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[发明专利]球状结晶质二氧化硅颗粒及其制造方法-CN202180036714.6在审
发明人：田中睦人;沼尾竜太郎;青山泰宏;楠一彦;牛尾昌史 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：提供作为在毫米波频带中具有优秀的介电特性的半导体密封材料用的填充物用途而适用的球状二氧化硅颗粒，即提供将碱金属和碱土金属的含量抑制得较低的同时，结晶化率高且石英的比例高的球状结晶质二氧化硅颗粒及其制造方法。一种球状结晶质二氧化硅颗粒：其圆形度在0.80以上；含有按氧化物换算0.02质量％以上且不足0.40质量％的锂，含有按氧化物换算0.004质量％以上且不足1.0质量％的钙；含有结晶质二氧化硅的相；该球状结晶质二氧化硅颗粒中所述结晶质二氧化硅的相的比例为40.0％以上，且所述结晶质二氧化硅的相中石英的比例为80.0质量％以上。
球状结晶二氧化硅颗粒及其制造方法

[发明专利]SiC单晶的制造方法和制造装置-CN201810370122.8有效
发明人：土井雅喜;大黑宽典;加渡干尚;佐藤友大;关和明;楠一彦;岸田丰 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及SiC单晶的制造方法和制造装置。提供可进行SiC单晶的长时间生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板接触放入石墨坩埚且具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液从而使SiC单晶进行晶体生长的SiC单晶的制造方法，包括：利用感应线圈对Si‑C溶液进行电磁搅拌以使其流动，和利用电阻加热器对石墨坩埚的下部进行加热。
sic 制造方法装置

[发明专利]SiC单晶的制造方法-CN201680027101.5有效
发明人：关和明;楠一彦;龟井一人;旦野克典;大黑宽典;土井雅喜 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供能够抑制SiC多晶产生的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法具备输出功率升高工序(S1)、接触工序(S2)和生长工序(S4)。输出功率升高工序(S1)中，将感应加热装置(3)的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率。接触工序(S2)中，使SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触。接触工序(S2)中的感应加热装置(3)的高频输出功率大于晶体生长时的高频输出功率的80％。接触工序(S2)中的Si‑C溶液(7)的温度低于晶体生长温度。生长工序(S4)中，在晶体生长温度下使SiC单晶生长。
sic 制造方法

[发明专利]SiC单晶的制造方法-CN201680027058.2有效
发明人：关和明;龟井一人;楠一彦;旦野克典;大黑宽典;土井雅喜 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的实施方式的利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法具备生成工序和生长工序。生成工序中，将容纳于坩埚(5)的Si‑C溶液(7)的原料熔融、生成Si‑C溶液(7)。生长工序中，使安装于籽晶轴(6)的SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触、在SiC晶种(8)的晶体生长面(8S)生长SiC单晶。生长工序中，将Si‑C溶液(7)升温的同时使SiC单晶生长。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法容易使所希望的多晶型的SiC单晶生长。
sic 制造方法

[发明专利]碳化硅单晶块的制造方法和碳化硅单晶块-CN201680009053.7有效
发明人：谷小桃;矢野孝幸;藤本辰雄;柘植弘志;龟井一人;楠一彦;关和明 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明针对在籽晶与生长SiC单晶的界面附近发生的穿透螺型位错的增大，提供一种通过提高伴随SiC单晶的生长而发生的位错密度的减少率，从而制造从生长的初期阶段开始穿透螺型位错密度就较小的SiC单晶块的方法。本发明涉及一种碳化硅单晶块的制造方法，其是在由碳化硅单晶形成的籽晶的生长面上使用升华再结晶法使碳化硅单晶生长而制造碳化硅单晶块的方法，其中，预先在籽晶的生长面上形成台阶的高度为10μm～1mm、平台的宽度为200μm～1mm的台阶聚束，然后使用升华再结晶法使碳化硅单晶在所述籽晶的生长面上生长。
碳化硅单晶块制造方法

