专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]打印钙钛矿晶体的方法及其应用-CN202310829208.3在审
  • 孙洪波;林琳涵;陈学广;李正操 - 清华大学
  • 2023-07-07 - 2023-10-13 - H10K71/40
  • 本发明公开了一种打印钙钛矿晶体的方法及其应用,上述打印钙钛矿晶体的方法包括:(1)将钙钛矿前驱体溶液设置在密封腔室内,钙钛矿前驱体溶液的上方具有气体区域且密封腔室的至少一面为透光面;(2)采用激光穿过透光面对钙钛矿前驱体溶液的待打印区域进行光激发,以使光激发的区域生成钙钛矿晶体。由此,可以得到具有优良光电性能的钙钛矿晶体,钙钛矿晶体加工分辨率极高,且极大简化了钙钛矿晶体生长和打印工艺,有利于实现钙钛矿晶体的商业化大批打印。
  • 打印钙钛矿晶体方法及其应用
  • [发明专利]一种大面积小尺寸核壳结构硅纳米线阵列的制备方法-CN201310452562.5有效
  • 李正操;苏诗茗;林琳涵;冯嘉猷 - 清华大学
  • 2013-09-27 - 2014-01-01 - H01L21/02
  • 本发明公开了硅纳米材料制备技术领域的一种大面积小尺寸核壳结构硅纳米线阵列制备的方法。该方法在硅基底上排布单层密排PS小球并对其进行反应离子刻蚀处理,然后采用磁控溅射法镀银,去除PS小球后,接着将基底进行银催化腐蚀,得到直径较大的硅纳米线阵列;再通过两次干法氧化处理将硅纳米线的直径减小至约50nm;最后借助氧化自饱和效应制备出内核直径小于10nm的核壳结构硅纳米线阵列。利用的方法制备出的硅纳米线阵列不仅能满足硅基光互连的尺寸要求,而且单晶性能良好,能覆盖较大面积,长径比可控性较强。本方法成本低、产率高、可调控性好,因而可在硅基光电子器件的生产中得到广泛应用。
  • 一种大面积尺寸结构纳米阵列制备方法

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