂的溶剂中，再加入粘结剂和塑性剂并混合，得到混合浆料；（3）将所得混合浆料进行喷雾造粒，得到造粒粉体；（4）将所得造粒粉体装入干袋式等静压机的模具并放入干袋式等静压机中压制成型，再经脱模，得到基片素坯；（5）将脱模后的基片素坯进行烘干、真空脱粘、氮化处理和烧结，得到所述高导热氮化硅陶瓷基片。
一种导热氮化陶瓷制备方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷多孔流延膜在用作锂离子电池隔膜中的应用-CN202111524657.4在审
发明人：张景贤;张桢祺;孔乐川;段于森;戴金荣 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海市文来中学;上海市曹杨第二中学附属学校
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅陶瓷多孔流延膜在用作锂离子电池隔膜中的应用。所述氮化硅陶瓷多孔流延膜的孔径小于200nm，优选为小于100nm，孔隙率为40～60%，厚度为0.05～0.2mm，抗弯强度为100～150MPa。
一种氮化陶瓷多孔流延膜用作锂离子电池隔膜中的应用

[发明专利]一种高热导率低电阻率氮化硅陶瓷的制备方法-CN202310284174.4在审
发明人： 段于森;张景贤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明提供了一种高热导率低电阻率氮化硅陶瓷的制备方法，将40～71wt％的氮化硅粉体、25～50wt％的二氧化钛、4～10wt％的烧结助剂和氮化硅粉体重量0～2％的有机碳源均匀混合、干燥、过筛后压制成型，得到陶瓷素坯；将陶瓷素坯在400～900℃焙烧处理0.5～2小时；在1450～1650℃保温处理2～4h后升温至1850～1950℃气压烧结0.5～12小时，得到氮化硅陶瓷。本发明的技术方案工艺简单稳定，条件易于控制，可得到力学性能优异，具有低电阻率的高热导率氮化硅陶瓷。
一种高热导率低电阻率氮化陶瓷制备方法

[发明专利]一种橙色系/黄色系氮化硅陶瓷及其制备方法和应用-CN202211173048.3有效
发明人：张景贤;刘宁;李哲;周泊岸;段于森 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B35/596 文献下载
摘要：本发明涉及一种橙色系/黄色系氮化硅陶瓷及其制备方法和应用。所述橙色系/黄色系氮化硅陶瓷由作为主晶相的β‑氮化硅、作为次晶相的核壳结构及晶界玻璃相组成；所述核壳结构包含着色离子‑镧系离子，成为氮化硅陶瓷的主要显色基团；所述晶界玻璃相的组成为Eu/Y/Mg‑Si‑Al‑O‑N。本发明制备的橙色系/黄色系氮化硅陶瓷解决了氮化硅颜色单一且颜色单调的问题，同时制备方法简单，工艺易控，适于规模化生产。
一种橙色色系氮化陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种易烧结高纯氮化硅粉体的制备方法-CN202210457297.9有效
发明人：张景贤;段于森 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/587 文献下载
摘要：本发明涉及一种易烧结高纯氮化硅粉体的制备方法，包括：（1）将硅粉、有机碳源和发泡剂加入到有机溶剂中并混合，得到混合浆料；（2）将所得混合浆料干燥过筛并松装平铺于氮化硅坩埚内，先置于排胶炉中进行低温真空热处理，再置于氮气反应炉中进行氮化处理，最终经破碎和研磨，得到所述易烧结高纯氮化硅粉体。
一种烧结高纯氮化硅粉体制备方法

[发明专利]一种绿色氮化硅手机背板材料-CN202110277334.3有效
发明人：张景贤;马瑞欣;段于森;李兴邦;刘宁;戴金荣 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种绿色氮化硅手机背板材料，所述绿色氮化硅手机背板材料是以硅粉或硅粉和氮化硅粉、绿色着色剂以及烧结助剂作为原料，再经混合、成型和烧结后得到；所述氮化硅粉体或/和硅粉的质量按照换算成氮化硅粉体、绿色着色剂以及烧结助剂的质量比为（78～94.5）：（0.5～10）：（5～12）。
一种绿色氮化手机背板材料

