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[发明专利]表面修饰无机氮化物、组合物、导热材料及带导热层的器件-CN201880043394.5有效
发明人：人见诚一;高桥庆太;林直之;林大介 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明提供一种分散性优异的表面修饰无机氮化物。并且，提供一种包含上述表面修饰无机氮化物的组合物、导热材料及带导热层的器件。本发明的表面修饰无机氮化物包含无机氮化物和吸附于无机氮化物表面上的下述通式(1)所表示的化合物。
表面修饰无机氮化物组合导热材料器件

[发明专利]表面修饰无机氮化物、组合物、导热材料及带导热层的器件-CN201880041483.6有效
发明人：人见诚一;高桥庆太;林直之;新居辉树;林大介 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明的第1课题在于提供一种分散性优异的表面修饰无机氮化物。并且，本发明的第2课题在于提供一种包含上述表面修饰无机氮化物的组合物、导热材料及带导热层的器件。本发明的表面修饰无机氮化物包含无机氮化物和吸附于上述无机氮化物表面上的特定化合物，上述特定化合物具有选自包括硼酸基、醛基、异氰酸酯基、异硫氰酸酯基、氰酸酯基、酰基叠氮基、琥珀酰亚胺基、磺酰氯基、羧酰氯基、鎓基、碳酸酯基、卤代芳基、碳二亚胺基、酸酐基、羧酸基、膦酸基、次膦酸基、磷酸基、磷酸酯基、磺酸基、卤代烷基、腈基、硝基、酯基、羰基、酰亚胺酯基、烷氧基甲硅烷基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、氧杂环丁基、乙烯基、炔基、马来酰亚胺基、硫醇基、羟基、卤原子及氨基的组中的官能团，且具有包含选自包括芳香族烃环及芳香族杂环的组中的2环以上的稠环结构。
表面修饰无机氮化物组合导热材料器件

[发明专利]表面修饰无机氮化物、组合物、导热材料及带导热层的器件-CN201880043393.0有效
发明人：人见诚一;高桥庆太;林直之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种分散性优异的表面修饰无机氮化物。并且，本发明的另一课题在于提供一种包含上述表面修饰无机氮化物的组合物、导热材料及带导热层的器件。本发明的表面修饰无机氮化物包含无机氮化物和吸附于上述无机氮化物表面上的下述通式(I)所表示的化合物。
表面修饰无机氮化物组合导热材料器件

[发明专利]表面修饰无机氮化物、组合物、导热材料及带导热层的器件-CN201880042230.0有效
发明人：人见诚一;高桥庆太;林直之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明的第1课题在于提供一种分散性优异的表面修饰无机氮化物。并且，本发明的第2课题在于提供一种包含上述表面修饰无机氮化物的组合物、导热材料及带导热层的器件。本发明的表面修饰无机氮化物包含无机氮化物和吸附于上述无机氮化物表面上的下述通式(I)所表示的化合物。通式(1)中，n表示3以上的整数。X表示芳香族烃环基或芳香族杂环基。Y表示单键、‑O‑、‑CO‑、‑CO‑O‑、‑O‑CO‑、‑S‑、‑CS‑、‑NRA‑、‑N＝N‑或2价不饱和烃基。RA表示氢原子或烷基。R1及R2各自独立地表示取代基。其中，R1及R2中的至少任一者表示包含选自特定官能团组A中的特定官能团的1价的有机基团。另外，通式(1)中，具有多个的X各自可以相同也可以不同。并且，具有多个的X各自可以相同也可以不同。
表面修饰无机氮化物组合导热材料器件

[发明专利]热电转换元件及热电转换元件的制造方法-CN201480070902.0有效
发明人：米仓修;林直之;加纳丈嘉;青合利明;杉浦宽记 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L35/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有由有机材料构成的热电转换层且能够有效地进行发电的热电转换元件、以及该热电转换元件的制造方法。本发明的热电转换元件具有：第1基板，在面方向上具有导热率比其他区域高的高导热部；热电转换层，形成于第1基板上，并由有机材料构成，且面方向的导电率比厚度方向高；及第2基板，形成于热电转换层上，在面方向上具有导热率比其他区域高的高导热部，且在面方向上，高导热部与第1基板的高导热部并不完全重合。
热电转换元件制造方法

