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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210378793.5在审
发明人： 林大钧;叶治东;蔡馥郁;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括沟道层、在沟道层上的栅极元件、至少部分地嵌入沟道层中的多个源极/漏极元件。多个源极/漏极元件位于栅极元件的相对两侧。多个源极/漏极元件包括金属元件和下硅化物元件，下硅化物元件介于金属元件和沟道层之间。下硅化物元件具有小于2at％的氢含量。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种可同时驱动LED灯和汞灯的UV固化电源-CN202310959126.0在审
发明人：丁亮亮;林大钧;林永旺;陈树根;花家勇 -专利权人：厦门能强电子科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H05B45/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种可同时驱动LED灯和汞灯的UV固化电源，其包括：三相整流模块、BUCK恒压模块、桥式逆变模块、控制模块、汞灯驱动模块和LED恒流驱动模块；三相整流模块连接三相交流电源和BUCK恒压模块的输入端，BUCK恒压模块具有两路相互独立的输出端；LED恒流驱动模块的输入端连接BUCK恒压模块的其中一路输出端，其输出端连接LED灯；桥式逆变模块的输入端连接BUCK恒压模块的另一路输出端，其输出端依次连接汞灯驱动模块和汞灯；控制模块连接BUCK恒压模块、桥式逆变模块及LED恒流驱动模块。本发明可以在任何时候对两种光源负载选择同时驱动、独立驱动或分时驱动，使用灵活方便，可以减少UV固化系统对电源数量的需求，同时也能降低电柜尺寸以及系统成本。
一种同时驱动 led uv 固化电源

[发明专利]用于电路板板边除尘的自动化设备-CN202310634269.4在审
发明人：杨仲平;游峻圣;林大钧;谢忠明;刘浩天 -专利权人：迅得机械（东莞）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H05K3/26 文献下载
摘要：用于电路板板边除尘的自动化设备，用于板件的边缘的黏尘，包括升降机构及两个黏尘单元，黏尘单元包括黏尘轮、黏尘纸卷、第一移载机构及第二移载机构。板件能被升降机构驱动上升或下降，第一移载机构用于驱动黏尘轮及黏尘纸卷前进，使黏尘轮接触板件的边缘，黏尘轮能被驱动并旋转；第二移载机构用于驱动黏尘轮沿着第一方向或第二方向移动，使黏尘轮接触板件的边缘，黏尘轮用以黏附板件的边缘上附着的粉屑、杂质，黏尘纸卷接触黏尘轮并使得黏尘轮所黏附的粉屑、杂质转移至黏尘纸卷。升降机构还具有旋转功能以用于驱动板件旋转，以便旋转后的板件另两侧的边缘进行黏尘处理。
用于电路板板除尘自动化设备

[发明专利]一种电路板板边转动式自动除尘方法-CN202310634157.9在审
发明人：杨仲平;游峻圣;林大钧;谢忠明;刘浩天 -专利权人：迅得机械（东莞）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H05K3/26 文献下载
摘要：本发明涉及电路板除尘技术领域，尤其公开了一种电路板板边转动式自动除尘方法，利用限位机构限位住外界的电路板；利用除尘机构对限位机构所限位的电路板的板边进行除尘处理；除尘机构具有用于抵触电路板的板边的黏尘轮、用于驱动黏尘轮转动的第一驱动件、用于驱动黏尘轮靠近或远离电路板以使得黏尘轮抵触在电路板的板边上的第二驱动件、用于驱动黏尘轮沿电路板的板边移动的第三驱动件；黏尘轮用于黏附电路板的板边上所附着的粉屑、杂质；当需要对电路板进行除尘时，利用限位机构限位住电路板，然后使黏尘轮接触板件的板边，黏尘轮用以黏附板件的边缘上附着的粉屑、杂质，无需手动对电路板的板边进行除尘，提升除尘效率及除尘良率。
一种电路板板转动自动除尘方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310204304.9在审
发明人： 林大钧;谢志宏;林俊仁;潘国华;廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了存储器和逻辑器件协同优化的方法和结构。本发明的实施例提供了一种器件，包括具有第一区域和第二区域的衬底。该器件可以包括设置在第一区域中的第一栅极结构和设置在第二区域中的第二栅极结构。该器件还可以包括与第一栅极结构相邻设置的第一源极/漏极部件和与第二栅极结构相邻设置的第二源极/漏极部件。第一源极/漏极部件的第一顶面和第二源极/漏极部件的第二顶面基本上是齐平的。第一源极/漏极部件的第一底面与第一顶面相距第一距离，并且第二源极/漏极部件的第二底面与第二顶面相距第二距离。在某些情况下，第二距离大于第一距离。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]客流统计方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111658152.7在审
发明人： 林大钧;曾卓熙;肖嵘;王孝宇;陈宁 -专利权人：深圳云天励飞技术股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06V20/52 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种客流统计方法，包括：获取目标车辆在指定时间段内的监控数据，并从监控数据中提取乘客的上下车行为信息以及乘客信息，乘客的上下车行为信息包括乘客的上车行为与乘客的下车行为，每条乘客的上下车行为信息对应一条乘客信息；根据乘客在各个站点的上下车行为信息以及乘客信息，对目标车辆的乘客进行数量统计，得到目标车辆的客流统计结果。能够从监控数据中提取乘客的上下车行为信息以及乘客信息，只根据乘客的上下车行为信息以及乘客信息来对目标车辆的客流进行统计，排除了司乘人员的数量误统计，可以提高公共交通车辆的乘客数量统计准确度，进而提高客流统计的准确度，使得后续客流及OD分析的结果准确性也得到提高。
客流统计方法装置电子设备存储介质