[发明专利]一种氮化硅/钨高温共烧陶瓷基板的制备方法-CN202211172774.3在审
发明人：张景贤;王铃沣;段于森 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅/钨高温共烧陶瓷基板的制备方法，包括：（1）以硅粉/氮化硅粉作为原料粉体，稀土氧化物和碱土金属氧化物作为复合烧结助剂，与溶剂进行一次球磨混合，再加入塑性剂和粘结剂进行二次球磨，最后经真空脱泡，得到混合浆料；（2）采用流延成型设备将混合浆料流延成型，制备得到生料带；（3）以金属W浆料作为印刷导电浆料，通过丝印机在流延膜上绘制导电图形，待干燥后，得到印刷有导电图形的生料带；（4）将所得印刷有导电图形的生料带经切割、叠层后得到需要厚度的氮化硅膜片，再经真空脱粘和气压烧结，得到氮化硅/钨高温共烧陶瓷。
一种氮化高温陶瓷制备方法

[发明专利]一种氮化硅镁超长纳米线和纳米带的制备方法-CN202210073687.6有效
发明人： 段于森;张景贤;吴炜炜 -专利权人：浙江多面体新材料有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅镁超长纳米线和纳米带的制备方法，所述MgSiN2纳米线材料的制备方法包括：以总配料质量100%计，取96～50%的硅粉体与4～50%的氧化镁粉体作为原料，同时加入有机粘结剂均匀混合，研磨、干燥、过筛后得到混合陶瓷粉体；将所述混合陶瓷粉体压制成型，制得陶瓷素坯；将陶瓷素坯低温排胶后置于氮化硼坩埚中，在1380～1450℃下进行氮化反应，在坩埚内表面得到所述MgSiN2超长纳米线和纳米带。
一种氮化超长纳米制备方法

[发明专利]一种采用单一烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法-CN201711001865.X有效
发明人：张景贤;段于森;李晓光 -专利权人：浙江多面体新材料有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用单一烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法，包括：以总配料质量100%计，将氮化硅粉体95～70%、烧结助剂5～30%均匀混合，得到混合粉体，所述烧结助剂为MgTiO3、Mg2TiO4和MgTi2O5中的一种；将所得的混合粉体成型，得到陶瓷素坯；将所得的陶瓷素坯置于烧结炉中在1600～1800℃的温度条件下常压烧结，得到致密氮化硅陶瓷。该烧结助剂有利于获得更加均匀的显微结构，使得TiN弥散分布在氮化硅基体中，从而进一步提高了材料的力学性能。
一种采用单一烧结助剂常压制备致密氮化陶瓷方法

[发明专利]一种硅粉流延成型制备高导热氮化硅陶瓷基片的方法-CN202210605677.2在审
发明人：张景贤;段于森;吴炜炜 -专利权人：浙江多面体新材料有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅粉流延成型制备高导热氮化硅陶瓷基片的方法，包括：（1）以硅粉作为原料粉体，以氧化镁、氧化钙中的至少一种作为烧结助剂A，以稀土氧化物中的一种作为烧结助剂B，以氧化锆、氧化钛和氧化铪中至少一种作为烧结助剂C，加入到含有分散剂的溶剂中，再加入粘结剂和塑性剂并混合，得到混合浆料；（2）将混合浆料在10～300Pa真空度下脱泡5～60分钟后，采用流延成型设备流出厚度为50～1000微米的生料带；（3）将所得生料带经切割、叠层后得到需要厚度的氮化硅基片坯体，再经真空脱粘、氮化处理和烧结，得到高导热氮化硅陶瓷基片。
一种硅粉流延成型制备导热氮化陶瓷方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷基片的制备方法-CN202210437896.4在审
发明人：张景贤;戴金荣;段于森 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C04B35/596 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅陶瓷基片的制备方法，包括：（1）将氮化硅粉、硅粉中至少一种的原料粉体、烧结助剂加入到含有分散剂的溶剂中并进行球磨混合，然后加入粘结剂和塑性剂，继续球磨混合，再经真空脱泡，得到混合浆料；所述粘结剂为聚碳酸亚丙酯，加入量为原料粉体和烧结助剂总质量的1～20 wt%；（2）使用流延成型设备将所得混合浆料制成生瓷片；（3）将多个生瓷片经切割和叠层后得到所需厚度的氮化硅素坯；（4）将所得氮化硅素坯进行脱粘和气压烧结，得到所述氮化硅陶瓷基片。
一种氮化陶瓷制备方法

