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- [发明专利]铌酸钡钙柱状单晶颗粒的制备方法-CN200710017522.2无效
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樊慧庆;王炜
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西北工业大学
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2007-03-19
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2007-11-14
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C30B29/30
- 本发明公开了一种铌酸钡钙柱状单晶颗粒的制备方法，其特征包括下述步骤：取分析纯CaCO3、分析纯BaCO3、分析纯Nb2O5，根据化学式Ca0.3Ba0.7Nb2O6进行配料，然后放入装有玛瑙球的球磨罐中以无水乙醇为分散介质，球磨8～12小时后烘干；将经烘干后的粉体与分析纯KCl以1∶1或1∶2比例混合，以乙醇为介质，放入装有玛瑙球的球磨罐中球磨混合16～26小时，混合均匀后烘干；将经烘干后的粉体放在密闭的氧化铝坩埚中，在950～1150℃温度下煅烧3～6小时合成；将经煅烧合成的粉体用80～100℃的去离子水反复清洗，直到滤液用硝酸银试剂检测不到Cl－为止，烘干。与现有技术相比，制备温度由1150℃～1250℃降至950℃～1150℃，制备周期由15小时以上降至3～6小时，而且制备出铌酸钡钙为柱状单晶颗粒。
- 铌酸钡钙柱状颗粒制备方法
- [发明专利]铌钽酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法-CN200610043041.4无效
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樊慧庆;焦岗成;刘来君;王炜
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西北工业大学
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2006-06-27
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2006-12-27
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C04B35/495
- 本发明公开了一种铌钽酸钾钠基压电陶瓷，其原材料为碳酸钾、碳酸钠、氧化铌、氧化钽的基料以及占基料量0.2～0.8mol％的Cu2+、Sb5+、Sn4+、Li+离子任一种或者任几种，基料化学计量比为(K1－xNax)(Nb1－yTay)O3，其中(x＝0.1～0.9，y＝0.01～0.30)。本发明还公开了上述铌钽酸钾钠基压电陶瓷的制备方法，将上述原料装入球磨罐中球磨混合后合成，合成温度为800～900℃，保温时间为4～10h；将所得熟料二次球磨后，冷等静压50～100MPa压力下压成圆片素坯；1000℃～1200℃的温度下保温2～4h叠片烧结成陶瓷；烧渗银电极、极化。本发明通过在陶瓷烧结过程中掺杂Cu2+，Sb5+，Sn4+或Li+离子任一种或者任几种，提高了铌酸钾钠基压电陶瓷的整体电学性能，机械品质因数由现有技术的约为100提高到979，机电耦合系数从0.36提高到0.41。
- 铌钽酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法
- [实用新型]微小型光电马达-CN200520079319.4无效
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樊慧庆;唐波;刘来君;柯善明
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西北工业大学
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2005-08-29
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2006-11-22
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H02N1/00
- 本实用新型公开了一种微小型光电马达，包括上定子(2)、转子(3)、下定子(4)、上定子电极(5)、转子电极(6)、下定子电极(7)以及转轴(8)，其特征在于：还包括锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)，锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)与下定子(4)固连，上定子电极(5)分别与锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)的正极电连接，下定子电极(7)分别与锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)的负极电连接。由于本实用新型将锆钛酸镧铅压电陶瓷材料与现有的微小型马达集成在一起，利用锆钛酸镧铅压电陶瓷材料的光生伏特效应产生的电压驱动微小型光电马达，将微小型马达的驱动方式由现有技术的电源驱动转变为光驱动。
- 微小光电马达
- [发明专利]钛酸盐铁电粉体的制备方法-CN200610042837.8无效
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樊慧庆;陈秀丽;刘来君
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西北工业大学
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2006-05-19
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2006-10-25
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C01G23/00
- 本发明公开了一种钛酸盐铁电粉体的制备方法，包括下述步骤：将要制备的钛酸盐按生成物的化学计量比配料，然后称量浓度为3～7ml/L的化学纯氢氧化钾作为矿化剂；将上述物料倒入加热釜中，按照80％的填充度加入去离子水，混合均匀；以1～3℃/min的加热速率加热到140～160℃，保温8～24小时后随炉冷却至室温；取出制备好的钛酸盐铁电粉体，用去离子水冲洗，直到清洗的去离子水呈中性为止，然后自然干燥。由于采用自然界广泛存在的难溶性氧化物或者难溶性盐类为原料，制备过程的反应温度180～200℃下降到140～160℃，简化了工艺过程，拓宽了制备陶瓷粉体的原料来源，降低了制备成本。
- 钛酸盐铁电粉体制备方法
- [发明专利]掺镧锆钛酸铅薄膜的制备方法-CN200610042838.2无效
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樊慧庆;陈秀丽;刘来君
