专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电容器-CN201880048521.0有效
  • 原田真臣;泉谷淳子;香川武史;松原弘 - 株式会社村田制作所
  • 2018-07-11 - 2023-10-03 - H01L21/822
  • 本发明的目的在于提供抑制保护层电容,且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。本发明的一侧面所涉及的电容器具备:基板;下部电极,形成在基板上;介电膜,形成在下部电极上;上部电极,形成在介电膜上的局部;保护层,覆盖下部电极以及上部电极;以及外部电极,贯通保护层,在从上方观察电容器的俯视时,外部电极仅形成在被上部电极的周缘划定的区域内。
  • 电容器
  • [发明专利]薄膜电容器及其制造方法-CN201880042663.6有效
  • 香川武史;泉谷淳子;原田真臣;松原弘;石田宣博 - 株式会社村田制作所
  • 2018-07-20 - 2023-09-22 - H01L21/822
  • 薄膜电容器(100)具备:下部电极(120);介电膜(130);上部电极(140);第1保护膜(151),其分别形成有使上部电极(140)开口的第1贯通孔(CH11)和使下部电极(120)开口的第2贯通孔(CH12)且具有第1上表面(150A);第2保护膜(152),其具有处于比第1保护膜151的第1上表面150A高的位置的第2上表面(150B);第1端子电极(161),其通过第1贯通孔(CH11)而与上部电极(140)电连接,至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置;以及第2端子电极(162),其通过第2贯通孔(CH12)而与下部电极(120)电连接,至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置。
  • 薄膜电容器及其制造方法
  • [发明专利]电容器-CN202080035634.4有效
  • 松原弘;原田真臣;香川武史 - 株式会社村田制作所
  • 2020-03-03 - 2023-04-14 - H01G4/30
  • 本发明提供一种电容器,其特征在于,具有:基板、形成于上述基板上的下部电极、形成于上述下部电极上的电介质膜、形成于上述电介质膜上的上部电极、形成于上述下部电极、上述电介质膜和上述上部电极上的具有贯通开口部的保护层、形成于上述贯通开口部内的凸状部、以及以覆盖上述贯通开口部和上述凸状部的方式形成的外部电极。
  • 电容器
  • [发明专利]半导体装置以及模块-CN202180014437.9在审
  • 松原弘;原田真臣;香川武史 - 株式会社村田制作所
  • 2021-02-16 - 2022-09-20 - H01L27/04
  • 半导体装置(1)具备:半导体基板(10),具有在厚度方向(T)上相对的第一主面(10a)以及第二主面(10b);电路层(20),设置在半导体基板(10)的第一主面(10a)上;以及第一树脂体(30),设置在电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面上,电路层(20)具有:设置在半导体基板(10)侧的第一电极层(22)、与第一电极层(22)对置地设置的第二电极层(24)、在厚度方向(T)上设置在第一电极层(22)与第二电极层(24)之间的电介质层(23)、与第一电极层(22)电连接并被引出到电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面的第一外部电极(27)、以及与第二电极层(24)电连接并被引出到电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面的第二外部电极(28),在俯视时,第一树脂体(30)设置在第一外部电极(27)与第二外部电极(28)之间,在剖面观察时,第一树脂体(30)的与半导体基板(10)相反侧的前端位于比第一外部电极(27)以及第二外部电极(28)的与半导体基板(10)相反侧的前端高的位置。
  • 半导体装置以及模块
  • [发明专利]半导体装置以及电容装置-CN202180009644.5在审
  • 香川武史;原田真臣;松原弘 - 株式会社村田制作所
