专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体发光元件及其制法-CN200810187393.6有效
  • 李承士;殷寿志;谢馨仪;林神江 - 佰鸿工业股份有限公司
  • 2008-12-31 - 2010-07-07 - H01L33/00
  • 一种半导体发光元件,包含:一半导体晶片及一受激发光层。受激发光层覆盖于半导体晶片上,受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚,对应发光强度较弱区域厚度较薄,受激发光层对应于发光强度较强区域的厚度与对应于发光强度较弱区域的厚度比大于1而小于5。其制法,包含:a)提供一半导体晶片,并量测其出光强度分布;b)依据该半导体晶片的出光强度分布决定一受激发光层的形状,使受激发光层对应半导体晶片的发光强度较强区域的厚度较厚,对应发光强度较弱区域厚度较薄,以使各出光角度色温均匀,并制作一具有预定形状的治具;c)借由治具于半导体晶片上形成一受激发光层。目的在于借由受激发光层的形状补偿晶片发光强度不均的缺点,达到色度均匀。
  • 半导体发光元件及其制法

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