专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶的制造方法-CN201980040591.6有效
  • 池田均;松本雄一;高桥亨 - 信越半导体株式会社
  • 2019-05-29 - 2022-12-09 - C30B29/36
  • 本发明的碳化硅单晶生长装置具备:生长容器,其由粘接有晶种基板的生长容器盖体和收纳晶种基板及碳化硅原料的生长容器主体构成;隔热容器,其包围生长容器;温度测量器,其通过设置于隔热容器的温度测量用孔,以测量生长容器内的温度;以及加热器,其加热碳化硅原料,通过升华法使碳化硅原料加热而升华,使碳化硅单晶在晶种基板上生长,其特征在于,生长容器盖体仅在生长容器盖体的晶种基板的粘接区域内形成有贯穿生长容器盖体的图案。由此,提供能够抑制贯穿螺型位错、基面位错及贯穿刃型位错的产生的碳化硅单晶生长装置及制造方法。
  • 碳化硅生长装置制造方法
  • [发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201980018916.0有效
  • 高桥亨;池田均;松本雄一;青山徹郎 - 信越半导体株式会社
  • 2019-02-15 - 2021-12-24 - C30B29/36
  • 本发明提供一种SiC单晶的制造方法,其为利用上部设有温度测量用的孔的隔热材料包围生长容器,于该生长容器的上部的中心配置晶种基板,于生长容器的下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法,所述制造方法中,以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式,将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置,作为晶种基板,使用具有自作为基面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板,在包含晶种基板的中心与孔的中心的剖视中,以使晶种基板的基面的法线矢量的与主面平行的分量的方向同孔的偏心方向为同一方向的方式,配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此,提供一种减少了晶圆中央部的结晶性的劣化的碳化硅单晶的制造方法。
  • 碳化硅制造方法
  • [发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201880083603.9有效
  • 池田均;高桥亨;青山徹郎;松本雄一 - 信越半导体株式会社
  • 2018-11-14 - 2021-12-24 - C30B29/36
  • 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法,其为利用上部设有温度测定用的孔的隔热材料包围生长容器,于该生长容器内的上部的中心配置晶种基板,于生长容器下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法,所述制造方法中,以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式,将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置,作为晶种基板,使用具有自作为基底面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板,在包含晶种基板的中心及孔的中心的剖视中,以使晶种基板的基底面的法线矢量的与主面平行的分量的方向与孔的偏心方向为反方向的方式,配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此,提供一种减少了贯穿缺陷的碳化硅单晶的制造方法。
  • 碳化硅制造方法
  • [发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201980019480.7在审
  • 池田均;松本雄一;海老原正人;高桥亨 - 信越半导体株式会社
  • 2019-02-18 - 2020-10-30 - C30B29/36
  • 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法,其中,使碳化硅原材料于生长容器内升华,从而使碳化硅单晶在晶种基板上生长,所述制造方法的特征在于,作为所述晶种基板,使用设置于所述生长容器的面为偏移角1°以下的{0001}面、且晶体生长面为凸形状的生长晶锭端面的基板,并将所述晶种基板的直径设为所述生长容器的内径的80%以上。由此,提供一种碳化硅单晶的制造方法,该制造方法能够制造即使进行没有偏移角的生长、即在自C轴<0001>没有倾斜的基面上的生长方向上,也不易产生不同的多型,且直体率高的碳化硅单晶。
  • 碳化硅制造方法
  • [发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201980017792.4在审
  • 池田均;松本雄一;高桥亨 - 信越半导体株式会社
  • 2019-02-14 - 2020-10-23 - C30B29/36
  • 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法,其为使固体碳化硅原料于生长容器内升华并使碳化硅单晶在晶种基板上生长的碳化硅单晶的制造方法,其特征在于,将钽(Ta)的粉末与碳的粉末一同混合,并使其附着于所述生长容器内的所述固体碳化硅原料,进行热处理并烧结,在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜后使碳化硅单晶生长、或一边在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜一边使碳化硅单晶生长。由此提供一种减少了碳内含物的碳化硅单晶的制造方法。
  • 碳化硅制造方法
  • [发明专利]广播接收装置及其控制方法-CN200910161957.3有效
  • 泉通博;松本雄一;花本伸行 - 佳能株式会社
  • 2009-09-07 - 2010-03-17 - H04N5/445
  • 本发明涉及一种广播接收装置及其控制方法,该装置能够向显示屏发送视频数据。该装置包括:管理单元,其被构造成将关于发送到各个显示屏的节目的历史信息与显示屏信息相关联地进行管理;第一确定单元,其被构造成确定发送到所述显示屏的所述节目是否是需要验证信息的受限节目;第二确定单元,其被构造成如果确定所述节目是所述受限节目,则利用所述历史信息确定所述显示屏是否是过去显示过所述受限节目的显示屏;以及控制单元,其被构造成如果所述显示屏过去显示过所述受限节目,则将所述受限节目的视频数据发送到所述显示屏。
  • 广播接收装置及其控制方法
  • [发明专利]通信终端和通信终端的控制方法-CN200610110161.1有效
  • 松本雄一;山本高司;沓名正树;森重树 - 佳能株式会社
  • 2004-12-15 - 2007-05-30 - H04N7/14
  • 一种在完全相同的图像暂停两个终端的屏幕的可视通信系统及其控制方法。视频通信终端在它们各自的广播节目接收单元中接收同一频道。第一视频通信终端临时把接收频道的视频保存在临时存储器中。当用户暂停第一终端的操作时,它临时保存通过把预定时间和当前时间相加而获得的屏幕暂停时间,并把屏幕暂停命令和屏幕暂停时间传送给第二视频通信终端。如果可能,那么第二终端及时地在屏幕暂停时间暂停视频。否则,它立即暂停视频,并把响应以及它自己的图像暂停时间传送给第一终端。第一终端显示与第二终端存储器的图像暂停时间对应的图像。
  • 通信终端控制方法
  • [发明专利]可视通信系统及其控制方法-CN200410081994.0无效
  • 松本雄一;山本高司;沓名正树;森重树 - 佳能株式会社
  • 2004-12-15 - 2005-06-22 - H04N7/14
  • 一种在完全相同的图像暂停两个终端的屏幕的可视通信系统及其控制方法。视频通信终端在它们各自的广播节目接收单元中接收同一频道。第一视频通信终端临时把接收频道的视频保存在临时存储器中。当用户暂停第一终端的操作时,它临时保存通过把预定时间和当前时间相加而获得的屏幕暂停时间,并把屏幕暂停命令和屏幕暂停时间传送给第二视频通信终端。如果可能,那么第二终端及时地在屏幕暂停时间暂停视频。否则,它立即暂停视频,并把响应以及它自己的图像暂停时间传送给第一终端。第一终端显示与第二终端存储器的图像暂停时间对应的图像。
  • 可视通信系统及其控制方法
  • [发明专利]节目选择装置-CN200410100704.2有效
  • 沓名正树;松本雄一;山本高司;森重树 - 佳能株式会社
  • 2004-12-10 - 2005-06-15 - H04N5/44
  • 本发明是一种节目选择装置,其构成包括输出用来选择预定的节目的信息的控制电路;根据上述信息选择用来再生上述预定的节目的信号输出的选择电路;以及向其他节目选择装置发送信息的发送电路;其中,向上述其他节目选择装置发送的信息,至少包含使上述其他节目选择装置为了由上述其他节目选择装置所对应的再生装置再生上述预定的节目而选择上述预定的节目的信息。
  • 节目选择装置

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