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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]不含界面活性剂及溶剂的铜铟镓硒浆料的调配方法-CN201010111161.X无效
发明人：陈文仁;杨益郎;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明是有关一种不含界面活性剂及溶剂的铜铟镓硒浆料的调配方法，是混合含有IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末，形成原始混合粉末，再添加额外的VIA族元素粉末以形成最后混合粉末，接着加热再经搅拌以形成含有IB、IIIA及VIA族元素的混合浆料，该混合浆料包含铜、铟、镓及硒，或包含铜、铟、镓、硒及硫，不仅利用额外的硒粉末取代界面活性剂及接着剂而对钼层形成稳定的接着力，而且不需使用溶剂，进而可直接涂布在铜铟镓硒太阳能电池的钼层上以形成光电转换用的吸收层，而不会影响吸收层的光吸收特性及转换效率。
界面活性剂溶剂铜铟镓硒浆料调配方法

[发明专利]一种铜铟镓硒纳米颗粒制作方法-CN200910223958.6无效
发明人： 杨益郎 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒纳米颗粒制作方法，主要是利用湿式砂磨法，包括个别研磨处理、混合均质处理、初级研磨处理及进阶研磨处理，其中个别研磨处理将含有铜、铟、镓及/或硒的个别颗粒或化合物颗粒研磨成500纳米至600纳米的个别研磨物，混合均质处理将所有个别研磨物混合成混合均质物，初级研磨处理将混合均质物研磨成100纳米至200纳米的初级研磨物，进阶研磨处理将初级研磨物研磨成50纳米以下的进阶研磨物，当作用以制作铜铟镓硒太阳能电池的吸收层的铜铟镓硒纳米颗粒。
一种铜铟镓硒纳米颗粒制作方法

[发明专利]不含界面活性剂的太阳能吸收层浆料的制造方法及应用-CN201010111483.4无效
发明人：陈文仁;林群福;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种不含界面活性剂的太阳能吸收层粉末浆料的制造方法及其所制作的该浆料和太阳能吸收层，包含有如下步骤：混合含IB族、IIIA族及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的一混合粉末；在该混合粉末中添加额外的VIA族元素粉末，并进行混合，以形成一最后混合粉末；进行多阶段的研磨步骤，以提高粉体的粒度均匀性。本发明利用上述过量的VIA族元素粉末提供界面活性剂或接着剂的作用，使本发明的浆料不需添加界面活性剂或接着剂；利用多阶段研磨方式以得到粒度均匀的纳米粉体及其浆料，藉以提高浆料成型的膜层的结构特性。
界面活性剂太阳能吸收浆料制造方法应用

[实用新型]非真空制作铜铟镓硒光吸收层的装置-CN201020114943.4无效
发明人：陈文仁;杨益郎;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的装置，特别是一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的装置，包括快速升温退火热处理炉，设于炉内的传送机构，包括硒蒸汽产生器，硒蒸汽供应管及控制阀的向炉体内供给硒蒸汽的硒蒸气供给装置，以及端部设有排气阀的设于炉体出口端的排气管，其中设有硒蒸汽循环装置，所述硒蒸汽循环装置包括蒸汽回流管，设于蒸汽回流管中部的循环泵，所述蒸汽回流管的一端连接所述排气管，另一端连接所述硒蒸汽供应管。多个进气通道使炉内能形成均匀硒蒸气环境，增加硒蒸气和光吸收预制层基板接触时间，提高硒蒸气协助长晶的功能。硒蒸汽循环装置，硒蒸气回收再使用，降低硒蒸气的使用量，提高硒利用率。
真空制作铜铟镓硒光吸收装置

[发明专利]多段式硫化镉薄膜沉积方法-CN201010111481.5无效
发明人：林群福;陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种多段式硫化镉薄膜沉积方法沉积包含步骤：将一含有太阳能光吸收层的基板置于一具有硫离子及第一镉离子含量的化学浴中，以在该基板的太阳能光吸收层上成型一第一硫化镉膜；再将上述基板置于一具有硫离子及第二镉离子含量的另一化学浴中，以在该第一硫化镉膜上成型一第二硫化镉膜，其中该第一镉离子含量大于该第二镉离子含量，使第二硫化镉膜中的镉离子浓度与第一硫化镉膜的镉离子浓度的差异在0.003M以上。
段式硫化薄膜沉积方法

[发明专利]一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法-CN201010111479.8无效
发明人： 杨益郎;陈文仁;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时，使用含IB、IIIA族的二元或三元硒化物的薄片状材料，其中薄片状材料不超过50％，再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀，以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)的浆料，用以涂布在一钼层上，其中涂布完后的前驱层的孔隙率可以小于25％。
一种真空制作铜铟镓硒浆料方法

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法-CN201010111478.3无效
发明人：林群福;陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时，使用含IB、IIIA族的二元或三元硒化物薄片状材料，其中以不超过50％的薄片状材料，再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀，以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)的浆料，并在快速退火热处理(Rapid thermal annealing，RTA)过程中添加VIA族粉末，使该粉末在高温下挥发，帮助补充铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)前驱层高温下的硫或硒挥发的损失。本发明由于不使用高温还原法和硒化法，节省了设备成本并避免了使用危险的硒化氢，同时由于使用不同形状的颗粒，提高所生成膜的致密性。
真空制作铜铟镓硒浆料调配方法

