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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310662727.5在审
发明人：詹贵麟;颜甫庭;彭羽筠;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，包括一种后沉积处理可以施加在原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)沉积的膜层上，以封闭位于表面处的一或多个缝隙。缝顶处理可以物理性合并缝隙的两侧，使表面表现为一种连续的材料，以容许在膜层的表面上以实质上一致的速率进行蚀刻。缝顶处理可用于合并半导体结构中原子层沉积(ALD)沉积膜层的缝隙，如栅极全绕式场效晶体管(gate‑all‑around field effect transistor,GAAFET)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]红光量子点、发光材料及红光量子点的制造方法-CN202210482944.1有效
发明人： 林耕竹 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明提供一种量子点、发光材料及量子点的制造方法。量子点在特征波长的发光强度与吸收强度的比值在1.5×108至2.0×109每秒记数/吸收度(CPS/Abs.)的范围中。特征波长为量子点的发光峰的最大值的一半所对应到的两个波长中的较小者。
红光量子发光材料制造方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202211069117.6在审
发明人：叶韦廷;颜鸿宇;彭羽筠;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体器件结构和形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成牺牲基层以及在牺牲基层上方形成半导体堆叠件。半导体堆叠件具有位于牺牲基层上方的第一半导体层、位于第一半导体层上方的牺牲层和位于牺牲层上方的第二半导体层；在形成外延源极/漏极结构之前，去除牺牲基层，以在衬底和第一半导体层之间形成间隙；以及在间隙中形成含金属的多层介电结构。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202210916084.8在审
发明人：彭羽筠;颜甫庭;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。涉及用于在纳米结构晶体管中的源极/漏极(S/D)外延结构及金属栅极结构之间制造间隔物结构的方法。方法包括在基板上形成具有交替的第一及第二纳米结构元件的鳍片结构。方法也包括蚀刻鳍片结构中的第一纳米结构元件的边缘部分以形成空腔。再者，在鳍片结构上沉积间隔物材料以填充空腔并移除空腔中的一部分间隔物材料，以在间隔物材料中形成开口。此外，方法包括在基板上形成S/D外延结构以邻接鳍片结构及间隔物材料，使得S/D外延结构的侧壁部分密封间隔物材料中的开口，以在间隔物材料中形成气隙。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210937879.7在审
发明人：张旭凯;朱家宏;梁顺鑫;林耕竹;林斌彦;王菘豊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开描述了一种半导体结构。半导体结构可包括基板，基板上方的栅极结构，相邻栅极结构的源/漏极(S/D)接触结构，位于源/漏极接触结构上方和栅极结构上方的介电材料层，穿过介电材料层形成的有机金属材料层，以及穿过介电材料层形成且接触源/漏极接触结构和栅极结构的沟槽导体层。有机金属材料层可位于介电材料层和沟槽导体层之间。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202210947781.X在审
发明人：邱德洋;颜甫庭;彭羽筠;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体结构。半导体结构包括具有含碳的第一储存层的第一晶片、具有含碳的第二储存层的第二晶片以及介于第一晶片和第二晶片之间且与第一储存层和第二储存层接触的结合层。
半导体结构

[发明专利]半导体装置-CN202210956764.2在审
发明人：姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德;马哈维;张惠政;林耕竹;陈维宁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括第一类型的第一晶体管装置，其包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及在第一纳米结构上的第一栅极电极；形成在第一晶体管装置上方的第二类型的第二晶体管装置，其包括在第一纳米结构上方的第二纳米结构、在第一对源极/漏极结构上方的第二对源极/漏极结构及在第二纳米结构上及第一纳米结构上方的第二栅极电极；在第一纳米结构及第二纳米结构之间的第一隔离结构；与第一对源极/漏极结构的顶表面接触的第二隔离结构；以及第二隔离结构及第二对源极/漏极结构之间的籽晶层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210956769.5在审
发明人：姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德;马哈维;张惠政;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括第一类型的第一晶体管装置及第二类型的第二晶体管装置。第一晶体管装置包括第一纳米结构、第一对源极/漏极结构及第一纳米结构上的第一栅极结构。第二类型的第二晶体管装置形成在第一晶体管装置上方。第二晶体管装置包括第一纳米结构上方的第二纳米结构、第一对源极/漏极结构上方的第二对源极/漏极结构及第二纳米结构上及第一纳米结构上方的第二栅极结构。半导体装置还包括与第一及第二纳米结构接触的第一隔离结构及与第一对源极/漏极结构的顶表面接触的第二隔离结构。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210873719.0在审
发明人：王振翰;林耕竹;洪宗佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了具有接触结构的不同配置的半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上形成第一鳍结构和第二鳍结构，在第一鳍结构和第二鳍结构上分别形成n型源极/漏极(S/D)区域和p型源极/漏极区域，在n型S/D区域和p型S/D区域上分别形成第一氧化停止层和第二氧化停止层，在第一氧化停止层和第二氧化停止层上分别外延生长第一半导体层和第二半导体层，将第一半导体层和第二半导体层分别转化为第一半导体氧化物层和第二半导体氧化物层，在p型S/D区域上形成第一硅锗化物层，以及在第一硅锗化物层和n型S/D区域上形成第二硅锗化物层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210729705.1在审
发明人：姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德;彭羽筠;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括晶体管，包括源极/漏极区，包括：前表面和后表面，后表面相对前表面；以及自对准硅化物(salicide)区，在后表面上；通道区，接触源极/漏极区，并包括与源极/漏极区的前表面共平面的前表面；以及栅极结构，设置在通道区的前表面上；以及后侧接触结构，包括：导电接触件，接触自对准硅化物区；以及衬层，围绕导电接触件。
半导体装置

