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[实用新型]一种喷印装置-CN202222887312.1有效
发明人：郁军;佘生峰;杨群坤 -专利权人：昆山哈勃电波电子科技有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B41J3/407 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种喷印装置，包括具有一进料通道和一雾化出料通道的喷射机构、与进料通道相连通并用于向喷射机构提供喷印材料的供料机构以及可拆卸式连接于喷射机构上对应于雾化出料通道位置处的喷印部，喷印部内形成有第一端连通雾化出料通道、第二端贯通喷印部外表面的成形通道，成形通道的第二端的形状与所需喷印的射频天线的形状相适配，喷射机构雾化喷印材料，经雾化后的喷印材料经雾化出料通道呈发散状喷出并覆盖成形通道的第二端。由于采用了上述技术方案，本实用新型能够节省工时，提高加工效率。
一种装置

[发明专利]一种喷印装置-CN202211352586.9在审
发明人：郁军;佘生峰;杨群坤 -专利权人：昆山哈勃电波电子科技有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： B41J3/407 文献下载
摘要：本发明公开了一种喷印装置，包括具有一进料通道和一雾化出料通道的喷射机构、与进料通道相连通并用于向喷射机构提供喷印材料的供料机构以及可拆卸式连接于喷射机构上对应于雾化出料通道位置处的喷印部，喷印部内形成有第一端连通雾化出料通道、第二端贯通喷印部外表面的成形通道，成形通道的第二端的形状与所需喷印的射频天线的形状相适配，喷射机构雾化喷印材料，经雾化后的喷印材料经雾化出料通道呈发散状喷出并覆盖成形通道的第二端。由于采用了上述技术方案，本发明能够节省工时，提高加工效率。
一种装置

[实用新型]一种环状结构产品的灌胶治具-CN202123269883.0有效
发明人：郁军;杨群坤;佘生峰;唐明华 -专利权人：昆山哈勃电波电子科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种环状结构产品的灌胶治具，所述灌胶治具包括治具下模、适于装配于所述治具下模的装配槽中的下垫圈和上垫圈、以及与所述治具下模相适配的治具上模，通过采用所述灌胶治具对所述环状结构产品进行第一次灌胶过程，使得胶水能够充满所述环状结构产品的灌胶腔，胶水固化后连接所述环状结构产品的所述内环和外环，降低了所述环状结构产品的装配难度，同时能够起到防水防尘作用，保护内部的电子元器件；通过对所述环状结构产品进行第二次灌胶过程，能够彻底解决第一次灌胶过程的表面的浇口残留及气泡和其他缺陷，使得最终得到的胶面平整光滑，具有比较好的外观面。
一种环状结构产品灌胶治具

[发明专利]一种环状结构产品灌胶方法及其灌胶治具-CN202111587587.7在审
发明人：郁军;杨群坤;佘生峰;唐明华 -专利权人：昆山哈勃电波电子科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种环状结构产品灌胶方法及其灌胶治具，通过采用所述灌胶治具对所述环状结构产品进行第一次灌胶过程，使得胶水能够充满所述环状结构产品的灌胶腔，胶水固化后连接所述环状结构产品的所述内环和外环，降低了所述环状结构产品的装配难度，同时能够起到防水防尘作用，保护内部的电子元器件；通过对所述环状结构产品进行第二次灌胶过程，能够彻底解决第一次灌胶过程的表面的浇口残留及气泡和其他缺陷，使得最终得到的胶面平整光滑，具有比较好的外观面。
一种环状结构产品方法及其灌胶治具

