专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于双马赫曾德尔干涉结构的多功能器件-CN201110392669.6无效
  • 邵海峰;李霞;王皖君;江晓清;杨建义 - 浙江大学
  • 2011-12-01 - 2012-06-27 - G02B6/28
  • 本发明公开了一种基于双马赫曾德尔干涉结构的多功能器件。在第一个马赫曾德尔干涉结构的一个相移臂嵌套第二个马赫曾德尔干涉结构,数字信号分成两路,一路加载在第二个马赫曾德尔干涉结构的一个相移臂,另一路经反相器加载在第二个马赫曾德尔干涉结构的另一个相移臂,实现绝对值相同方向相反的相位变化,根据推挽调制的原理和输入的不同完成器件的数字光开光和多码型调制器的功能。其中数字光开关制作容差大,实现简单,并且有较强的抗噪声性能;多码型调制器将网络节点中的上载信号同时调制成OOK和BPSK两种码型,高速并且结构紧凑。综上,本发明结构新颖紧凑、带宽较大,为构建灵活复杂的光网络的调制和开关处理提供了一种新的选择。
  • 基于马赫曾德尔干涉结构多功能器件
  • [实用新型]一种电场静态偏置抑制银线的装置-CN201020550813.5无效
  • 郑伟伟;江舒杭;郝寅雷;杨建义;王明华 - 浙江大学
  • 2010-09-30 - 2011-05-11 - C03C21/00
  • 本实用新型公开了一种电场静态偏置抑制银线的装置。用待交换的带有掩膜的玻璃基片将盛有一部分含有银离子的熔盐的容器和盛有另一部分含有银离子的熔盐的另一容器彼此隔离;负电极插入容器的熔盐中,正电极插入另一容器的熔盐中,有掩膜的玻璃基片面朝向容器的熔盐;当负电极与正电极间加载了1~10V的电场时,由于掩膜表面有氧化层的存在,而熔盐在熔融状态下是良导体,因此在外加电场的情况下,掩膜下表面的电势高于无掩膜的电势,抵消了形成银线的电势差,从而抑制了银线的生成。本实用新型电场的静态偏置较好地抑制了银线的生成;实现方法简单易行。
  • 一种电场静态偏置抑制装置
  • [发明专利]一种改进型级联积分梳妆插值滤波器-CN201010298061.2无效
  • 刘晓鹏;韩雁;张泽松;杨建义 - 浙江大学
  • 2010-09-29 - 2011-04-20 - H03M1/66
  • 本发明公开了一种改进型级联积分梳妆插值滤波器,依次包括:(1)一第一滤波器单元,包括一梳妆滤波器组、一积分器组和一插值器;(2)一第二滤波器单元,包括一梳妆滤波器组、一积分器组和一插值器;(3)一通带滚降补偿单元,包括两加法器、两延迟单元和和两常数乘法单元;用于弥补递归型CIC插值滤波器通带滚降。本发明的改进型级联积分梳妆插值滤波器能同时的防止通带滚降和增大阻带衰减,在实现的时候利用置换原则,将通带补偿单元放在整个系统的前面来处理信号,同时将第二滤波单元放在第一滤波器单元的前面来处理信号,这样可以进一步降低功耗,减少硬件开销。
  • 一种改进型级联积分梳妆滤波器
  • [发明专利]一种电场静态偏置抑制银线的方法及装置-CN201010298646.4无效
  • 郑伟伟;江舒杭;郝寅雷;杨建义;王明华 - 浙江大学
  • 2010-09-30 - 2011-04-13 - C03C21/00
  • 本发明公开了一种电场静态偏置抑制银线的方法及装置。用待交换的带有掩膜的玻璃基片将盛有一部分含有银离子的熔盐的容器和盛有另一部分含有银离子的熔盐的另一容器彼此隔离;负电极插入容器的熔盐中,正电极插入另一容器的熔盐中,有掩膜的玻璃基片面朝向容器的熔盐;当负电极与正电极间加载了1~10V的电场时,由于掩膜表面有氧化层的存在,而熔盐在熔融状态下是良导体,因此在外加电场的情况下,掩膜下表面的电势高于无掩膜的电势,抵消了形成银线的电势差,从而抑制了银线的生成。本发明电场的静态偏置较好地抑制了银线的生成;实现方法简单易行。
  • 一种电场静态偏置抑制方法装置
  • [发明专利]一种相变材料辅助的基于微环的光波导开关-CN201010185796.4无效
  • 陈伟伟;邱晨;喻平;郝寅雷;江晓清;王明华;杨建义 - 浙江大学
  • 2010-05-28 - 2010-10-20 - G02F1/01
