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[发明专利]提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法-CN202110852294.0有效
发明人：万鑫;查钢强;李阳;曹昆;刘雅洁;魏鹤鸣;李颖锐 -专利权人：西北工业大学;西北工业大学青岛研究院
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高CdZnTe探测器性能的CdZnTe/GaAs外延膜及制备方法，基于P型GaAs衬底上生长CdZnTe厚膜并在Te2气氛中进行等温退火。将其制备成Au/CdZnTe/p‑GaAs/Au探测器，与退火之前相比，CdZnTe外延膜的电阻率明显提高，探测器对241Am@5.49MeVα粒子响应更加灵敏，能量分辨率提高，并且在退火之后出现了对241Am@59.5KeVγ射线的响应。本发明提供的改性方法包括衬底的预处理、CdZnTe外延膜的生长过程、CdZnTe外延膜的退火过程及辐射探测器的制备。
提高 cdznte 探测器性能 gaas 外延制备方法

[发明专利]近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法-CN202310548688.6在审
发明人：曹昆;刘宇;查钢强;李颖锐;姜然;刘佳虎 -专利权人：西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供了近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法。该近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法包括以下步骤：S1、CdZnTe晶锭切割，选取CdZnTe晶锭，并将所述CdZnTe晶锭切割成标准厚度的圆片；S2、CdZnTe生长源打磨；S3、CdZnTe生长源清洗腐蚀，对CdZnTe生长源依次进行清洗腐蚀动作；S4、预蒸发程序设置；S5、预蒸发；S6、超声清洗；S7、外延膜生长。未经过本发明处理的生长源通过近空间升华法长时间加热生长只会得到多晶膜，而采用本发明处理后的生长源由于预蒸发过程会去除生长源表面的损伤层会得到更大单晶面积的外延单晶膜。相较于CdZnTe多晶膜，CdZnTe外延单晶膜没有晶界，因而具有更好的载流子输运性能，光电性能提高，能谱性能提高。
空间升华 cdznte 生长处理方法

[实用新型]一种支撑结构-CN202320828426.0有效
发明人：吴森;程朝阳;李颖锐 -专利权人：深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： F16M7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种支撑结构。该一种支撑结构包括设备框架和多个支撑机构；多个支撑机构均安装于设备框架上，支撑机构包括安装板，安装板靠近设备框架的一面设有一对连接套，安装板与设备框架之间连接有多个螺栓，安装板上转动连接有万向轮盘，万向轮盘上安装有转轮，万向轮盘上螺纹连接有螺杆，螺杆上连接有底盘，底盘下侧设有橡胶垫，底盘与橡胶垫之间连接有一对压合机构，螺栓穿过连接套与设备框架螺纹连接，安装板通过多个螺栓固定于设备框架上，该一种支撑结构通过相应机构的设置，可以使得脚杯上的防滑橡胶垫不易脱落，进而可以保证脚杯的防滑效果，使得设备在光滑的地面上不易滑动，保证设备使用时的稳定性。
一种支撑结构

[发明专利]快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法-CN202310549237.4在审
发明人：曹昆;姜然;查钢强;李颖锐;刘佳虎;刘宇 -专利权人：西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法。该快速退火制备高性能CdZnTe X射线探测器方法包括以下步骤：S1、CdZnTe生长源的预处理，选择合格的CdZnTe生长源，并对CdZnTe生长源进行预处理动作；S2、CdZnTe薄膜的生长，设置生长参数在衬底上进行生长动作；S3、CdZnTe薄膜的划片处理，将经过所述步骤S2生长后的CdZnTe薄膜经行划片处理；S4、CdZnTe薄膜退火，将经过划片处理的CdZnTe薄膜进行退火处理；S5、探测器制备，其中，本发明通过各个步骤的配合优化了金半接触特性，减少了生长时间，获得了光响应特性优异的CdZnTe成像探测器。
快速退火制备性能 cdznte 射线探测器方法

[发明专利]新型环境辐射监测装置-CN202310588332.5在审
发明人： 李颖锐 -专利权人：陕西西工大科技园有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01T1/167 文献下载
摘要：本发明提供了新型环境辐射监测装置。该新型环境辐射监测装置包括监测底框、第一监测支撑架、第二监测支撑架、第一衔接座、第二衔接座、第三衔接座、第一监测组件、第二监测组件和第三监测组件，所述检测底框呈矩形状结构，所述第一监测支撑架安装在所述检测底框一侧，所述第二监测支撑架安装在所述检测底框另一侧，第一衔接座安装在所述第一监测支撑架上，第二衔接座安装在所述第一监测支撑架上，第三衔接座安装在所述第二监测支撑架上，所述第一监测组件安装在所述第一衔接座上，本发明通过多个监测组件的设置提高了本发明对环境中检测指标的监测效率和监测效果，同时，检测底框的设置能够提高本发明的安装便捷程度。
新型环境辐射监测装置

