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[实用新型]LCD液晶显示屏检测装置-CN202222090743.5有效
发明人：高丽萍;张敏;向康;张跃;彭洪勇;王彪;梁渲祺;陈婷婷 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种LCD液晶显示屏检测装置，包括检测机构，检测机构包括上端固定且沿竖直方向活动的伸缩杆，伸缩杆下端固定安装有第一检测板，第一检测板下表面通过连接块固定连接有第二检测板，第二检测板的中心位置处活动安装有固定挤压管，固定挤压管的下端穿过所述第二检测板的底部穿过且固定挤压管的上端与第一检测板下表面弹性连接；第二检测板的四角活动安装有水平检测管，水平检测管的下端穿过所述第二检测板的底部且所述水平检测管的上端与第一检测板下表面弹性连接。本实用新型的LCD液晶显示屏平整度检测装置。本实用新型的LCD液晶显示屏检测装置结构简单，成本较低，方便后期日常维护与检修，适合大范围推广。
lcd 液晶显示屏检测装置

[实用新型]基板处理设备-CN201620409839.5有效
发明人：刘小宁;王世凯;金童燮;耿军;胡臻;梁渲祺;张沣;黄腾飞;潘洋;蒋中任 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基板处理设备，包括刻蚀区间，其特征在于，所述设备包括被布置在刻蚀区间的基板入口外的一个或多个气雾吸收装置，所述气雾吸收装置包括一个或多个喷淋管。该气雾吸收装置能够吸收来自刻蚀区间的刻蚀液气雾，从而降低该气雾对其余基板处理部件的伤害。
处理设备

[发明专利]一种用于湿法刻蚀的清洁系统-CN201510325938.5在审
发明人：刘小宁;郑载润;王世凯;金童燮;耿军;李登涛;梁渲祺;黄腾飞 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种用于湿法刻蚀的清洁系统。该清洁系统包括清洁单元以及依次连通的刻蚀区间、缓冲区间及清洗区间；在所述清洗区间的入口设有气刀单元，所述清洁单元与所述气刀单元对应设置，用于清洗所述气刀单元。该清洁系统通过清洁单元有效地去除附着在气刀刀口及周边的刻蚀液结晶和灰尘颗粒；该清洁系统能够代替人工对气刀的清洁，提高设备的稼动率，且在确保清洁效果的同时，最大限度的减少人力浪费，同时能避免因长时间打开设备腔室而造成设备内颗粒增加，影响产品的良率。
一种用于湿法刻蚀清洁系统

[发明专利]一种液刀清洗装置-CN201410682980.8有效
发明人：李登涛;郑载润;王世凯;金童燮;许亚东;梁渲祺;王华东 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种液刀清洗装置，以提高基板的均一性，进而提高产品品质。液刀清洗装置包括：固定于清洗腔室侧壁的防溅罩；液刀，位于防溅罩的下方；斜挡板，位于防溅罩和液刀之间，斜挡板的较高侧与清洗腔室的侧壁固定连接，斜挡板的较低侧与液刀的刀口顶部固定连接。斜挡板可将液刀和传送滚轮上的基板与大部分水汽隔离，滴落在斜挡板上的液滴可沿斜挡板的斜面流下，而不会滴落在液刀尚未冲洗的基板上。相比于现有技术，本方案可大大减少液滴对基板均一性的影响，从而提高了产品品质。
一种清洗装置

[实用新型]一种液刀清洗装置-CN201420713520.2有效
发明人：李登涛;郑载润;王世凯;金童燮;许亚东;梁渲祺;王华东 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液刀清洗装置，以提高基板的均一性，进而提高产品品质。液刀清洗装置包括：固定于清洗腔室侧壁的防溅罩；液刀，位于防溅罩的下方；斜挡板，位于防溅罩和液刀之间，斜挡板的较高侧与清洗腔室的侧壁固定连接，斜挡板的较低侧与液刀的刀口顶部固定连接。斜挡板可将液刀和传送滚轮上的基板与大部分水汽隔离，滴落在斜挡板上的液滴可沿斜挡板的斜面流下，而不会滴落在液刀尚未冲洗的基板上。相比于现有技术，本方案可大大减少液滴对基板均一性的影响，从而提高了产品品质。
一种清洗装置

[发明专利]不同线密度的一维硅纳米线的制备方法-CN201210325381.1无效
发明人：姬广斌;刘有松;汪俊逸;梁渲祺;张兴淼 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种不同线密度的一维硅纳米线的制备方法，包括以下步骤：a、硅片的预处理；b、金属催化刻蚀法制备一维硅纳米线阵列，分以下两步：第一步，沉积银纳米颗粒：将经预处理的硅片于HF-AgNO3的混合水溶液中浸渍20～40s，其中HF的浓度为0.1～0.2mol/L，AgNO3的浓度为0.008～0.012mol/L；第二部，金属辅助刻蚀：将第一步得到硅片浸入HF-H2O2的混合刻蚀液中，并在室温下刻蚀20～40min；c、后处理。制得的一维硅纳米线阵列在紫外漫反射，光电流特性和光催化反应过程中光电性能有明显的提高，且可以调整工艺参数从而控制硅纳米线的形貌和密度，制备方法简单，成本低廉无污染。
不同密度一维硅纳米制备方法