[发明专利]太阳能吸收层的浆料的制造方法、太阳能吸收层及其浆料-CN201010111480.0无效
发明人：陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种太阳能吸收层的浆料的制造方法、太阳能吸收层及其浆料。该太阳能吸收层的浆料的制造方法，包含以下步骤：混合含IB族、IIIA族及VIA族元素的二个成份、三个成份或四个成份的粉末以形成原始含IB族、IIIA族及VIA族元素的一原始混合粉末，其中该原始混合粉末是由球状纳米颗粒粉末及至少一种非球状纳米颗粒粉末所组成；在该混合粉末中添加额外的VIA族元素粉末，并进行混合，以形成一太阳能吸收层的混合粉末及其浆料。本发明还提供了一种太阳能吸收层浆料及太阳能吸收层。
太阳能吸收浆料制造方法及其

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法-CN201010111127.2无效
发明人：陈文仁;林群福;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，该方法包括以下步骤：首先，依据配方比例，调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的混合粉末；其次，该混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的浆料；接着，将该浆料以非真空涂布法涂布在钼层上，再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的光吸收前驱层；接着，利用多道独立气压缸控制的滚轮，来回滚压该光吸收前驱层；以及最后，将滚压后的光吸收前驱层，置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶，完成铜铟镓硒光吸收层的制作。
真空制作铜铟镓硒光吸收方法

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法-CN201010111495.7无效
发明人：林群福;陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫光吸收层的制作方法，特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫光吸收层的方法，包括：(1)依据配方比例，混合含IB、IIIA的二成份或三成份硒化物材料，形成原始混合粉末；混合粉末为纳米级的球形粉和薄片形粉；(2)添加溶剂搅拌，形成浆料；(3)将该浆料涂布在钼层上，软烤形成光吸收前驱层；(4)将含铜铟镓硒和/或硫前驱层的基板反置于含均匀洒布VI族元素的耐高温载板上，在快速退火热处理炉中退火长晶，形成光吸收层。避免使用危险的硒化氢；设备成本低；所形成的光吸收层致密，光吸收特性好，光电转换效率高。
真空制作铜铟镓硒光吸收方法

[发明专利]多段式硫化镉薄膜沉积方法-CN201010111491.9无效
发明人：陈文仁;杨益郎;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种多段式硫化镉薄膜沉积方法，至少包含以下步骤：将一含有光吸收层的基板置于一具有第一硫离子及第一镉离子含量的化学浴中，以在该基板的光吸收层上沉积一第一硫化镉膜；以及再将上述基板置于一具有第二硫离子及第二镉离子含量的另一化学浴中，以在该第一硫化镉膜上沉积一第二硫化镉膜，以使第一硫离子/第一镉离子浓度比和第二硫离子/第二镉离子浓度比的差异在10以上。
段式硫化薄膜沉积方法

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池-CN201010111493.8无效
发明人：陈文仁;杨益郎;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒和/或硫太阳能电池的制作方法，特别是一种非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池，包括：(1)依据配方比例，混合含IB、IIIA和VIA族元素的二成份或三成份或四成份粉末，以形成含铜铟镓硒和/或硫原始混合粉末；(2)在原始混合粉末中再添加额外的VIA族元素粉末，并混合形成最后混合粉末；(3)添加溶剂搅拌，形成浆料；(4)非真空涂布浆料在钼金属层上，软烤形成预制层；(5)经快速升温退火、长晶形成光吸收层；(6)沉积硫化镉或硫化锌于光吸收层上；(7)最后再沉积ZnO和AZO以完成铜铟镓硒和/或硫太阳能电池。避免使用危险的硒化氢；设备成本低。
真空制作铜铟镓硒太阳能电池

[发明专利]多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法-CN201010111482.X无效
发明人：陈文仁;杨益郎;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法，为一种非真空制作方法，用以在非真空下一钼层上形成多层均匀的光吸收前驱层。其主要利用调配铜铟镓硒(硫)浆料时，除了原始使用正常比例的铜铟镓硒(硫)化合物以外，另外添加过量VIA族元素粉末，除可补充VIA族元素的含量外，也可以取代原使用的界面活性剂和接着剂，将浆料涂布成两层以上涂层可使含IB/IIIA/VIA的化合物易于进行扩散和反应，另将IA-IIIA族化合物(例如NaIn)加入铜铟镓硒(硫)吸收层中，可调整光吸收层的能带宽，以吸收更多光能。
多层铜铟镓硒光吸收前驱制造方法

[发明专利]多段式硫化镉薄膜沉积方法-CN201010111492.3无效
发明人： 杨益郎;陈文仁;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种多段式硫化镉薄膜沉积方法，包含以下步骤：步骤一：将一含有光吸收层的基板置于一具有硫离子及镉离子且高浴温的第一化学浴溶液中，以在该基板的光吸收层上沉积一第一硫化镉膜；以及步骤二：再将上述基板置于一具有硫离子及镉离子的另一低浴温的第二化学浴溶液中，以在该第一硫化镉膜上沉积一第二硫化镉膜，其中该第一化学浴溶液和第二化学浴溶液中的温度差异在10℃以上。
段式硫化薄膜沉积方法

[发明专利]一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法-CN201010111510.8无效
发明人：陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非真空环境下配置铜铟镓硒浆料制作光吸收层的方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时，使用含IB、IIIA及VIA族元素化合物的材料，其中含至多不超过50％的薄片状材料，其余材料形状可为球状或不规则状，再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀，以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料，再使用非真空涂布法如刮刀涂布、狭缝涂布法、超音波喷涂法、电镀法或网印法等涂布成光吸收层的前驱层，再经快速退火热处理后形成光吸收层。本发明由于不使用高温还原法和硒化法，节省了设备成本并避免了使用危险的硒化氢，同时由于使用不同形状的颗粒，提高所生成膜的致密性。
一种真空环境配置铜铟镓硒浆料制作光吸收方法

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