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- [发明专利]存储单元-CN03825092.6无效
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巴里·H·哈里森;西马·迪米特里耶夫
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格里菲斯大学
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2003-09-12
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2005-11-09
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G11C11/36
- 一种利用碳化硅(SiC)，以提供不平衡的电荷隔离以及快速和非破坏性的充电/放电的一晶体管(1T)NVRAM单元。为了能够检测受控制的电阻(和许多存储器电平)而不是电容器，单元引入可以用硅或SiC实现的存储晶体管。1T单元具有二极管隔离，以便能够实现在目前的快闪存储器中使用的结构，特别是NOR和NAND阵列。具有二极管隔离的1T单元并不局限于SiC二极管。制造方法包括在SiC衬底上形成氮化的二氧化硅栅极，并随后进行离子注入，然后完成自对准MOSFET形成的步骤。
- 存储单元
- [发明专利]抗微生物剂-CN03808876.2无效
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劳伦斯·M·冯伊茨泰恩;罗斯·L·科佩尔;克里斯托弗·B·戴维斯;罗宾·J·汤姆森;戴维·J·欧文
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格里菲斯大学;蒙纳希大学
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2003-02-21
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2005-07-27
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C07D307/20
- 通式(I)的化合物或其可药用盐，其中R1和R2可相同或不同并选自氢、任选取代的C4－30烷基和任选取代的C4－30链烯基，条件是R1和R2不都为氢，或R1和R2与其连接的氮原子一起形成饱和的或不饱和的、任选取代的杂环基，其可包括其他的选自O、N和S的杂原子，或R1和R2与其连接的氮原子一起形成任选取代的内酰胺成分；X1选自OR3、SR3、NR3R’3、氢、卤素、CN、C(O)NR3R’3、C(O)OR3、OSO3R3、OPO3R3、NNR3R’3、SNR3R’3、NHSR3、SSR3以及取代的烷基；X2选自OR4、SR4、NR4R’4、氢、卤素、CN、C(O)NR4R’4、C(O)OR4、OSO3R4、OPO3R4、NNR4R’4、SNR4R’4、NHSR4、SSR4以及取代的烷基；X3选自OR5、SR5、NR5R’5、氢、卤素、CN、C(O)NR5R’5、C(O)OR5、OSO3R5、OPO3R5R’5、NNR5R’5、SNR5R’5、NHSR5、SSR5以及取代的烷基；X4选自OR6、SR6、NR6R’6、氢、卤素、CN、C(O)NR6R’6、C(O)OR6、OSO3R6、OPO3R6R’6、NNR6R’6、SNR6R’6、NHSR6、SSR6以及取代的烷基；R3、R’3、R4、R’4、R5、R’5、R6和R’6相同或不同并选自氢、任选取代的烷基、任选取代的芳烷基、任选取代的芳基、任选取代的酰基以及糖成分。
- 抗微生物剂
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