[发明专利]新型结构的CdZnTe探测器的制备方法-CN202310561567.5在审
发明人：曹昆;刘佳虎;查钢强;李颖锐;姜然;刘宇 -专利权人：西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了新型结构的CdZnTe探测器的制备方法。该新型结构的CdZnTe探测器的制备方法包括以下步骤：S1、衬底预处理，对GaAs衬底进行预处理；S2、CdZnTe多晶源预处理，对CdZnTe多晶源进行预处理；S3、CdZnTe膜的生长程序的设置，对CdZnTe膜生长温度和时间参数设置；S4、CdZnTe膜生长，采用多晶源Cd0.9‑0.8Zn0.1‑0.2Te，对CdZnTe膜进行生长处理；S5、CdZnTe阻挡层的生长程序的设置，对CdZnTe阻挡层生长温度和时间参数进行设置；S6、CdZnTe阻挡层生长，采用多晶源Cd0.8‑0.5Zn0.2‑0.5Te，对CdZnTe阻挡层进行生长处理；S7、CdZnTe探测器的制备，本发明的新型结构的CdZnTe探测器的制备方法通过各个步骤的相互配合，外延膜表面增加阻挡层，减小离子注入，提高膜的电阻率，减小漏电流，降低噪声，提高探测器的能量分辨率，载流子迁移率寿命积。
新型结构 cdznte 探测器制备方法

[外观设计]笔式电离辐射剂量仪-CN202330064386.2有效
发明人： 李颖锐;程朝阳;相东;吴晨溪 -专利权人：深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： 10-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：笔式电离辐射剂量仪。2.本外观设计产品的用途：用于检测辐射剂量的大小。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
电离辐射剂量

[发明专利]一种通信方法、装置及系统-CN202080106434.3在审
发明人：王飞;杨兵;李颖锐;张振华 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H04W4/06 文献下载
摘要：一种通信方法、装置及系统，该方法可以由第一网络设备执行，或者由第一网络设备的部件(如处理器、芯片或芯片系统等)执行。在该方法中，第一网络设备接收来自第二网络设备的第一位置，第一位置是第一信息占用的一个或多个子帧的位置；确定第一偏移量以及配置MBSFN子帧，第一偏移量用于确定第二位置，第二位置是第一位置偏移第一偏移量后的位置，第一范围为支持配置MBSFN子帧的位置，MBSFN子帧的位置包括第二位置；以及，向第二网络设备发送第一偏移量和第一MBSFN配置信息。通过该方法，第二网络设备可以在MBSFN子帧上发送第一信息，从而避免第一信息与CRS之间的时频资源冲突，实现NR与LTE的频谱共享。
一种通信方法装置系统

[发明专利]一种多视场X射线成像拼接方法-CN202111217884.2有效
发明人：康阳;吴森;李颖锐;武蕊;范东海;查钢强 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多视场X射线成像拼接方法，集时对成像物体进行多视场的X射线扫描。通过在多视场投影重叠部分得到物体的深度信息，克服单视场投影没有物体的深度信息的弊端。投影数据加权融合为将各个视场中各像素的投影值通过计算赋予权重，加权得到重叠位置点的近似“平行光”投影数据。像素归一为将上一步得到的所有重叠点属于同一像素的部分各自取平均值，并赋予到对应的像素并输出得到一幅完整的图像。本发明可以显著提高扫描图像的拼接质量，在X射线扫描的同时就进行拼接，并且可以根据成像物体拼接精度的要求选择视场的使用数目，整个方法探测速度快，患者所受辐射小，成像效果好。可满足对X射线成像的低剂量，高精度的要求。
一种视场射线成像拼接方法

[外观设计]骨密度仪-CN202330064450.7有效
发明人： 李颖锐;吴森 -专利权人：深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：骨密度仪。2.本外观设计产品的用途：测定人体骨矿密度并获得各项相关数据的医疗检测仪器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
密度仪

[外观设计]骨密度仪探测器-CN202330064495.4有效
发明人： 李颖锐;吴森 -专利权人：深圳翱翔锐影科技有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：骨密度仪探测器。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于测定人体骨矿密度并获得相关数据的医疗检测仪器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
密度仪探测器