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西北工业大学
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2006-05-19
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2006-10-25
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C01G23/00
- 本发明公开了一种掺镧锆钛酸铅薄膜的制备方法，包括下述步骤：将化学纯氧化铅、氧化钛、氧化锆和三氧化二镧按化学计量比为Pb1－xLax(Zr1－yTiy)1－x/4O3配料，其中：0＜x≤0.15，30≤y≤58，然后称量浓度为0.6～1ml/L的化学纯氢氧化钾作为矿化剂；将上述物料倒入加热釜中，按照80％的填充度加入去离子水，混合均匀；将金属钛质基底水平悬挂在距离釜底20～50mm高的混合溶液中，以1～3℃/min的加热速率加热到140～150℃，保温8～12小时后随炉冷却至室温；从加热釜中取出制备好的掺镧锆钛酸铅薄膜，用去离子水冲洗，直到清洗的去离子水呈中性为止，然后自然干燥。由于采用了便宜的难溶性氧化物为原料，降低了制备成本；所制备薄膜的厚度从现有技术的0.5μm增加到85～156μm；所制备薄膜的面积从5mm×15mm增加到15mm×20mm。
- 掺镧锆钛酸铅薄膜制备方法
- [发明专利]钛酸铋纳－钛酸钡基压电陶瓷及其制备方法-CN200510041601.8无效
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千学著;樊慧庆;刘来君;葛伟;柯善明;张耿
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西北工业大学
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2005-01-04
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2005-09-28
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C04B35/453
- 本发明公开了一种钛酸铋钠－钛酸钡基压电陶瓷，含有三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡，化学计量比为(1－x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]－xBaTiO3－ywt％SnO2，其中：0＜x＜0.1，0＜y＜10。本发明还公开了上述钛酸铋钠－钛酸钡基压电陶瓷的制备方法，经过配料、振磨混料、压块、预烧、加入粘结剂，在轧膜机上反复轧制，最终成型为方片，再将方片放入烘箱中烘干成素片，经过排胶、烧结、烧银，在放入硅油中极化，最终形成钛酸铋钠－钛酸钡基压电陶瓷。由于采用了不同掺杂元素以及不同的元素配比，有效的降低了压电陶瓷的矫顽场及电阻率，使极化工艺简单易行。本发明方法可制备不同压电、介电性能的无铅压电陶瓷，可满足不同领域需求；本发明采用工业化轧膜成型，方法简单，成本低，适合批量生产。
- 钛酸铋纳钛酸钡压电陶瓷及其制备方法
- [发明专利]钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷及其制备方法-CN200510041602.2无效
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樊慧庆;千学著;刘来君;葛伟;柯善明;张耿
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西北工业大学
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2005-01-04
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2005-09-28
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C04B35/462
- 本发明公开了一种钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷，含有三氧化二铋、碳酸钠、碳酸钡、二氧化钛、氧化锡、氧化铈，化学计量比为(1－x)[(Na0.5Bi0.5)TiO3]－xBaTiO3－ywt％SnO2－zwt％CeO其中：0＜x＜0.1，0≤y＜10，0＜z＜10。本发明还公开了上述钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷的制备方法，经过配料、振磨混料、压块、预烧、加入粘结剂，在轧膜机上反复轧制，成型方片，再将方片放入烘箱中烘干成素片，经过排胶、烧结、烧银，再放入硅油中极化，最终形成钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷。由于采用锡、铈离子对Bi1/2Na1/2TiO3－BaTiO3进行单独和复合掺杂，有效的降低了压电陶瓷的矫顽场及电阻率，提高了压电陶瓷的电学性能；本发明的电学参数为，压电常数d33为80～125pC/N，平面耦合机电系数kp为0.16～0.24，品质因数Qm为47～200，厚度耦合机电系数kt为0.33～0.52，比现有技术提高很多。
- 钛酸铋钠钡锡铈压电陶瓷及其制备方法
- [发明专利]制备锆钛酸镧铅透明光电陶瓷的方法-CN200310105846.3无效
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樊慧庆
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西北工业大学
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2003-10-22
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2004-10-20
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C04B35/49
- 本发明公开了一种制备锆钛酸镧铅透明光电陶瓷的方法，先用分析纯(99.9％)级的氧化铅、三氧化二镧、二氧化锆和二氧化钛试剂，按化学计量比为(Pb1－xLax)[(Ti1－yZry)1－x/4VBx/4]进行称量配料，配料时即加入从－10wt％到10wt％的过量氧化铅，将加入过量氧化铅的配料放入球磨罐中并加入1∶1的无水乙醇球磨4～6小时，经200℃烘干后，在900℃温度下预烧2小时，再球磨18～24小时后烘干、过筛，100MPa冷等静压成形制成厚度为0.3～1mm、直径为10mm的生坯制品，在PbZrO3气氛保护条件下1200℃烧结0.5～12小时，经自然冷却后，用1微米的氧化铝磨料对其断面进行研磨、抛光。该方法在常压下进行，不采用氧气气氛，工艺流程简单，设备要求低，其制成品经Cary 5G UV－Vis－NIR光谱仪测量，光学透射率可达70％。
- 制备锆钛酸镧铅透明光电陶瓷方法
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