[发明专利]SiC单晶的制造方法及制造装置-CN201710016842.X有效
发明人：加渡干尚;大黑宽典;楠一彦;关和明 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及SiC单晶的制造方法及制造装置。提供一种能维持凹形状的生长面、不使夹杂物产生地使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，晶种保持轴具有轴部和在该轴部的下端的晶种保持部，轴部的直径D1相对于晶种保持部的直径D2的比D1/D2为0.28以下。
sic 制造方法装置

[发明专利]SiC单晶的制造方法-CN201610325787.8有效
发明人：大黑宽典;楠一彦;龟井一人;关和明;岸田丰 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及SiC的制造方法。提供与以往相比可抑制杂晶产生的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶制造方法，其中坩埚具有与Si‑C溶液液面相同高度的水平方向的厚度Lu和与坩埚底部内壁相同高度的水平方向的厚度Ld，Ld/Lu为2.00～4.21；在厚度Lu与厚度Ld之间坩埚水平方向的厚度从厚度Lu向厚度Ld单调增加；坩埚壁厚为1mm以上；坩埚底部铅直方向的厚度Lb为1mm以上15mm以下；坩埚底部外壁具有面积为100mm²以上的平坦部；使Si‑C溶液距坩埚底部内壁的深度为30mm以上；该方法包括利用配置于坩埚周围的高频线圈加热和电磁搅拌Si‑C溶液。
sic 制造方法

[发明专利]SiC单晶及其制造方法-CN201480052509.9有效
发明人：大黑宽典;加渡干尚;龟井一人;楠一彦 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有大的生长厚度且不包含夹杂物的SiC单晶。所述SiC单晶是通过溶液法生长的SiC单晶，其中，SiC单晶的{0001}生长面中的{1‑100}面的合计长度M与SiC单晶的生长面的外周长度P满足M/P≤0.70的关系，并且SiC单晶的生长方向的长度为2mm以上。
sic 及其制造方法

[发明专利]SiC单晶的制造方法-CN201580008068.7有效
发明人： 楠一彦;龟井一人;大黑宽典;坂元秀光 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供在籽晶与Si‑C溶液之间气泡难以进入的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法为：利用将籽晶(10)的主表面(10a)朝向下方并使其与Si‑C溶液(11)接触而在主表面(10a)上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法。主表面(10a)平坦。该制造方法包括：接触工序A、接触工序B和生长工序。接触工序A中，使主表面(10a)的一部分区域与贮存的Si‑C溶液(11)接触。接触工序B中，以在接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大主表面(10a)与贮存的Si‑C溶液(11)的接触区域。生长工序中，使SiC单晶在与贮存的Si‑C溶液(11)接触的主表面(10a)上生长。
主表面单晶制造贮存接触区域籽晶生长润湿溶液生长法单晶生长起始点平坦

[发明专利]SiC单晶及其制造方法-CN201710319173.3在审
发明人：大黑宽典;楠一彦;关和明 -专利权人：丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供一种抑制4H以外的多晶型物的产生，使4H‑SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法。使晶种基板与具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，所述晶种基板为4H‑SiC，该制造方法包括将所述晶种基板的(000‑1)面作为生长面，将所述Si‑C溶液的表面中所述晶种基板的生长面接触的区域的中央部的温度设为1900℃以上，和将所述中央部和在铅直方向下方距所述中央部10mm的位置之间的温度梯度ΔTc、与所述中央部和在水平方向距所述中央部10mm的位置之间的温度梯度ΔTa之比ΔTc/ΔTa设为1.7以上。
sic 及其制造方法

[发明专利]SiC单晶锭及其制造方法-CN201380037691.6有效
发明人：加渡干尚;大黑宽典;坂元秀光;楠一彦;冈田信宏 -专利权人：丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭，其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭，其中，所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。
sic 单晶锭及其制造方法