[实用新型]一种遮喷治具-CN202122637816.3有效
发明人：郁军;杨群坤;佘生峰;陈二凯 -专利权人：昆山哈勃电波电子科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B05B12/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种遮喷治具，包括底座、与所述底座相适配的遮板、以及设置于所述底座和所述遮板之间的密封件，所述底座设置有用于放置产品的定位槽；所述遮板设置有喷孔，所述喷孔的形状和尺寸与所述产品的待喷区域相适配；所述密封件设置有与所述喷孔相对应的穿孔，以允许喷浆能够穿过所述喷孔和所述穿孔喷射在所述产品的待喷区域，并于所述待喷区域形成所需的喷射图形；所述遮喷治具兼顾对产品的定位作用和遮喷作用，整体结构合理,使用简单方便,生产效率高,省时省力,有利于节约人工成本,同时能够有效防止银浆渗漏，使产品质量稳定可靠。
一种遮喷治具

[发明专利]一种遮喷治具-CN202111270631.1在审
发明人：郁军;杨群坤;佘生峰;陈二凯 -专利权人：昆山哈勃电波电子科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： B05B12/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种遮喷治具，包括底座、与所述底座相适配的遮板、以及设置于所述底座和所述遮板之间的密封件，所述底座设置有用于放置产品的定位槽；所述遮板设置有喷孔，所述喷孔的形状和尺寸与所述产品的待喷区域相适配；所述密封件设置有与所述喷孔相对应的穿孔，以允许喷浆能够穿过所述喷孔和所述穿孔喷射在所述产品的待喷区域，并于所述待喷区域形成所需的喷射图形；所述遮喷治具兼顾对产品的定位作用和遮喷作用，整体结构合理,使用简单方便,生产效率高,省时省力,有利于节约人工成本,同时能够有效防止银浆渗漏，使产品质量稳定可靠。
一种遮喷治具

[实用新型]电子装置壳体-CN202120356566.3有效
发明人：郁军;杨群坤;陈二凯 -专利权人：昆山哈勃电波电子科技有限公司
申请日： 2021-02-06 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电子装置壳体，电子装置壳体包括基体、第一金属层及第二金属层，基体不具有可激光活化物，基体表面通过激光镭雕的方式形成有蚀刻有电路图案的粗糙结构；第一金属层形成在粗糙结构表面；第二金属层为天线层，第二金属层形成在第一金属层表面。本实用新型的电子装置壳体使用的基体不受LDS工艺和激光镭雕设备限制，提高了基体和激光镭雕设备种类的选择范围，保证了产品的可靠度和外观表现，并降低了电子装置壳体的生产成本。另外，通过在基体表面通过激光镭雕的方式形成粗糙结构还可以提高天线层相对基体的附着力。
电子装置壳体

[发明专利]一种高Bs纳米晶材料及其制备方法-CN201910061931.5有效
发明人：汤凤林;王磊;李家洪;徐勇攀;蔡鹏;杨群坤;徐雨 -专利权人：信维通信（江苏）有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01F1/147 文献下载
摘要：本发明涉及一种高Bs纳米晶材料及其制备方法，该高Bs纳米晶材料的制备方法，包括如下步骤：(1)取纳米晶带材，所述纳米晶带材的典型成分为FevSiwNbxByCuz，其中，v＝71‑76％，w＝11‑15％，x＝1.5‑3.5％，y＝7‑10％，z＝0.5‑2.5％；(2)在氮气保护的条件下对所述纳米晶带材依次进行第一次热处理和第二次热处理；(3)将第二次热处理后的纳米晶带材进行冷却，获得所述高Bs纳米晶材料。本发明的高Bs纳米晶材料的制备方法可制备获得高Bs的纳米晶带材，且具有易实现产业化应用的优点。
一种 bs 纳米材料及其制备方法

[发明专利]电子装置壳体及其制作方法-CN202110171429.7在审
发明人：郁军;杨群坤;陈二凯 -专利权人：昆山哈勃电波电子科技有限公司
申请日： 2021-02-06 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子装置壳体及其制作方法，电子装置壳体包括基体、第一金属层及第二金属层，基体不具有可激光活化物，基体表面通过激光镭雕的方式形成有蚀刻有电路图案的粗糙结构；第一金属层形成在粗糙结构表面；第二金属层为天线层，第二金属层形成在第一金属层表面。本发明的电子装置壳体使用的基体不受LDS工艺和激光镭雕设备限制，提高了基体和激光镭雕设备种类的选择范围，保证了产品的可靠度和外观表现，并降低了电子装置壳体的生产成本。另外，通过在基体表面通过激光镭雕的方式形成粗糙结构还可以提高天线层相对基体的附着力。
电子装置壳体及其制作方法

