专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种坩埚制备方法、坩埚及单晶炉-CN202210221198.0在审
  • 陈永康;杜路路;李侨;郭华盈;任伟康;刘阳;张桥清;晏美仁;梅富然;李济和 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2022-03-07 - 2023-09-19 - C30B15/10
  • 本发明提供了一种坩埚的制备方法、坩埚及单晶炉,涉及单晶硅制备技术领域。坩埚的制备方法包括:在坩埚本体的外壁上设置碳源;在无氧环境中,将外壁上设置有碳源的坩埚本体,加热至第一预设温度,使得坩埚本体外壁上的碳源与坩埚本体中的二氧化硅发生化学反应,以生成位于坩埚本体外壁上的隔离层;所述隔离层的成分包括:氮化硅,和/或,碳化硅。在拉晶过程中,隔离层会将坩埚本体中的二氧化硅和埚帮中的碳,物理隔绝开,可以避免埚帮出现损耗,隔离层位于坩埚本体的外壁上,使得持续具有良好的物理隔绝效果。隔离层不易脱落,且隔离层结构更为致密、均匀,物理隔绝效果更好。隔离层基本不会与埚帮发生化学反应,埚帮的寿命更长。
  • 一种坩埚制备方法单晶炉
  • [发明专利]状态预测方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210181741.9在审
  • 姚宏;杜路路;黄志鹏;段滨;赵领航 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2022-02-25 - 2023-09-05 - G16C20/30
  • 本发明实施例提供了一种状态预测方法、装置、设备及介质。该方法包括:确定沉积炉内的初始状态信息,以及所述沉积炉内的边界空间位置的边界状态信息,根据所述初始状态信息和边界状态信息,由物理场模型生成所述沉积炉内的不同空间位置对应的预测状态信息;其中,所述物理场模型是根据所述沉积炉内发生化学反应的工作空间的几何模型,建立的与所述几何模型对应的物理场模型,所述物理场模型用于确定所述沉积炉内的不同空间位置对应的预测状态信息,使得沉积炉内化学反应进行程度能够提前被预测,从而据此能够对工艺参数进行调整,降低沉积炉的试验投入,继而也能提高产品品质。
  • 状态预测方法装置电子设备存储介质
  • [发明专利]一种预制体的加工方法-CN202211704126.8在审
  • 杜路路;赵领航;杨火留;姚宏;段滨;张海洋;李侨;牛彩鹤 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-06-23 - B32B5/06
  • 本申请提供了一种预制体的加工方法。所述加工方法包括:提供模具,并在模具上粘贴缓冲层;在所述缓冲层的边缘设置外凸的遮挡件,以使得所述遮挡件与所述缓冲层之间形成容纳空间;将所述模具安装至针刺机上,将多个原料层依次铺设在所述容纳空间内;对所述多个原料层进行针刺作业,以得到初始预制体;对所述初始预制体进行切割,以得到预制体。本申请避免出现所述初始预制体的边缘出现塌边、滑丝和缺料等问题。这样,就可以减少所述初始预制体的边缘部位需要裁切的边角料的量,减少切割所述初始预制体的工作量并降低所述预制体的成本。
  • 一种预制加工方法
  • [发明专利]一种氧化镓半导体肖特基二极管及其制作方法-CN201811480787.0有效
  • 辛倩;杜路路;徐明升;宋爱民 - 山东大学
  • 2018-12-05 - 2023-05-30 - H01L29/872
  • 本发明的氧化镓(Ga2O3)半导体肖特基二极管,包括半导体层、阳极电极和阴极电极,特征在于:半导体层为Ga2O3薄膜,阳极电极为锡的氧化物(SnOx)。本发明的肖特基二极管的制作方法,包括:a).制备Ga2O3薄片;b).薄片清洗;c).Ga2O3薄片刻蚀;d).制备阴极和金属接触点层;e).退火处理;f).制备SnOx薄膜;g).制备阳极金属触点层。本发明的氧化镓半导体肖特基二极管,理想因子(为1.02)非常接近1、势垒高度为1.17 eV、开关比超过1010,所获取的肖特基二极管性能优良。本发明的肖特基二极管的制作方法,用SnOx作为肖特基接触电极,进而得到高性能的Ga2O3肖特基二极管。
  • 一种氧化半导体肖特基二极管及其制作方法
  • [发明专利]单晶炉的热屏外胆及单晶炉-CN202211469529.9在审
  • 赵领航;李侨;姚宏;段滨;杜路路;张海洋;张鑫;杨开刚 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2022-11-22 - 2023-04-14 - C30B15/00
  • 本公开涉及一种单晶炉的热屏外胆及单晶炉,本单晶炉的热屏外胆包括筒体、锅底和法兰环;所述锅底位于所述筒体的下方,所述锅底的轴心处具有开口,所述锅底的顶部连接于所述筒体的底部;所述法兰环与所述筒体的顶部拼接并套设于所述筒体的顶部,所述法兰环与所述筒体可拆卸地连接,所述法兰环与所述筒体之间具有第一拼缝,所述第一拼缝的截面构造为折线型。本单晶炉的热屏外胆通过将法兰环与筒体之间的第一拼缝的截面设置为折线型,使得外部的热量和/或硅蒸汽在穿过第一拼缝时受到阻碍,从而可以大大降低外部的热量和/或硅蒸汽完全穿过第一拼缝的概率,可以防止气相在热屏内沉积,能够保护热屏中的保温材质。
  • 单晶炉热屏外胆
  • [发明专利]一种锂电池5V复合材料的制备方法-CN202110652850.X有效
  • 孙玉城;陈义虎;杜路路;周长荣 - 青岛多元锂业有限公司
  • 2021-06-11 - 2023-03-17 - H01M4/485
  • 本发明提供了一种锂电池5V复合材料的制备方法,具体包括如下步骤:分别称取尖晶石镍锰酸锂和小颗粒层状结构正极材料,小颗粒层状结构正极材料重量占尖晶石镍锰酸锂重量的1~10%;在常温条件下,将尖晶石镍锰酸锂和小颗粒层状结构正极材料进行物理混合,充分混合后,再与金属氧化物进行物理混合,金属氧化物的重量占尖晶石镍锰酸锂重量的0.1~1%,混合均匀后进行热处理,得到5V复合材料。所述小颗粒层状结构正极材料为三元材料或者富锂高锰材料;所述三元材料为单晶层状结构,所述富锂高锰材料为层状富锂锰基正极材料。最终提高正极材料的能量密度,实现在首次充电过程中减少镍锰酸锂中锂的浪费以及改善镍锰酸锂耐高温性能。
  • 一种锂电池复合材料制备方法

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