  • 本发明公开了一种相变材料辅助的基于微环的光波导开关。包括微环波导谐振腔和与其耦合的两根直波导;相变材料置于除微环波导谐振腔和直波导耦合区域以外的微环波导谐振腔的表面,通过相变控制源控制相变材料状态改变,控制微环波导谐振腔的损耗,实现光波在两根直波导的波长选择开关。通过脉冲调节相变材料状态,使之在晶态和非晶态之间转换,继而实现光路的切换。它消除开与关的状态维持过程中的功耗,而仅仅在开与关的状态切换过程中有功耗从而降低耗能。利于器件的小型化和集成化,利于绿色和环保,适用于未来高速、高集成度、低功耗光通信网络。本发明作为一种构成光分叉复用和光交叉连接的低功耗光学器件,可广泛用于光通信系统。
  • 一种相变材料辅助基于波导开关
  • [发明专利]基于SOI的外脊布拉格波导光栅-CN201010210261.8无效
  • 姜国敏;周强;杨建义;王明华;江晓清 - 浙江大学
  • 2010-06-25 - 2010-10-13 - G02B6/124
  • 本发明公开了一种基于SOI的外脊布拉格波导光栅,在衬底氧化硅的一个侧面上设置硅基脊波导,硅基脊波导的一端为输入端口,另一端为输出端口。外脊布拉格波导光栅设置在硅基脊波导的一侧或两侧外脊平板区。它利用光栅区与脊的距离的不同,达到对光栅反射峰带宽的控制,并通过改变光栅齿的长度,方便地抑制光栅侧峰。通过对结构参数的优化,可满足各种带宽及低侧峰光栅的需求。本发明具有结构通俗,工艺简单,设计灵活,功能性强等特点,在光开光、光波分复用网络等方面有广泛的应用前景和应用价值。
  • 基于soi布拉格波导光栅
  • [发明专利]一种相变材料辅助的自持式波导光开关-CN201010151593.3无效
  • 陈伟伟;杨建义;李宇波;郝寅雷;周强;江晓清;王明华 - 浙江大学
  • 2010-04-20 - 2010-09-15 - G02F1/313
  • 本发明公开了一种相变材料辅助波导的自持式光开关。相变材料辅助波导的光开关包括主波导、相变材料和电极。其中相变材料覆盖于主波导正上方,或者覆盖于主波导的正下方,或者覆盖于主波导的右侧面,或者覆盖于主波导的左侧面,或者沿着上下左右方向覆盖主波导一周。而电极则加载在相变材料上。与传统的光开关相比,采用相变材料辅助波导的光开光,仅通过调节相变材料的状态,实现光路的切换,大大缩减了传统光开关在开与关持续过程的能耗,实现器件的低功耗,也更有利于器件的绿色与环保。本发明作为一种低功耗的光学元器件,可广泛用于光通信系统。
  • 一种相变材料辅助自持波导开关
  • [发明专利]基于磁光非互易特性的MZ干涉结构的电流传感器-CN201010127829.X无效
  • 姜国敏;江晓清;陈瑞宜;杨建义;郝寅雷;王明华 - 浙江大学
  • 2010-03-19 - 2010-08-18 - G01R19/00
  • 本发明公开了一种基于磁光非互易特性的MZ干涉结构的电流传感器。它基于MZ干涉结构,由两个干涉臂分别连接分束器和合束器而成;在两根弯绕的光纤干涉臂中分别植入磁光材料覆盖层,两片磁光材料覆盖层植入的位置要保证光的传输方向平行相反。把非互易相移引入MZ结构,光在两光纤干涉臂传播产生的相位差是非互易、推挽方式工作的,受周围环境等因素(如温度、应力等)产生的互易相移量通过MZ干涉结构抵消。利用磁光材料的非互易特性,结合MZ结构的干涉特性,通过对结构参数的优化,可以实现高稳定性、高灵敏度的电流探测。本发明具有结构通俗,工艺简单,设计灵活,功能性强等特点,在对复杂环境下电流传感有广泛的应用前景和应用价值。
  • 基于磁光非互易特性mz干涉结构电流传感器
  • [实用新型]一种级联2×N光功率分配器-CN200920198401.7无效
  • 陈伟伟;郑伟伟;江舒杭;向微;郝寅雷;江晓清;杨建义;王明华 - 浙江大学
  • 2009-10-10 - 2010-08-18 - G02B6/125
  • 本实用新型公开了一种级联2×N光功率分配器。光功率分配区包括第1级光功率分配区和第2级至第n+1级光功率分配区,输入波导区中的两根输入波导与第1级光功率分配区的进口端连接,第1级光功率分配区的出口端分别与第2级光功率分配区Y分叉的进口端连接,第2级光功率分配区Y分叉出口端又分别与第3级相同结构的进口端连接,依此类推,第n级光功率分配区的出口端与第n+1级的进口端连接,由此构成n+1级的光功率分配区,共有2n+1个输出端,分别与输出波导区各个输出波导连接。与传统的1×N级联光功率分配器相比,增加了备用输入波导,提升了整个通信系统数据传输的稳定性。本实用新型可广泛使用于光通信系统,特别是光纤到户的应用。
  • 一种级联功率分配器

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