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[发明专利]质谱分析方法-CN202110804865.3在审
发明人：铃木一己;植松克之;须原浩之 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明涉及质谱分析方法。本发明的课题在于，提供精度良好地能定量的质谱分析方法。本发明的质谱分析方法向配置在测定试样表面的质谱分析用基质点照射激光束，进行质谱分析，其包括照射所述激光束的激光束照射工序，在向所述质谱分析用基质点照射所述激光束时，在所述测定试样出现的激光点(A)全部收纳在所述质谱分析用基质点，或者(B)将所述质谱分析用基质点全部收纳。
谱分析方法

[发明专利]制备用于MALDI质谱的测量样品的方法、装置和基板-CN202110264196.5在审
发明人：铃木一己;植松克之;须原浩之 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01N27/626 文献下载
摘要：本发明的名称为制备用于MALDI质谱的测量样品的方法、装置和基板。一种制备用于MALDI质谱的测量样品的方法，该方法包括：以将激光束被施加到与包括基质的表面相对的基板的表面上的方式，将激光束施加到包括用于制备用于MALDI质谱的测量样品的基质的基板上，基质被布置在基板的表面上，以使得基质从基板飞出以布置在MALDI质谱的分析物的预定位置处，其中基板包括激光能量吸收材料，并且其中激光束的激光能量的波长为400nm或更长。
制备用于 maldi 测量样品方法装置

[发明专利]MALDI质谱分析用测定试样制备方法及其装置-CN202010195797.0在审
发明人： 植松克之;铃木一己 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及MALDI质谱分析用测定试样制备方法，MALDI质谱分析用测定试样制备装置，MALDI质谱分析用测定试样，MALDI质谱分析方法，以及计算机可读存储介质。本发明的课题在于，提供通过MALDI进行质谱分析时可向一个试样配置二种以上基质的MALDI质谱分析用测定试样制备方法。在本发明的MALDI质谱分析用测定试样制备方法中，基材将用于制备MALDI质谱分析用测定试样的基质配置在表面，通过将激光束照射所述基材的与配置所述基质侧相反侧的所述基材的表面，使得所述基质从所述基材飞行，使其配置在MALDI质谱分析对象的试样的规定位置。
maldi 谱分析测定试样制备方法及其装置

[发明专利]半导体压力传感器装置及其制造方法-CN201410302783.9有效
发明人：松並和宏;植松克之;西川睦雄;篠田茂 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在排气系统等劣恶的环境下也能够抑制腐蚀的半导体压力传感器装置及其制造方法。半导体压力传感器装置具备：具有成为真空基准室9的凹部10的半导体基板1，配置在半导体基板1的正面的膜片2a，应变片电阻2，配置在半导体基板1上的铝布线层4，配置在铝布线层4上的作为TiN膜5的防反射膜，配置在该TiN膜5上的作为Cr膜7a与Pt膜7b的层叠膜的粘接度确保/扩散防止膜7和层叠在粘接度确保/扩散防止膜7上的Au膜8。通过将由Cr膜7a、Pt膜7b、Au膜8构成的层叠金属膜13的端面14加工成朝向上述半导体基板1侧变宽的锥形，可防止在粘接度确保/扩散防止膜7的端面形成凹陷，抑制由排气引起的腐蚀。
半导体压力传感器装置及其制造方法

[发明专利]压力传感器装置及压力传感器装置的制造方法-CN201380054665.4在审
发明人： 植松克之 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： G01L19/06 文献下载
摘要：在形成于树脂壳体(1)的凹状的传感器安装部(2)内收纳传感器单元(10)。传感器单元(10)是将半导体压力传感器芯片(11)与玻璃底座(12)接合而成，通过粘接剂(13)将玻璃底座(12)侧贴片到传感器安装部(2)的底部。半导体压力传感器芯片(11)上的电极焊盘经由键合线(4)与贯通树脂壳体(1)而一体地嵌件成型的外部导出用的引线端子(3)电连接。利用由含氟的聚对二甲苯系聚合物构成的保护膜(5)覆盖传感器单元(10)、引线端子(3)的露出于树脂壳体(1)内部的部分、键合线(4)、树脂壳体(1)的内壁(1a)的露出部分(也包括传感器安装部(2)的内壁)的整个表面。由此，能够提高压力传感器装置的可靠性。
压力传感器装置制造方法

[发明专利]物理量传感器装置的输出值修正方法、物理量传感器的输出值修正方法、物理量传感器装置以及物理量传感器的输出值修正装置-CN201280056285.X有效
发明人：西川睦雄;齐藤和典;植松克之;松并和宏;伊藤启一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G01D3/028 文献下载
摘要：本发明中，第1获取部(111)获取物理量传感器(101)的初始输出值。第2获取部(112)获取物理量传感器(101)的目标输出值。第1计算部(113)基于物理量传感器(101)的初始输出值以及目标输出值来计算出2次的第1特性式并提取出第1特性值，该2次的第1特性式表示物理量传感器(101)的修正后的输出特性。第2计算部(114)基于规定温度及第1特性值计算出用于修正第1特性值的2次的第2特性式，并提取出第2特性值。运算部(104)基于将第2特性值输入第2特性式来进行修正后的第1特性式，计算出物理量传感器(101)的修正后的输出值。由此，能提高修正精度，降低成本，并能实现处理速度的高速化。
物理量传感器装置输出修正方法以及