[发明专利]基于光电流响应的CdZnTe探测器计数率测试方法及装置-CN202211731669.9在审
发明人： 李颖锐;李清沛;查钢强;康阳;李佩政;武蕊;吴森;程朝阳;魏登科 -专利权人：陕西翱翔辐射探测科技有限公司;深圳翱翔锐影科技有限公司;西北工业大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了基于一种光电流响应的CdZnTe探测器计数率测试方法及装置，其方法包括：获取CdZnTe探测器在X射线处于不同管电流下的计数率变化曲线；进行预设管电流步进并获取CdZnTe探测器在不同采集时间下的光电流台阶曲线中，并进行均值与拟合处理，得到管电流与光电流的关联关系；基于管电流与光电流的关联关系以及不同的探测器工作偏压下判断光电流台阶曲线的稳定性，基于稳定性确定CdZnTe探测器是否处于极化状态；CdZnTe探测器在非极化状态时，基于计数率变化曲线对CdZnTe探测器进行计数率测试。本发明通过对比计数率曲线和光电流响应曲线，可以快速判断探测器是否在非极化状态，在最终某一管电压下的计数率拟合曲线中，可以准确地测评高计数率CdZnTe探测器在某一X射线剂量下的计数率。
基于电流响应 cdznte 探测器计数测试方法装置

[发明专利]一种匹配像素探测器的基于正三角形的伽马射线准直器-CN202011205503.4有效
发明人：查钢强;武蕊;李颖锐;曹昆;魏登科;吴森;康阳 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G21K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种匹配像素探测器的基于正三角形的伽马射线准直器，包括：与伽马射线探测器阳极像素电极数量和排布一致的正三角形孔或截角正三角形孔；可使伽马射线强度衰减入射强度95％以上的最小孔间距；在垂直于准直孔特征形状所在平面且互相平行排布的贯通准直孔；由准直器使能区侧壁及准直孔特征平面未开孔区域构成探测器的屏蔽层；在探测器底端起机架固定和支撑作用的圆形承托盘；由圆形承托盘内部开孔和准直器使能区内部的中下部分开槽两部分组合构成的探测器装配区；圆形承托盘上周期通孔构成的固定孔。本发明专利描述的准直器，在达到相同的准直效果时可使较多的伽马射线入射到探测器上，实现高效率的伽马射线成像要求。
一种匹配像素探测器基于正三角形伽马射线准直器

[发明专利]一种基于SnO2缓冲层Sb2-CN202110672189.9在审
发明人：谭婷婷;徐云海;孟庆岱;魏登科;查钢强;李颖锐;吴森 -专利权人：西北工业大学深圳研究院;西北工业大学;西北工业大学青岛研究院
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SnO2缓冲层Sb2Se3太阳能电池的制备方法，选用磁控溅射法沉积SnO2薄膜，近空间升华法CSS沉积Sb2Se3薄膜，并对SnO2薄膜和Sb2Se3薄膜分别进行退火改性，最后制备出了FTO/SnO2/Sb2Se3/Au顶衬结构的薄膜太阳能电池器件。磁控溅射法与喷雾热解法、低温热解法相比，制备的SnO2薄膜更加致密，纯度更高，重复性更好，厚度可控，在高真空腔室下溅射有效的避免了杂质的引入，制备的薄膜均匀性更好且不会产生废液和任何有害气体；CSS是一种将源材料加热使其快速升华并且在衬底上沉积薄膜的一种制备方法，CSS源的利用率高、工艺简单、重复性好、膜层纯度高，因此CSS制备的Sb2Se3薄膜更加适合商业化生产。
一种基于 sno2 缓冲 sb base sub

[发明专利]一种具有高能量分辨特征的环形伽马射线探测器-CN202110605191.4在审
发明人：郭晨;查钢强;李颖锐;魏登科;范东海 -专利权人：西北工业大学深圳研究院;西北工业大学;西北工业大学青岛研究院
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01T1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有高能量分辨特征的环形伽马射线探测器，包括阳极和阴极，其中探测器阳极中心设有收集电极；两个控制环电极；保护环电极。本发明制备的环形探测器具有探测效率高、能谱性能优异的特点，可满足对伽马射线探测器高效率、高分辨的应用要求。有益效果是：探测器小尺寸收集极提高了单载流子探测器的响应性能，阳极电极面保护环有利于提高内电场的均匀性，电荷收集效率的，提高探测器的探测性能。控制环调节了探测器的电场，使载流子的扩散和相互排斥作用减弱，有利于提高探测器性能。
一种具有高能量分辨特征环形伽马射线探测器

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