[发明专利]SiC单晶体的制造方法-CN201380045663.9有效
发明人：加渡干尚;楠一彦;龟井一人 -专利权人：丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社
申请日： 2013-08-12 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：在溶液法中，提供能够比以往大幅提高生长速度的SiC单晶体的制造方法。一种SiC单晶体的制造方法，使晶种基板接触被放入到坩埚内且具有温度从内部朝向液面降低的温度梯度的Si‑C溶液，而晶体生长SiC单晶体，其中，所述坩埚的深度/内径小于1.71，从Si‑C溶液的液面至液面下10mm的范围的温度梯度大于42℃/cm。
sic 单晶体制造方法

[发明专利]SiC单晶的制造装置以及制造方法-CN201380046179.8有效
发明人： 楠一彦;龟井一人;矢代将齐;冈田信宏;森口晃治;加渡干尚;大黑宽典;坂元秀光 -专利权人：新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：SiC单晶的制造装置(10)被用于利用溶液生长法制造SiC单晶，该SiC单晶的制造装置(10)包括晶种轴(22A)，其具有用于安装SiC晶种(32)的下端面(22S)；坩埚(14)，其用于收纳Si－C溶液(15)；搅拌构件(24A)，其被浸渍于Si－C溶液(15)；驱动源(20B、24D)，其使坩埚(14)和搅拌构件(24A)中的任一者相对于另一者相对旋转。搅拌构件(24A)的下端配置为比安装于晶种轴(22A)的下端面(22S)的SiC晶种(32)的下端(32a)低。
sic 制造装置以及方法

[发明专利]基于溶液生长法的SiC单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚-CN201580056446.9在审
发明人：龟井一人;岸田豊;楠一彦;大黑宽典;土井雅喜 -专利权人：新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种易于搅拌和加热Si‐C溶液的SiC单晶的制造装置。该SiC单晶的制造装置具备能够容纳Si－C溶液(7)的坩埚(5)、晶种轴(6)、以及感应加热装置(3)。坩埚(5)能够容纳Si－C溶液(7)。坩埚(5)包括筒部(51)和底部(52)。筒部(51)具有外周面(51A)和内周面(51B)。底部(52)配置于筒部(51)的下端。底部(52)形成坩埚(5)的内底面(52B)。能够在晶种轴(6)的下端安装晶种(8)。感应加热装置(3)配置于坩埚(5)的筒部(51)的周围。感应加热装置(3)用于加热坩埚(5)和Si－C溶液(7)。外周面(51A)具有与筒部(51)的周向交叉地延伸的槽(10)。
基于溶液生长 sic 制造装置应用于坩埚

[发明专利]SiC单晶的制造方法和SiC单晶的制造装置-CN201580056466.6在审
发明人： 楠一彦;龟井一人;关和明;岸田豊;森口晃治;海藤宏志;大黑宽典;土井雅喜 -专利权人：新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供即使在长时间地进行晶体生长的情况下也能够减少Si－C溶液的温度偏差的、SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法包括以下工序准备工序，在该准备工序中，准备制造装置(100)，该制造装置(100)包括容纳有Si－C溶液的原料的坩埚(7)、在下端安装有晶种(9)的晶种轴(41)、以及在中央具有供晶种轴(41)穿过的通孔(60A)且能够配置于坩埚(7)内的中盖(60)；生成工序，在该生成工序中，对坩埚(7)内的原料进行加热而生成Si－C溶液(8)；生长工序，在该生长工序中，使晶种(9)与Si－C溶液(8)相接触，从而在晶种(9)上制造SiC单晶；以及中盖调整工序，在生长工序中实施该中盖调整工序，使中盖(60)和坩埚(7)中的任一者相对于另一者在高度方向上相对移动，从而将中盖(60)与Si－C溶液(8)之间的高度方向距离的变动幅度调整到第1基准范围内。
sic 制造方法装置

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