[发明专利]热电转换元件、n型热电转换层及n型热电转换层形成用组合物-CN201580047923.5有效
发明人：永田裕三;杉浦宽记;林直之;野村公笃 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L35/22 文献下载
摘要：本发明提供一种导电率及热电动势优异且在高热环境下也抑制热电动势的变化的n型热电转换层及具有该n型热电转换层的热电转换元件、n型热电转换层形成用组合物。本发明的热电转换元件具有n型热电转换层及与n型热电转换层电连接的p型热电转换层，n型热电转换层含有碳纳米管与包含以通式(1)表示的重复单元的化合物。通式(1)中，L₁表示2价烃基。n表示2以上的整数。X表示‑O‑、‑CH(OH)‑、‑S‑、‑OC(＝O)O‑、‑C(＝O)‑、‑OC(＝O)‑或或包含酰胺基的2价基团。
热电转换元件形成组合

[发明专利]热电转换装置-CN201480045581.9有效
发明人： 林直之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种热电转换性能的经时劣化得到抑制的热电转换装置。本发明的热电转换装置具备：基板；热电转换元件，配置于基板上，并具有含有有机热电转换材料的热电转换层及一对电极；及外敷层，以覆盖热电转换元件的方式配置，并含有劣化抑制剂及有机粘合剂。
热电转换装置

[发明专利]热电转换元件及热电转换模块-CN201480033507.5有效
发明人： 林直之;高桥依里 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L35/30 文献下载
摘要：本发明提供一种热电转换元件及使用该热电转换元件的热电转换模块，所述热电转换元件在基板上形成电极对，在电极对之间形成绝缘层，分别在一个电极上形成包含有机n型热电转换材料的n型热电转换层，在另一个电极上形成包含有机p型热电转换材料的p型热电转换层，并且n型热电转换层及有机p型热电转换层具有被绝缘层隔开的隔开区域、以及其上部的彼此接合的接触区域。
热电转换元件模块

[发明专利]热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源-CN201480004536.9有效
发明人：西尾亮;野村公笃;丸山阳一;林直之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L35/24 文献下载
摘要：本发明涉及热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源。本发明的热电转换元件(1)是在基材(12)上具有第一电极(13)、热电转换层(14)和第二电极(15)的热电转换元件(1)，在该热电转换层(14)中含有纳米导电性材料、以及至少含有通式(1A)或(1B)所表示的芴结构作为重复结构的高分子；本发明的热电发电用物品和传感器用电源使用了该热电转换元件(1)；本发明的热电转换材料含有该高分子和纳米导电性材料。式中，R11和R12各自独立地表示取代基。R13和R14各自独立地表示芳香族烃环基、芳香族杂环基、烷基或烷氧基。此处，R13与R14可以相互键合而形成环。n11和n12b各自独立地表示0～3的整数，n12表示0～2的整数。La表示单键、‑N(Ra)‑或将选自由2价芳香族烃环基、2价芳香族杂环基以及‑N(Ra)‑组成的组中的基团组合而成的连接基团。Lb表示单键、2价芳香族烃环基、2价芳香族杂环基、‑N(Ra)‑、或者将这些基团组合而成的连接基团。此处，Ra表示取代基。Xb表示3价芳香族烃环基、3价芳香族杂环基或>N‑。*表示键合位置。
热电转换材料元件以及使用发电物品传感器用电源

[发明专利]热电转换层的制造方法及热电转换元件-CN201480037691.0有效
发明人： 林直之;加纳丈嘉 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够有效地制造热电转换性能优异的热电转换层的热电转换层的制造方法及热电转换元件。本发明的热电转换层的制造方法包括如下工序，即对包含有机材料及可以热电转换的无机材料的前体层实施照射光的光烧成处理，并形成具有孔隙的热电转换层。
热电转换制造方法元件

