专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电梯系统以及电梯维护方法-CN202180083232.6在审
  • 野泽勇贵;森和久;仮屋智贵 - 株式会社日立制作所
  • 2021-12-22 - 2023-08-08 - B66B1/30
  • 具备:装载误差量推定部,其根据轿厢的载重量和启动曳引机时的振动检测传感器检测到的振动量来推定轿厢的载重量的误差量;谐振频率导出部,其导出轿厢的谐振频率;和弹簧常数推定部,其基于振动检测传感器检测到的振动量、装载误差量推定部所推定的载重量的误差量、和谐振频率导出部所导出的谐振频率来算出设置于轿厢的防振橡胶的弹簧常数,从而推定防振橡胶的劣化状况。由此,能掌握防振橡胶的劣化状况,从而将乘坐体验保持恒定。
  • 电梯系统以及维护方法
  • [发明专利]半导体装置和电路装置-CN202211677925.0在审
  • 中柴康隆;柳川洋;森和久;波多俊幸 - 瑞萨电子株式会社
  • 2022-12-26 - 2023-08-04 - H01L25/07
  • 一种半导体装置包括:第一半导体芯片,其包括n型的第一MOSFET和第一寄生二极管;以及第二半导体芯片,其包括n型的第二MOSFET和第二寄生二极管。第一源极电极和第一栅极布线形成在第一半导体芯片的第一正面中,第一漏极电极形成在第一半导体芯片的第一背面中。第二源极电极和第二栅极布线形成在第二半导体芯片的第二正面中,第二漏极电极形成在第二半导体芯片的第二背面中。第一正面和第二正面彼此面对,使得第一源极电极和第二源极电极经由导电膏彼此接触。
  • 半导体装置电路
  • [发明专利]半导体器件和电路设备-CN202310017127.3在审
  • 森和久;波多俊幸 - 瑞萨电子株式会社
  • 2023-01-06 - 2023-08-04 - H01L25/18
  • 本公开涉及半导体器件和电路设备。提高了半导体器件的性能。减少了使用半导体器件作为开关的电路设备的损耗。一种半导体器件(100)包括:具有p型第一MOSFET(1Q)和第一寄生二极管(D1)的第一半导体芯片(CHP1);以及具有n型第二MOSFET(2Q)和第二寄生二极管(D2)的第二半导体芯片(CHP2)。在第一半导体芯片(CHP1)和第二半导体芯片(CHP2)的前表面上,分别形成有第一源电极(SE1)和第一栅极布线(GW1)以及第二源电极和第二栅极布线。在第一半导体芯片和第二半导体芯片的后表面上,分别形成有第一漏电极(DE1)和第二漏电极(DE2)。第二后表面(BS2)和第一前表面(TS1)彼此面对,使得第二漏电极(DE2)和第一源电极(SE1)经由导电膏彼此接触。
  • 半导体器件电路设备
  • [发明专利]电梯-CN202110405548.4有效
  • 森和久;大沼直人 - 株式会社日立制作所
  • 2021-04-15 - 2023-03-07 - B66B3/02
  • 本发明提供一种电梯,能够容易地对轿厢在移动方向发生变化的区间内的位置和速度进行检测。电梯具备轿厢(10)、第一传感器(14)以及第二传感器(15),轿厢(10)能够在移动通道内沿直线区间即第一区间及移动方向从第一区间发生变化的第二区间移动。第一传感器(14)对轿厢(10)在第一区间移动时的轿厢(10)的位置及速度进行检测。第二传感器(15)设置于轿厢(10)并对轿厢(10)在第二区间移动时的轿厢(10)的位置及速度进行检测。
  • 电梯
  • [发明专利]多轿厢电梯-CN202011019630.5有效
  • 森和久;近藤健史;井上真辅;大沼直人;星野孝道 - 株式会社日立制作所
  • 2020-09-24 - 2022-09-23 - B66B5/02
  • 本发明提供多轿厢电梯。在升降通道内配置多台轿厢的多轿厢电梯中,能没有误动作而可靠地进行各个轿厢的安全控制。在多轿厢电梯中,在升降通道内配置多台轿厢(1A1~1C2),用曳引机驱动与轿厢连结的主索(41A~42C)。作为结构而具备:地面侧安全控制部(200),其总括地控制多台轿厢的驱动,在探测到异常时,使驱动主索的曳引机紧急制动;和轿厢侧安全控制部,其分别设于多台轿厢,在基于与升降通道内的其他轿厢的距离探测到异常时,使自身的轿厢的紧急停止工作(20‑A1~20‑C2)。
  • 多轿厢电梯
  • [发明专利]多轿厢电梯装置以及多轿厢电梯装置的控制方法-CN201910347356.5有效
  • 森和久;堂园美礼;野口直昭;安部贵;齐藤勇来 - 株式会社日立制作所