[发明专利]半导体结构及形成集成电路结构的方法-CN201810920693.4有效
发明人： 林大钧;许博钦;潘国华;廖忠志;林志勇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构，其包括从半导体衬底挤出的鳍式有源区域；以及设置在鳍式有源区域上的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括栅极介电层和设置在栅极介电层上的栅极电极。栅极介电层包括第一介电材料。半导体结构进一步包括设置在鳍式有源区域上的第二介电材料的介电栅极。栅极介电层从栅极电极的侧壁延伸到介电栅极的侧壁。第二介电材料在组分上与第一介电材料不同。本发明实施例还提供一种形成集成电路结构的方法。
半导体结构形成集成电路方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201811503263.9有效
发明人： 林大钧;蔡滨祥;杨晋嘉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属内连线于一金属间介电层内，然后进行一处理制作工艺粗糙化第一金属内连线上表面，再形成一纳米碳管接面(carbon nanotube junction,CNT)于该第一金属内连线上。依据本发明一实施例处理制作工艺另包含形成多个突块于该第一金属内连线上表面，其中该等突块以及第一金属内连线包含相同材料。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111391398.2在审
发明人：张智伟;林大钧;锺耀贤;苏士炜;张豪轩;简廷安;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其形成方法，其中该半导体结构包含有一氮化镓(GaN)层，一氮化镓铝(AlGaN)层位于该氮化镓层上，一极性促进层，位于该氮化镓铝层上并且直接接触该氮化镓铝层，以及一栅极衬垫层，位于该极性促进层上。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种制作半导体元件的方法-CN202111338561.9在审
发明人：侯泰成;侯朝钟;林大钧;高苇昕;蔡馥郁;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一第一金属间介电层于该MTJ上，去除部分该第一金属间介电层以形成一受损层于MTJ正上方以及一凹槽暴露出受损层，对该受损层进行一紫外光固化制作工艺，之后再进行一平坦化制作工艺去除受损层及部分第一金属间介电层。
一种制作半导体元件方法

[外观设计]UV电源-CN202230827268.8有效
发明人：陈树根;卓雪金;林大钧 -专利权人：厦门能强电子科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：UV电源。2.本外观设计产品的用途：用于对UV灯具供电。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
uv 电源

[发明专利]红外线热电堆传感器-CN202110978155.2在审
发明人：王建勳;林大钧;陈俊江;蔡志勇;梁育誌;乐明;黄振堂;李东阳;古仁斌 -专利权人：众智光电科技股份有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01J5/16 文献下载
摘要：一种红外线热电堆传感器，其包括一含红外线透镜的硅质封盖、一含有双热电堆感测元件的红外线感测芯片及计算待测物的温度的微控制器芯片，所述元件利用堆叠式3D封装以缩小体积。在红外线感测芯片与微控制器芯片可具有金属层以屏蔽热辐射。本发明的非接触式红外线热电堆传感器可进行手腕温度至身体核心温度的转换。借由侦测到的环境温度信息、默认的或输入的水蒸气压信息等来计算身体核心温度。在不同温度下手腕温度标准偏差、性别及相对湿度，可有不同的手腕温度至身体核心温度的转换方式。
红外线热电传感器

[发明专利]一种防外破声光警示装置及其装拆方法-CN202210874669.8有效
发明人：冼梓炜;陈黎丽;夏志雄;伍嘉诚;麦志远;赵云云;叶冠林;区峻超;靳铠闻;林大钧;陈景椹 -专利权人：广东电网有限责任公司佛山供电局
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H02G1/04 文献下载
摘要：本申请涉及输电线路在线监测技术领域，特别涉及一种防外破声光警示装置及其装拆方法，包括操作工具、主体件以及两个抱臂件；操作工具包括绝缘杆体、活动设置于绝缘杆体内的操作杆以及与操作杆的顶端插接配合的限位销钉；绝缘杆体设有卡位件；两个抱臂件分别枢接于主体件的两侧，两个抱臂件均安装有警示部件；两个抱臂件与主体件之间均连接有弹性件；主体件设有固定件，固定件设有通孔；通孔的侧壁设有供卡位件旋转卡位的卡槽；两个抱臂件均设有连接件；两个连接件均设有供操作杆通过的切换孔，切换孔设有与操作杆相匹配的第一孔位以及与限位销钉相匹配的第二孔位。本申请有效地解决了现有防外破声光警示装置存在装拆不方便的技术问题。
一种防外破声光警示装置及其方法

[发明专利]避免翘曲的半导体结构及其制作方法-CN202110630599.7在审
发明人： 林大钧;杨晋嘉;侯泰成;蔡馥郁;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种避免翘曲的半导体结构及其制作方法，其中该避免翘曲的半导体结构包含一晶片，晶片包含一正面和一背面，多个半导体元件设置在正面，一层氧化硅层设置在背面以及一紫外光可穿透氮化硅层覆盖并接触氧化硅层，其中紫外光可穿透氮化硅层的折射率介于1.55至2.10之间。
避免半导体结构及其制作方法

[发明专利]磁性随机存取存储器结构-CN202110678446.X在审
发明人： 林大钧;许清桦;蔡馥郁;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性随机存取存储器结构，其涉及一种半导体结构，其包含一介电层，多个MTJ元件以及至少一虚置MTJ元件位于该介电层中，一第一氮化层，至少覆盖各该MTJ元件与该虚置MTJ元件的侧壁，一第二氮化层，覆盖于各该虚置MTJ元件的顶面，且该第二氮化层的厚度大于该第一氮化层的厚度，以及多个接触结构，位于该介电层中，并且电连接各该MTJ元件。
磁性随机存取存储器结构

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