[发明专利]一种纳米晶隔磁片及其制备方法-CN201910104169.4在审
发明人：汤凤林;李家洪;徐勇攀;王磊;王帅;杨群坤;徐雨 -专利权人：信维通信（江苏）有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米晶隔磁片及其制备方法，该纳米晶隔磁片的制备方法，包括如下步骤：(1)取纳米晶带材，纳米晶带材的典型成分为Fe_vSi_wNb_xB_yCu_z，其中，v＝71‑76％，w＝11‑15％，x＝1.5‑3.5％，y＝7‑10％，z＝0.5‑2.5％；纳米晶带材的单层厚度为16‑25μm；(2)在氮气保护下对纳米晶带材依次进行第一次热处理和第二次热处理；(3)将第二次热处理后的纳米晶带材进行冷却、覆膜与贴合，获得2层纳米晶带材贴合后的待模切半成品；(4)将待模切半成品进行模切，再与线圈组装，获得纳米晶隔磁片。本发明获得的纳米晶隔磁片可实现减薄效果，满足智能手机轻薄化的发展趋势。
纳米晶带材隔磁片次热处理模切制备贴合半成品氮气保护线圈组装智能手机轻薄化单层覆膜减薄冷却

[发明专利]一种用于无线充电的非晶隔磁片的制备方法-CN201910116293.2在审
发明人：汤凤林;蔡鹏;徐勇攀;李家洪;王磊;杨群坤;徐雨 -专利权人：信维通信（江苏）有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于无线充电的非晶隔磁片的制备方法，包括以下步骤：S1、选用FeSiB非晶带材；所述FeSiB非晶带材的典型成分为Fe_xSi_yB_z，x＝75％～80％，y＝12％～15％，z＝8％～10％；所述FeSiB非晶带材的单层厚度为20‑25μm；S2、对FeSiB非晶带材进行热处理，将热处理后的FeSiB非晶带材冷却至室温；所述热处理包括：将FeSiB非晶带材从室温升温至300℃～320℃，并保温20分钟～40分钟，升温速率为15℃/分钟～20℃/分钟；然后将FeSiB非晶带材从300℃～320℃升温至400℃～420℃，升温速率为15℃/分钟～20℃/分钟，并保温60分钟～90分钟；S3、对FeSiB非晶带材依次进行覆膜、贴合和模切处理，获得两层的FeSiB非晶带材贴合形成的非晶隔磁片。上述制备方法无需对非晶材料碎磁化处理，避免碎磁化处理带来的材料性能不稳定现象。
非晶带材热处理隔磁片非晶制备磁化处理无线充电贴合保温材料性能非晶材料稳定现象单层覆膜两层模切冷却

[发明专利]一种高Bs非晶材料及其制备方法-CN201910061888.2在审
发明人：汤凤林;徐勇攀;李家洪;王磊;粟思源;杨群坤;徐雨 -专利权人：信维通信（江苏）有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高Bs非晶材料及其制备方法，该高Bs非晶材料的制备方法，包括如下步骤：(1)取非晶带材，所述非晶带材的典型成分为Fe_xSi_yB_z，其中，x＝75‑80％，y＝10‑15％，z＝7‑10％；(2)在氮气保护的条件下对所述非晶带材依次进行第一次热处理和第二次热处理；(3)将第二次热处理后的非晶带材进行冷却，获得所述高Bs非晶材料。本发明的高Bs非晶材料的制备方法可制备获得高Bs的非晶带材，且具有步骤简便且容易控制的优点。
非晶材料非晶带材制备次热处理氮气保护冷却

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