[发明专利]一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法-CN201910809154.8有效
发明人：张景贤;段于森;刘宁 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法，所述表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷包括：主相为β‑Si3N4的氮化硅陶瓷基体、以及原位定向生长于氮化硅陶瓷基体表面的由长棒状β‑Si3N4晶粒形成的膜层，所述长棒状β‑Si3N4晶粒的直径为200nm～2μm，长度为2～5μm。
一种表面晶粒定向生长氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种制备高强高韧高热导率氮化硅陶瓷的方法-CN201910133189.4有效
发明人：张景贤;段于森;刘宁 -专利权人：浙江多面体新材料有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备高强高韧高热导率氮化硅陶瓷的方法，包括：以总配料质量100%计，将硅粉体94～88%、烧结助剂6～12%均匀混合，经研磨、干燥后添加粘结剂造粒，压制成型制得陶瓷素坯，其中，所述烧结助剂包括稀土氧化物和碱土金属氧化物；将所述陶瓷素坯进行排胶后，在1380～1450℃氮化，得到氮化硅陶瓷坯体；以及将所述氮化硅陶瓷坯体置于1850～1950℃下气压烧结，得到所述氮化硅陶瓷材料。
一种制备高强高热氮化陶瓷方法

[发明专利]一种常压烧结制备高热导率氮化硅陶瓷的方法-CN201710623307.0有效
发明人：张景贤;段于森;李晓光 -专利权人：浙江多面体新材料有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种常压烧结制备高热导率氮化硅陶瓷的方法，包括：以总配料质量100%计，将氮化硅粉体95～70%、烧结助剂5～30%均匀混合，得到陶瓷混合粉体，所述烧结助剂是以TiO2为主烧结助剂，以Y2O3、Sc2O3、Sm2O3、Lu2O3、Er2O3、MgO、Mg2Si、MgSiN2中的至少一种为辅烧结助剂的混合物；将所得的陶瓷混合粉体成型，得到陶瓷素坯；将所得的陶瓷素坯置于1600～1800℃下常压烧结，得到致密氮化硅陶瓷。本发明能够得到致密、具有一定热导率水平，且力学性能优异的氮化硅陶瓷。
一种常压烧结制备高热氮化陶瓷方法

[发明专利]一种青色氮化硅陶瓷及其制备方法-CN201910544214.8有效
发明人：张景贤;刘宁;段于森;马瑞欣 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C04B35/587 文献下载
摘要：本发明涉及一种青色氮化硅陶瓷及其制备方法，所述制备方法包括：以氮化硅粉体或/和硅粉体作为原料粉体，再加入烧结助剂和着色剂并混合，得到混合粉体，所述烧结助剂选自Al2O3、AlN、CaO、MgO、Y2O3、YAG、Ce2O3、Y2O3:Ce3+中至少一种，所述着色剂为稀土金属钕的氧化物；将所得混合粉体和粘结剂混合，再经压制成型，得到陶瓷坯体；将所得陶瓷坯体经真空排胶后，再进行烧结，得到所述青色氮化硅陶瓷。
一种青色氮化陶瓷及其制备方法

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