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[发明专利]一种适用于连续加料的直拉单晶硅生产装置及生产方法-CN202310694622.8在审
发明人：王新赫;段一菲;宗芳;吴蓓;胡碧波;代冰 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于连续加料的直拉单晶硅生产装置及生产方法，所述生产装置包括石英坩埚、支撑坩埚、加热器、热屏、保温材料、主腔室和副室，所述石英坩埚为双坩埚，所述坩埚底部中心处为凹形结构；所述加热器包括侧边加热器和中心加热器，所述中心加热器位于所述坩埚底部中心处的凹形结构内。本发明的生产装置用于直拉单晶硅的生产，采用中心加热器，可以直接调节固液界面附近的温度梯度，大幅提高固液界面温度梯度的均匀性，获得良好的V/G，大大提高半导体完美晶良率。
一种适用于连续加料单晶硅生产装置方法

[发明专利]一种基于扫描液评估的硅片金属离子含量的检测方法-CN202310000429.X在审
发明人： 段一菲;王新赫;周霖;胡碧波 -专利权人：万华化学集团电子材料有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01N27/623 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于扫描液评估的硅片金属离子含量的检测方法，包括：1）制备指定金属浓度C0的标准硅片；2）使用扫描液收集标准片表面的金属沾污，分析回收的扫描液和试剂空白溶液，得到各元素含量Cn，以及试剂空白值Cb；3）计算各元素校正因子kn=(Cn‑Cb)/C0；4）评估扫描液性能，当任意元素校正因子0.7，且回收的扫描液体积V1大于进行扫描操作前的体积V0的80%，即V10.8V0，则认为扫描液性能好；5）使用所述扫描液对未知金属含量硅片进行收集，将收集后的扫描液进行分析，得到检测值mn；6）利用校正因子对结果进行校正，得到硅片中各金属元素的准确含量fn=mn/kn。本发明的检测方法，可以准确测量晶圆表面的金属含量，准确判断扫描液性能。
一种基于扫描评估硅片金属离子含量检测方法

[发明专利]一种井下监测系统及监测方法-CN202111129097.2在审
发明人：张瑞;纪昊天;段一菲;范小雪 -专利权人：中煤电气有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H04W4/021 文献下载
摘要：本发明公开一种井下监测系统，包括：第一视频采集模块；第二视频采集模块；第一基站；第二基站；通信卡；远程终端；其中，当通信卡与第一基站的距离在第一预设通信距离内时，服务器将来自于远程终端的阅读请求发送至通信卡，第一基站将第一号码以及身份识别卡号打包发送至服务器，以使得远程终端接收身份识别卡号以及第一号码，当通信卡与第二基站的距离在第二预设通信距离内时，服务器将来自于远程终端的阅读请求发送至通信卡，第二基站将第二号码以及身份识别卡号打包发送至服务器，以使得远程终端接收身份识别卡号以及第二号码，服务器还用于将第一视频数据或第二视频采集数据转送至所述远程终端。本发明提高了工人在井下进行作业的安全性。
一种井下监测系统方法