  • 2021-01-19 - 2022-08-30 - H01G4/30
  • 本发明涉及半导体装置以及电容装置。半导体装置1具备:半导体基板10,具有在厚度方向T上对置的第一主面10a以及第二主面10b;以及电路层20,设置于半导体基板10的第一主面10a上,电路层20具有:第一电极层22,设置于半导体基板10侧;第二电极层24,与第一电极层22对置设置;电介质层23,在剖面中设置于第一电极层22与第二电极层24之间;以及第一外部电极27,经由未设置有电介质层23的第一区域电连接于第一电极层22,电介质层23的第一区域侧的端部23a(23b)在第一电极层22侧的面与第一电极层22接触,在电介质层23中,端部23a(23b)的厚度方向T上的尺寸Ta(Tb)比位于第一电极层22与第二电极层24之间的电极间部23c的厚度方向T上的尺寸Tc小。
  • 半导体装置以及电容
  • [发明专利]半导体装置以及模块-CN202180009347.0在审
  • 原田真臣;香川武史;松原弘;安达永纯 - 株式会社村田制作所
  • 2021-01-19 - 2022-08-30 - H01L27/04
  • 本发明涉及一种半导体装置,具备:半导体基板,具有在厚度方向上对置的第一主面及第二主面、在与厚度方向正交的长度方向上对置的第一端面及第二端面;和电路层,设置于半导体基板的第一主面,其特征在于,半导体基板在长度方向上的第二外部电极侧的端面亦即第一端面侧具有在半导体基板上未设置有电路层的第一端部区域,在第一端部区域设置有第一露出部,该第一露出部是除了半导体基板的第一主面以外在第一主面与第一端面之间露出的部分,在与半导体基板的厚度方向以及长度方向平行的方向上切断半导体基板的剖切面中,通过将在第一主面上设置有电路层的部分中的半导体基板以厚度方向的中央为界进行2分割的分割线沿厚度方向对第一端部区域进行了2分割时,作为第一主面侧的区域的第一区域的面积小于作为第二主面侧的区域的第二区域的面积。
  • 半导体装置以及模块
  • [发明专利]电容器-CN202080037071.2在审
  • 香川武史;原田真臣;松原弘 - 株式会社村田制作所
  • 2020-03-03 - 2021-12-24 - H01L21/822
  • 本发明提供一种电容器,其特征在于:具有基板、设置在上述基板上的下部电极、设置在上述下部电极上的电介质膜、设置在上述电介质膜上的上部电极、与上述下部电极连接的第1端子电极、以及与上述上部电极连接的第2端子电极,并且,上述下部电极、电介质膜和上部电极构成电容器结构;上述电介质膜具有导通孔,在上述导通孔内形成有上述第1端子电极,上述电介质膜的导通孔的宽度为上述第1端子电极的膜厚的2倍以下。
  • 电容器
  • [发明专利]地板材料-CN200780004845.6无效
  • 松原弘;吉村功 - 大日本印刷株式会社
  • 2007-02-07 - 2009-03-04 - E04F15/04
  • 本发明提供一种地板材料,其不仅不易产生凹伤,耐擦伤性、耐磨损性、耐污染性、耐水性等各种物性优异,而且特别是表面平滑性优异。一种地板材料,其特征在于,在胶合板的一个面上设置由含有经过化学处理的木粉和树脂成分的组合物形成的硬度赋予层,并在该硬度赋予层上通过胶粘剂层来层压装饰材料。
  • 地板材料
  • [发明专利]非对称钢板桩及其制造方法-CN96191138.7无效
  • 松原弘;鹿野裕;增田敏聪;阿部幸夫 - 住友金属工业株式会社
  • 1996-09-26 - 2002-07-31 - E02D5/08
  • 本发明提供一种非对称钢板桩及其制造方法,还提供一种与之配合使用的角部钢板桩及其制造方法。该非对称钢板桩在板桩壁上的接头部与平直臂部在同一平面上,不形成凸部;另一方面,即使在对接头进行弯曲成形时也不会产生轧制姿势的不稳定和不完全的接头成形,可以获得良好的接头形状。使非对称接头形状为一侧向上另一侧向下的接头形状,采用不同的孔型轧辊分别一侧一侧对左右接头进行弯曲成形精加工。此时,在对一方的接头进行弯曲成形精加工期间,另一方的接头仅是约束在轧辊孔型内而不进行弯曲成形,或者也可以进行中途弯曲。角部钢板桩通过将上述非对称钢板桩的向内、向外的任何一个接头部在上下相反的方向上重新装入来加以制造。另一方法是通过将任意一个接头向内侧弯曲来加以制造。
  • 对称钢板及其制造方法

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