  • 2019-04-26 - 2022-04-08 - B66B1/18
  • 本发明提供多轿厢电梯装置以及多轿厢电梯装置的控制方法。轿厢电梯装置构成为具备:在各楼层具有一对门厅门的升降通道;能在升降通道内在上下方向上循环移动而设的多对轿厢;控制升降通道内的多对轿厢的移动的控制部;设于各楼层的门厅呼叫操作部;设于各楼层并构成为进行用于通知门厅门当中被调配轿厢的门厅门的显示的显示部,控制部在使多对轿厢全都在一个方向上循环移动通常运转模式、和设为仅使多对轿厢当中的一对往复移动而使其他轿厢停靠的状态的缩减运转模式的任意一方下控制多对轿厢的移动,显示部在仅使一对轿厢在缩减运转模式下往复移动的情况下,以与多个轿厢在通常运转模式下循环移动的情况不同的显示模式通知被调配轿厢的门厅门。
  • 多轿厢电梯装置以及控制方法
  • [发明专利]多轿厢电梯-CN202111073546.6在审
  • 森和久;大沼直人 - 株式会社日立制作所
  • 2021-09-14 - 2022-03-18 - B66B11/04
  • 本发明提供一种即使在轿厢的移动方向发生变化的反转区间中也能够稳定地向轿厢供电的多轿厢电梯。多轿厢电梯(1)包括多个轿厢(10、10)、输电部(81A、81B)、受电部(15)、和蓄电装置。受电部(15)设置在轿厢(10)中,并且当轿厢(10)在直线区间(100A、100B)中移动时,从输电部(18A、81B)接收电力。蓄电装置设置在轿厢(10)中,存储由受电部(15)接收的电力,并且当轿厢(10)在反转区间(100C、100D)中移动时,向设置于轿厢中的轿厢设备供电。
  • 多轿厢电梯
  • [发明专利]非接触供电电梯-CN201811189342.7有效
  • 山田正明;森和久;大沼直人;松本洋平;吉川敏文 - 株式会社日立制作所
  • 2018-10-12 - 2021-02-09 - B66B1/24
  • 本发明提供一种能增加供电机会,抑制轿厢为了供电而进行的无用移动来进行供电的非接触供电电梯。本发明涉及的非接触供电系统包括:安装于轿厢的受电部;安装于电梯井的送电部;以及控制所述轿厢的升降的控制装置,在通过从所述送电部向所述受电部以非接触方式供电来向所述轿厢进行供电的非接触供电电梯中,其特征在于,所述控制装置在包含非服务层和服务层在内的区间中使所述轿厢升降,其中,非服务层是指乘客无法进出轿厢的楼层,服务层是指比所述非服务层更高层且乘客能进出轿厢的楼层,所述送电部设于在比所述非服务层更高层的服务层中、不发生乘客的进出轿厢而通过的通过频次高的楼层。
  • 接触供电电梯
  • [发明专利]电梯以及控制方法-CN201810286333.3有效
  • 森和久;山田正明;松本洋平;羽鸟贵大;星野孝道 - 株式会社日立制作所
  • 2018-04-02 - 2021-01-08 - B66B1/24
  • 一种电梯以及控制方法,抑制搭载于轿厢的蓄电装置的蓄电容量的增大,并且可靠地抑制蓄电余量的下降。本发明的一个方式是一种电梯,具备搭载有蓄电装置的多个轿厢和对基于用于呼叫该轿厢的呼叫信号的呼叫层信息、以及基于用于登记目的地层的登记信号的目的地层信息进行响应来控制各电梯的轿厢的运行的群管理控制装置,在轿厢停止在供电层时进行供电。上述群管理控制装置至少基于呼叫层信息、每个电梯的供电层的信息即供电层设定信息、和包含接收呼叫信号之前已经登记的呼叫层以及目的地层的信息的已登记目的地层信息,控制各电梯的轿厢的运行,使得不超过向不能供电的非供电层的连续停止允许次数的规定值。
  • 电梯以及控制方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202010572172.1在审
  • 嘉屋旨哲;永久克己;下村彰宏;柳川洋;森和久 - 瑞萨电子株式会社
  • 2020-06-22 - 2020-12-29 - H01L29/78
  • 本申请涉及半导体器件。为了减小导通电阻同时抑制具有超级结结构的垂直MOSFET的特性变化的增加,垂直MOSFET包括具有n型漂移区的半导体衬底、在n型漂移区的表面上形成的p型基极区、以预定间隔布置在p型基极区下部的n型漂移区中的多个p型列区、底表面到达比p型基极区更深的位置并且布置在相邻p型列区之间的多个沟槽、在多个沟槽中形成的多个栅极电极、和在栅极电极的侧面上的p型基极区中形成的n型源极区。
  • 半导体器件

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