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[发明专利]光电元件及其制造方法-CN202010310878.0有效
发明人：陈昭兴;王佳琨;沈建赋;柯竣腾 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件及其制造方法，该光电元件包含：一基板，具有一第一侧及一第二侧相对第一侧，及一第一外边界；一发光二极管单元形成在第一侧；一第一电极电连接发光二极管单元；一第二电极电连接发光二极管单元；以及一散热垫形成在第一电极与第二电极之间，并与发光二极管单元电性隔绝。
光电元件及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN202111149489.5在审
发明人： 柯竣腾;陈昭兴;王佳琨;郭彦良;陈志濠;钟伟荣;王志铭;彭韦智;洪详竣;林予尧 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含：半导体叠层，具有第一半导体层、第二半导体层以及活性层；孔部暴露区，位于半导体叠层内，暴露出第一半导体层；第一导电层对应孔部暴露区；第一绝缘层，位于半导体叠层与第一导电层之间，包含开口对应孔部暴露区，第一导电层通过开口与第一半导体层电连接；第一电极层，位于第一导电层上，包含连接电极层对应第一导电层，与第一半导体层电连接；接合层，位于第一电极层上，与连接电极层电连接；导电基板，半导体叠层位于接合层的一侧，导电基板位于接合层相对于半导体叠层的另一侧；暴露区域，位于发光元件的一边或角落，与半导体叠层不重叠；及打线垫，位于暴露区域上，电连接第二半导体层。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201711089661.6有效
发明人： 柯竣腾;陈昭兴;王佳琨;郭彦良;陈志濠;钟伟荣;王志铭;彭韦智;洪详竣;林予尧 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法。该发光元件包含：半导体叠层具有第一半导体层，第二半导体层以及活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间；环绕暴露区，位于半导体叠层的周围，暴露出第一半导体层的一表面；导电层，位于第二半导体层上，具有第一导电区延伸接触环绕暴露区内的表面；电极层，位于环绕暴露区上环绕半导体叠层并接触导电层，包含一电极垫与半导体叠层不重叠；外侧绝缘层，覆盖导电层的一部分及电极层，且包含一第一开口暴露导电层的另一部分；接合层，覆盖外侧绝缘层，并经由第一开口与导电层的另一部分电连接；以及一导电基板，其中半导体叠层位于接合层的一侧，导电基板位于接合层相对于半导体叠层的另一侧。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201910129615.7有效
发明人： 柯竣腾;郭得山;涂均祥;邱柏顺;钟健凯;叶慧君;蔡旻谚;柯淙凯;陈俊扬 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含一第一半导体层；以及一透明导电氧化层，其包含一具有一第一金属材料的扩散区域及一不具有第一金属材料的非扩散区域，其中非扩散区域比扩散区域更靠近第一半导体层。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN201810153850.3有效
发明人：郭得山;柯竣腾;涂均祥;邱柏顺 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，包含：一基板；一半导体叠层包含一第一半导体层在基板上，一主动层在第一半导体层上，以及一第二半导体层在主动层上；以及一电极结构在第二半导体层上，其中电极结构包含一打线层，一传导层以及一第一阻障层位于打线层及传导层之间，其中，传导层的标准氧化电位高于打线层的标准氧化电位。
发光元件

[发明专利]光电元件及其制造方法-CN201410283842.2有效
发明人：陈昭兴;王佳琨;沈建赋;柯竣腾 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种光电元件及其制造方法，该光电元件包含：一基板，具有一第一侧及一第二侧相对第一侧，及一第一外边界；一发光二极管单元形成在第一侧；一第一电极电连接发光二极管单元；一第二电极电连接发光二极管单元；以及一散热垫形成在第一电极与第二电极之间，并与发光二极管单元电性隔绝。
光电元件及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN201710679583.9有效
发明人：郭得山;柯竣腾;涂均祥;邱柏顺 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，包含：一基板；一半导体叠层包含一第一半导体层在基板上，一主动层在第一半导体层上，以及一第二半导体层在主动层上；以及一电极结构在第二半导体层上，其中电极结构包含一打线层，一传导层以及一第一阻障层位于打线层及传导层之间，其中，传导层的标准氧化电位高于打线层的标准氧化电位。
发光元件

[发明专利]发光元件及其制造方法-CN201310534180.7有效
发明人： 柯竣腾;郭得山;涂均祥;邱柏顺;钟健凯;叶慧君;蔡旻谚;柯淙凯;陈俊扬 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制造方法。发光元件包含一第一半导体层；以及一透明导电氧化层，其包含一具有一第一金属材料的扩散区域及一不具有第一金属材料的非扩散区域，其中非扩散区域比扩散区域更靠近第一半导体层。
发光元件及其制造方法

[发明专利]发光元件-CN201310534722.0有效
发明人：郭得山;柯竣腾;涂均祥;邱柏顺 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，包含一基板；一半导体叠层包含一第一半导体层在基板上，一主动层在第一半导体层上，以及一第二半导体层在主动层上；以及一电极结构在第二半导体层上，其中电极结构包含一打线层，一传导层以及一第一阻障层位于打线层及传导层之间，其中，传导层的标准氧化电位高于打线层的标准氧化电位。
发光元件

[发明专利]发光元件-CN201410313551.3在审
发明人：郭得山;涂均祥;邱柏顺;柯竣腾 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，该发光元件包含：一半导体接触层包含一粗糙顶面，其包含两相邻的第一顶峰及一第一波谷，各第一顶峰包含一第一最高点，第一波谷包含一第一最低点，两个第一最高点与第一最低点连接形成两条第一斜线且之间有一第一角度；及一透明电流扩散层包含一顶面，其包含两相邻的第二顶峰以及一第二波谷，各第二顶峰包含一第二最高点，第二波谷包含一第二最低点，顶面的两个第二最高点与第二最低点连接形成两条第二斜线且之间有一第二角度；其中半导体接触层的粗糙顶面大致位于透明电流扩散层的顶面的正下方，第一角度与第二角度的差异不大于10度。
发光元件

[发明专利]具有布拉格反射层位于窗户层之间的发光元件-CN201310294349.6在审
发明人：邱柏顺;郭得山;涂均祥;柯竣腾 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开一种具有布拉格反射层位于窗户层之间的发光元件，其包含一基板；一发光叠层，位于基板之上；一第一窗户层，位于基板之下；以及一布拉格反射层，位于第一窗户层之下；其中以剖面观之，第一窗户层的宽度与基板的宽度大致相等。
具有布拉格反射层位于窗户之间发光元件

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