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- [发明专利]硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法-CN201480024949.3有效
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樱田昌弘
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信越半导体株式会社
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2014-03-28
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2017-08-15
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H01L21/20
- 本发明是一种硅磊晶晶圆及其制造方法，该硅磊晶晶圆在对如下单晶硅棒进行切割而制造的硅基板(10)上，具有第二中间磊晶层(22)和掺杂有掺杂剂的第一中间磊晶层(21)，在该第一中间磊晶层(21)上层叠有作为组件形成区域的磊晶层(30)，该单晶硅棒是通过CZ法而培育成的碳浓度为3×1016atoms/cm3～2×1017atoms/cm3的单晶硅棒。由此，本发明提供如下硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法，该硅磊晶晶圆用于内存、逻辑电路或固态摄影元件等半导体组件基板，并以掺杂有碳的硅基板为原材料，且工业性优异。
- 硅磊晶晶圆制造方法
- [发明专利]单结晶制造装置-CN200580035146.9无效
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樱田昌弘
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信越半导体股份有限公司
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2005-08-18
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2007-09-19
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C30B29/06
- 一种单结晶制造装置，是通过切克劳斯基法来培养硅单结晶的单结晶制造装置，其特征为：至少在要进行前述单结晶的培养的室(chamber)内，具备气体整流筒，其被配置成可以围绕硅单结晶，用以调整被导入该室内的气流；在该气体整流筒的内侧，设置含有气泡的石英材料。由此，可以提供一种单结晶制造装置，当培养CZ硅单结晶的时候，能够将单结晶面内直径方向的F/G控制成一定而成为规定的值，而能够有效率地制造出在面内具有均匀且是所希望的缺陷区域的硅单结晶，进而防止Fe与Cu的杂质污染，而可以制造出高质量的硅单结晶。
- 结晶制造装置
- [发明专利]SOI晶片及其制造方法-CN200480001880.9有效
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樱田昌弘;三田村伸晃;布施川泉
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信越半导体股份有限公司
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2004-01-22
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2006-01-18
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H01L27/12
- 一种SOI晶片，其将分别由硅单晶所形成的基底晶片和结合晶片，经由氧化膜贴合之后，通过使前述结合晶片薄膜化而形成有硅活性层的SOI晶片，前述基底晶片，由切克劳斯基法所生长的硅单晶，该晶片的全体面为OSF区域的外侧的N区域、且未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域的硅晶片；或是该晶片的全体面为OSF区域的外侧、未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域、且包含存在起因于晶格间硅的位错群的I区域的硅晶片所构成。借此，可以提供一种SOI晶片，即使层间绝缘氧化膜的厚度，例如形成100nm以下程度的极薄的情况下，高绝缘性也被维持，在装置制造过程中，电性可靠度高。
- soi晶片及其制造方法
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