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[实用新型]气液旋转分配结构-CN202320112642.5有效
发明人：潘文成;王俊林;梁文琼 -专利权人：上汽通用五菱汽车股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： F16L27/087 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种气液旋转分配结构，属于气液旋转分配领域，气液旋转分配结构主要包括旋转部，固定部和陶瓷件；固定部具有套孔，固定部套设于部分旋转部的外侧；陶瓷件设置于旋转部和固定部之间，以降低旋转部和固定部之间的旋转摩擦。通过本申请提供的实施例，部分旋转部在固定部的套孔内旋转，旋转部和固定部的旋转连接处设置有陶瓷件，降低旋转部和固定部之间的摩擦，提高了旋转部的使用寿命，使得气液旋转分配结构能够连续工作。
旋转分配结构

[发明专利]集成二维太赫兹超材料频谱调制器及其制备方法-CN201811125409.0在审
发明人：李修函;郭海洋;许巍;梁文琼;徐冬冬;魏国武;毕亚琪 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G02F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成二维材料的频谱调制器及其制备方法，属于调制器技术领域，该调制器包括依次设置的金属电极层、衬底、金属阵列超材料结构层以及二维材料层，金属阵列超材料结构层包括绝缘介质以及镶嵌于绝缘介质中的金属阵列结构层；金属阵列结构层由若干个金属结构阵列排列组成。本发明二维材料层作为外加电压调制层，具有超高的电子迁移率和反常量子霍尔效应，在外部偏置电压下，使整个调制器的调制深度有明显的提高；在外加调制电压下改变调制器的调制深度，在较低的调制电压(0‑20V)下获得更加优异的调制特性,在太赫兹波范围内，可对0.1‑1.2Thz的波段进行调制，调制范围更大，调制深度更好，在0.56Thz时，调制深度最好，可以达到58.9％。
调制二维材料调制器金属阵列结构超材料结构频谱调制器调制电压金属阵列绝缘介质制备电子迁移率调制器技术金属电极层调制特性霍尔效应金属结构偏置电压太赫兹波外加电压依次设置阵列排列超材料调制层波段衬底二维量子镶嵌外部

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