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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体发光器件的制造方法-CN200710001309.2无效
发明人：住友弘幸;梶山训;上田诚 -专利权人：优迪那半导体有限公司
申请日： 2007-01-09 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成化合物半导体层，该化合物半导体层具有以下结构，第一导电类型包层、有源层、第二导电类型包层依次层叠在基板上，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及在所述复合半导体中的波导内，在要成为端面的区域中形成低折射率区域，来自所述波导的输出光从该端面出射，所述低折射率区域具有比所述波导中的其他区域更低的等效折射率。形成所述低折射率区域的所述步骤包括以下步骤：确定所述低折射率区域在所述波导的纵向方向上的宽度从而将所述半导体发光器件的输出光的发射角控制为期望值；以及形成具有该宽度的所述低折射率区域。
半导体发光器件制造方法

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