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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示装置-CN201710928567.9有效
发明人： 横山雅俊;小森茂树;佐藤学;冈崎健一;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置。本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动，来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖，并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。
显示装置

[发明专利]显示装置-CN201380038555.9有效
发明人： 横山雅俊;小森茂树;佐藤学;冈崎健一;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明的目的是通过抑制因来自有机绝缘膜的释放气体造成的晶体管特性的变动，来提高显示装置的可靠性。该显示装置包括晶体管(150)、为了减少因该晶体管(150)导致的不均匀度而设置于晶体管(150)上的有机绝缘膜(117)、以及有机绝缘膜(117)上的电容器(170)。有机绝缘膜(117)的整体表面不被在晶体管(150)的上侧上的电容器(170)的构成要素覆盖，并且来自有机绝缘膜(117)的释放气体能够从有机绝缘膜(117)的上表面的露出部分释放到外部。
显示装置

[发明专利]半导体装置-CN201710269206.8在审
发明人：长隆之;越冈俊介;横山雅俊;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的一个方式的课题是提供一种具有使用氧化物半导体的晶体管的可靠性高的半导体装置。在设置在玻璃衬底上的底栅结构的交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层上设置依次层叠其组成彼此不同的第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜。或者在底栅结构的交错型的晶体管中，在玻璃衬底和栅电极层之间设置保护绝缘膜。将在第一栅极绝缘膜与第二栅极绝缘膜之间的界面处或在栅电极层与栅极绝缘膜之间的界面处的包含在玻璃衬底中的金属元素的浓度设定为5×1018atoms/cm3以下(优选为1×1018atoms/cm3以下)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201710269210.4在审
发明人：长隆之;越冈俊介;横山雅俊;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明的一个方式的课题是提供一种具有使用氧化物半导体的晶体管的可靠性高的半导体装置。在设置在玻璃衬底上的底栅结构的交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层上设置依次层叠其组成彼此不同的第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜。或者在底栅结构的交错型的晶体管中，在玻璃衬底和栅电极层之间设置保护绝缘膜。将在第一栅极绝缘膜与第二栅极绝缘膜之间的界面处或在栅电极层与栅极绝缘膜之间的界面处的包含在玻璃衬底中的金属元素的浓度设定为5×1018atoms/cm3以下(优选为1×1018atoms/cm3以下)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201210411681.1有效
发明人：长隆之;越冈俊介;横山雅俊;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的一个方式的课题是提供一种具有使用氧化物半导体的晶体管的可靠性高的半导体装置。在设置在玻璃衬底上的底栅结构的交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层上设置依次层叠其组成彼此不同的第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜。或者在底栅结构的交错型的晶体管中，在玻璃衬底和栅电极层之间设置保护绝缘膜。将在第一栅极绝缘膜与第二栅极绝缘膜之间的界面处或在栅电极层与栅极绝缘膜之间的界面处的包含在玻璃衬底中的金属元素的浓度设定为5×1018atoms/cm3以下（优选为1×1018atoms/cm3以下）。
半导体装置

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