[发明专利]半导体结构-CN202210678089.1在审
发明人：姆鲁尼尔·阿必吉斯·卡迪尔巴德;彭羽筠;陈科夆;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构。半导体结构可包括基板；第一接点结构与第二接点结构，彼此相邻并位于基板上；以及第一介电层与第二介电层，分别形成于第一接点结构与第二接点结构上。第一介电层的顶部可包括第一介电材料。第一介电层的底部可包括第二介电材料，且第二介电材料与第一介电材料不同。第二介电层可包括第三介电材料，且第三介电材料与第一介电材料不同。
半导体结构

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210680385.5在审
发明人：朱家宏;王菘豊;梁顺鑫;张旭凯;时定康;洪宗佑;蔡邦彦;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开描述了一种具有背面接触结构的半导体装置的形成方法。所述方法包括形成半导体装置在基板的第一侧上。所述半导体装置包括源极/漏极(S/D)区域。所述方法更包括蚀刻在基板的第二侧上的S/D区域的一部分，以形成开口；及形成外延接触结构在开口中的S/D区域上。第二侧与第一侧相对。外延接触结构包括与在开口中的S/D区域接触的第一部分及在第一部分上的第二部分。第二部分的宽度大于第一部分。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体结构-CN202210524292.3在审
发明人：梁顺鑫;刘奕莹;张正伟;廖健顺;黄楷庭;纪志坚;张旭凯;朱家宏;林耕竹;王菘豊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构，描述形成包含钌金属衬垫和钴金属填充物的金属层的方法，此方法包含在基底上沉积第一电介质，栅极结构和源极/漏极结构(S/D)在基底上；在第一电介质中形成开口，以暴露源极/漏极结构；以及在开口的底部和侧壁表面上沉积钌金属。此方法还包含在钌金属上沉积钴金属，以填充开口；将钴金属回焊；以及将钴金属和钌金属平坦化，以形成源极/漏极导电结构，源极/漏极导电结构的顶表面与第一电介质的顶表面共平面。
半导体结构

[发明专利]互连结构-CN202210344628.8在审
发明人：彭羽筠;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提出了一种互连结构。在一些实施例中，互连结构包括设置于一或多个装置之上的一第一介电层、设置于第一介电层中的一第一导电特征、设置于第一介电层及第一导电特征之上的一第二介电层以及设置于第二介电层中的一第二导电特征。第二导电特征电性连接到第一导电特征。互连结构进一步包括设置于第一与第二介电层之间的一散热层，且散热层部分地围绕第二导电特征并与第一及第二导电特征电性隔离。
互连结构

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210079494.1在审
发明人：陈婷婷;何彩蓉;葛宗翰;郑雅如;彭辞修;王振翰;梁顺鑫;上野哲嗣;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开描述了一种在栅极结构及源极/漏极(source/drain,S/D)接触件结构之间形成中间间隔物结构并移除中间间隔物结构的顶部以形成凹槽的方法。中间间隔物结构包括第一间隔层、第二间隔层、以及位于第一间隔层及第二间隔层之间的牺牲间隔层。方法还包括移除牺牲间隔层以在第一间隔层及第二间隔层之间形成气隙，以及在气隙、第一间隔层及第二间隔层上旋涂介电层以填充凹槽及密封气隙。介电层包括用于旋涂介电材料的原料。
半导体装置形成方法

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