[发明专利]热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源-CN201480004535.4有效
发明人：野村公笃;西尾亮;林直之;丸山阳一 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L35/24 文献下载
摘要：本发明涉及热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源。本发明的热电转换元件(1)是在基材(12)上具有第一电极(13)、热电转换层(14)和第二电极(15)的热电转换元件(1)，在该热电转换层(14)中含有纳米导电性材料、以及至少含有通式(1)所表示的结构作为重复结构的高分子；本发明的热电发电用物品和传感器用电源等使用了该热电转换元件(1)；本发明的热电转换材料含有该高分子和纳米导电性材料。通式(1)中，Ar11和Ar12表示亚芳基或杂亚芳基。Ar13表示芳基或杂芳基。R11、R12和R13表示取代基。此处，R11与R12、R11与R13、R12与R13可以相互键合而形成环。L表示单键或下式(l‑1)～(l‑4)中的任意式所表示的连接基团。n11、n12和n13表示0～4的整数，n1表示5以上的整数。连接基团中，Ar14和Ar16表示亚芳基或杂亚芳基，Ar15表示芳基或杂芳基。R14～R16表示取代基。此处，R14与R12、R15与R12、R16与R12、R15与R16可以相互键合而形成环。n14～n16表示0～4的整数。X1表示亚芳基羰基亚芳基或亚芳基磺酰基亚芳基，X2表示亚芳基、杂亚芳基或者将它们组合而成的连接基团。
热电转换材料元件以及使用发电物品传感器用电源

[发明专利]热电转换材料和热电转换元件-CN201280053958.6有效
发明人：西尾亮;青合利明;林直之;高桥依里 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L35/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种热电转换材料和使用了该热电转换材料的热电转换元件，所述热电转换材料为含有碳纳米管和共轭高分子的热电转换材料，该共轭高分子为包含至少下述(A)和(B)作为具有共轭体系的重复单元的共轭高分子，(A)烃环和/或杂环进行3环以上稠合而成的稠多环结构；(B)单环的芳香族烃环结构、单环的芳香族杂环结构或包含这些的稠环结构。
热电转换材料元件

[发明专利]热电转换元件的制造方法和热电转换层用分散物的制造方法-CN201480018311.9在审
发明人：高桥依里;林直之;丸山阳一 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种热电转换元件的制造方法，其为在基材上具有第1电极、热电转换层和第2电极的热电转换元件的制造方法，该制造方法具有以下工序：至少对纳米导电性材料和分散介质进行高速旋转薄膜分散法，制备含有纳米导电性材料的热电转换层用分散物；和将所制备的热电转换层用分散物涂布至基材上，并进行干燥；另外涉及一种热电转换层用分散物的制造方法，其中，至少对纳米导电性材料和分散介质进行高速旋转薄膜分散法。
热电转换元件制造方法分散

[发明专利]热电转换元件及其制造方法-CN201280051044.6在审
发明人： 林直之;青合利明;堀田吉则 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种热电转换元件及其制造方法，所述热电转换元件是在基板上层积热电转换层而成的，所述基板具有铝的多孔质阳极氧化皮膜，所述热电转换层含有无机氧化物半导体或熔点为300℃以上的元素作为主要成分且具有空隙结构。
热电转换元件及其制造方法

[发明专利]热电转换材料和热电转换元件-CN201280046622.7在审
发明人：西尾亮;青合利明;林直之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L35/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种热电转换材料，其为含有导电性高分子与热激发辅助剂的热电转换材料，其中，热激发辅助剂为在导电性高分子中不形成掺杂级的化合物；热激发辅助剂的LUMO(最低未占分子轨道)的能级与导电性高分子的HOMO(最高占据分子轨道)的能级满足下述数学式(I)。数学式(I)中，｜导电性高分子的HOMO｜表示导电性高分子的HOMO的能级的绝对值，｜热激发辅助剂的LUMO｜表示热激发辅助剂的LUMO的能级的绝对值。数学式(I)0.1eV≤｜导电性高分子的HOMO｜-｜热激发辅助剂的LUMO｜≤1.9eV。
热电转换材料元件

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