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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]瞬时电压抑制装置-CN202110056992.X有效
发明人： 杨敦智;陈子平;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种瞬时电压抑制装置，其包括P型半导体层、第一N型井区、第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区与第二N型重掺杂区。第一N型井区设于P型半导体层中，第一N型重掺杂区与第一P型重掺杂区设于第一N型井区中，并共同耦接第一接脚，且第一P型重掺杂区与第一N型井区的底部相离。第二P型重掺杂区设于第一N型井区内，并与第一N型井区的侧壁相离，第二P型重掺杂区浮接。第二N型重掺杂区设于P型半导体层中，并耦接第二接脚。第二P型重掺杂区设于第一P型重掺杂区与第二N型重掺杂区之间。
瞬时电压抑制装置

[发明专利]静电放电保护装置-CN202310081534.0在审
发明人：林昆贤;陈子平;杨敦智 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种静电放电保护装置，其包括一N型半导体基板、一P型半导体层、一第一N型井区、一P型井区、一第二N型井区、一第一P型重掺杂区、一第一N型重掺杂区与一第二P型重掺杂区。半导体层设于基板上，井区设于半导体层中。第二N型井区直接接触基板，第一P型重掺杂区设于第一N型井区中。第一N型重掺杂区与第二P型重掺杂区设于P型井区中，第二P型重掺杂区经由一外部导线耦接第二N型井区。第二P型重掺杂区可以第二N型重掺杂区取代。
静电放电保护装置

[发明专利]嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置-CN201911107326.3有效
发明人：林昆贤;陈子平;庄哲豪;杨敦智 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入N通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置，其包含一P型基板、至少一整流区域和至少一触发器。整流区域包括一第一N型重掺杂区、一N型井区和一第一P型重掺杂区。或者，硅控整流装置包括一N型基板、一第一P型井区、至少一整流区域和至少一触发器。整流区域包括一第二P型井区、一第一N型重掺杂区和一第一P型重掺杂区。触发器与P型基板或第一P型井区形成至少一个N通道金氧半场效晶体管。触发器独立于整流区。第一P型重掺杂区位于在触发器和第一N型重掺杂区之间。
嵌入通道金属氧化半导体触发式硅控整流装置

[发明专利]双向静电放电保护装置-CN202210079512.6在审
发明人： 杨敦智;陈子平;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种双向静电放电保护装置，其包括第一瞬时电压抑制器芯片、第二瞬时电压抑制器芯片、第一导电线与第二导电线。第一瞬时电压抑制器芯片包括第一二极管与第一双极性接面晶体管，第一二极管与第一双极性接面晶体管电性连接第一接脚。第二瞬时电压抑制器芯片包括第二二极管与第二双极性接面晶体管，第二二极管与第二双极性接面晶体管电性连接第二接脚。第一导电线电性连接于第一二极管与第二双极性接面晶体管之间，第二导电线电性连接于第二二极管与第一双极性接面晶体管之间。
双向静电放电保护装置

[发明专利]多通道瞬时电压抑制装置-CN202110801029.X在审
发明人： 杨敦智;陈子平;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种多通道瞬时电压抑制装置，其包括一半导体基板、一半导体层、至少两个双向瞬时电压抑制结构与至少一个隔离沟渠。半导体基板具有第一导电型，半导体基板耦接一接地端。半导体层具有与第一导电型相反的第二导电型，半导体层设于半导体基板上。至少两个双向瞬时电压抑制结构设于半导体层中，每一双向瞬时电压抑制结构耦接一输入输出埠与接地端。隔离沟渠设于半导体基板与半导体层中，隔离沟渠设于双向瞬时电压抑制结构之间，隔离沟渠的高度大于半导体层的厚度，且隔离沟渠围绕双向瞬时电压抑制结构。
通道瞬时电压抑制装置

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