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[发明专利]平面天线、平面阵列天线、多轴阵列天线、无线通信模块和无线通信装置-CN202080011598.8有效
发明人：高木保规;林健児;榎木雅人 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-01-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01Q9/16 文献下载
摘要：平面天线具备：平面状辐射导体(11)；公共接地导体(32)；第1带状导体(21)，其位于平面状辐射导体(11)与公共接地导体(32)之间，并且在具有第1轴、第2轴和第3轴的第1右手正交坐标系中沿着与第1轴平行的方向延伸；第2带状导体(22)，其位于平面状辐射导体与公共接地导体之间并且沿着与第1带状导体的延伸方向正交的方向延伸；以及至少一对无源导体(12～15)，其相对于第1轴成45±3°或‑45±3°的角度并且具有与平面状辐射导体相对的边。
平面天线阵列无线通信模块装置

[发明专利]非互易电路元件-CN202111376577.9在审
发明人：野津稔;仓元建二;寺胁武文;榎木雅人 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01P1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种适合于3GHz～6GHz频带的非互易电路元件。非互易电路元件包括：具有主面的亚铁磁性体(3)；多个中心导体(4、5、6)，其以相互绝缘的状态配置在亚铁磁性体的主面；和层叠磁铁，其是由含有Sr的铁氧体磁铁(2B)和含有Sm的稀土类磁铁(2A)层叠而成的，且与多个中心导体相对地配置，层叠磁铁的剩余磁通密度的合成温度系数为‑0.14％/℃以上‑0.06％/℃以下。亚铁磁性体优选具有40mT以上80mT以下的饱和磁通密度，该饱和磁通密度的温度系数为‑0.45％/℃以上‑0.25％/℃以下，并且亚铁磁性体为低铁磁共振半峰宽(ΔH＜2500A/m)。
非互易电路元件

[发明专利]多频段天线和多频段天线的设计方法-CN202010729611.5在审
发明人：高木保规;榎木雅人 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01Q1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种多频段天线及其设计方法，其能够至少在第1中心波长λ1的第1波段和比第1中心波长λ1短的第2中心波长λ2的第2波段进行电磁波的收发，其至少1个天线单元包括第1辐射导体(11)和隔着相对介电常数为εr的电介质与第1辐射导体(11)隔开间隔地配置的第1接地导体(31)，第1辐射导体(11)和第1接地导体(31)具有包括一对相对的第1边(11c、11d、31c、31d)的平面形状，第1辐射导体的一对相对的第1边的距离Lrf1和第1接地导体的一对相对的边的距离Lg1满足0.2λ1/εr1/2≤Lrf1≤0.5λ1/εr1/2，0.7λ2/εr1/2≤Lg1≤1.25λ2/εr1/2的关系。根据本发明，能够容易进行所使用的频段的调节。
频段天线设计方法

[发明专利]平面天线-CN201880006743.6在审
发明人：林健儿;榎木雅人;池田初男 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01Q13/08 文献下载
摘要：本发明的平面天线包括：具有上表面和下表面且包括层叠的多个陶瓷层的多层陶瓷体(10)；位于多层陶瓷体内的多个陶瓷层的一个界面或多层陶瓷体的上表面的至少一个辐射导体(31)；位于多层陶瓷体内的多个陶瓷层的另一个界面或多层陶瓷体的下表面的接地导体(32)；和位于多层陶瓷体内的辐射导体与接地导体之间的、具有多个中空部分的低介电常数区域(115)。
多层陶瓷体多层陶瓷陶瓷层辐射导体接地导体平面天线体内上表面下表面低介电常数区域中空

[发明专利]平面天线、共烧陶瓷基板和准毫米波/毫米波无线通信组件-CN201780041041.7在审
发明人：林健儿;榎木雅人 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01Q13/08 文献下载
摘要：平面天线包括：具有上表面和下表面的、含有层叠的多个陶瓷层的多层陶瓷构造(10)；位于多个陶瓷层(10)的一个分界面的至少一个发射导体(31)；和位于所述多层陶瓷构造的下表面、或多个陶瓷层的比所述发射导体靠下表面侧的一个分界面的地导体(32)。
陶瓷层下表面多层陶瓷发射导体分界毫米波无线通信毫米波平面天线陶瓷基板组件平面地导体上表面共烧天线