专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]忆阻器及其制备方法-CN202210202535.1在审
  • 吴华强;郑小健;唐建石;李辛毅;高滨;伍冬;钱鹤 - 清华大学
  • 2022-03-03 - 2023-09-15 - H10N70/20
  • 一种忆阻器及其制备方法,该忆阻器包括第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的阻变层,其中,该阻变层包括金属氧化物,且配置为在第一电极和第二电极上施加的电压信号的控制下形成连接第一电极和第二电极的金属氧化物通道,该金属氧化物通道可以至少部分被相变以在第一导电态和第二导电态之间转变,该金属氧化物掺杂有掺杂元素,该掺杂元素与金属氧化物中的部分氧原子通过化学键键合。该忆阻器可具有形态、位置等更稳定的金属氧化物通道,且具有更稳定的第一导电态和第二导电态之间转变所处的阈值电压和保持电压。
  • 忆阻器及其制备方法
  • [发明专利]阻变存储器、阻变存储器芯片及其制备方法-CN202010960339.1有效
  • 高滨;孙雯;李辛毅;唐建石;吴华强;钱鹤 - 清华大学
  • 2020-09-14 - 2023-04-07 - H10N70/00
  • 提供了一种阻变存储器、阻变存储器芯片及其制备方法。该阻变存储器包括至少一个阻变存储元件,该至少一个阻变存储元件中的每个包括在第一方向上依次叠层的第一电极、阻变层和第二电极,对于每个阻变存储元件,第一电极包括在第一方向上与第二电极交叠的第一部分和与第二电极不交叠的第二部分,第二电极包括在第一方向上与第一电极交叠的第三部分和与第一电极不交叠的第四部分,阻变层设置在第一电极的第一部分与第二电极的第三部分之间,并且第二部分、第一部分和第三部分、第四部分沿第二方向依次排布,第二方向与第一方向垂直。
  • 存储器芯片及其制备方法
  • [发明专利]阈值可塑的人工神经元电路-CN201911393826.8有效
  • 李辛毅;钱鹤;吴华强;高滨;唐建石 - 清华大学
  • 2019-12-30 - 2023-04-07 - G06N3/063
  • 本发明公开了一种阈值可塑的人工神经元电路,该电路包括:累加模块、阈值发放模块和阈值调节模块,其中,累加模块与阈值发放模块连接,用于累积突触产生的信号,并将信号发送给阈值发放模块;阈值发放模块用于接收累加模块输出的信号,并比较接收到的信号与预设阈值的大小,若接收到的信号大于预设阈值时,则神经元被激活,若接收到的信号小于预设阈值,则神经元未被激活;阈值调节模块与阈值发放模块连接,用于根据学习算法调节预设阈值的大小。该电路在训练的过程中,突触和神经元同时都具有可调节性,使得人工神经网络具有更强的学习能力,功能更丰富和灵活,更加智能化。
  • 阈值可塑人工神经元电路
  • [发明专利]长短期记忆神经网络电路及控制方法-CN202211097869.3在审
  • 李辛毅;吴华强;钱鹤 - 清华大学
  • 2022-09-08 - 2023-02-28 - G06N3/063
  • 本申请一种长短期记忆神经网络电路及控制方法,包括:依次电连接的输入电路、权重电路和激活函数电路。输入电路中的动态忆阻器将当前时刻的输入和上一时刻存储的状态量叠加,得到不同时刻的叠加输入量;权重电路将所存储的权重矩阵向量和每个经过动态忆阻器叠加的输入电路输出进行矩阵向量的乘加运算,得到权重矩阵的初始输出量;激活函数电路对权重矩阵的初始输出量进行非线性计算,得到长短期记忆神经网络电路的电压输出结果。解决为满足动态反馈机制的需求,增加额外的权重和偏置配置,导致系统损耗增大和时间延迟的问题,减少了网络的权重、偏置参数和缓存使用,减少数据的写入和读取次数,从而减少了系统的硬件开销和时间延迟。
  • 短期记忆神经网络电路控制方法
  • [发明专利]神经元模拟电路及神经网络装置-CN202011575150.7有效
  • 李辛毅;吴华强;钱鹤;伍冬 - 清华大学
  • 2020-12-28 - 2022-12-20 - G06N3/063
  • 一种神经元模拟电路及神经网络装置。该神经元模拟电路包括运算放大器、第一电阻性器件和第二电阻性器件,该运算放大器包括第一输入端、第二输入端和输出端,该第一电阻性器件连接在该运算放大器的第一输入端或第二输入端与该运算放大器的输出端之间;该第二电阻性器件连接在该运算放大器的输出端和该神经元模拟电路的输出端之间;该第二电阻性器件包括阈值开关型忆阻器,该阈值开关型忆阻器的第一端与该神经元模拟电路的输出端电连接;该第一电阻性器件和该第二电阻性器件中至少之一包括动态忆阻器。该神经元模拟电路具有较强的仿生能力。
  • 神经元模拟电路神经网络装置
  • [发明专利]纳米线晶体管及其制作方法-CN201810509202.7有效
  • 许峰;高滨;李辛毅;吴华强;钱鹤 - 厦门半导体工业技术研发有限公司
  • 2018-05-24 - 2022-07-08 - H01L29/78
  • 一种纳米线晶体管及其制作方法,该纳米线晶体管包括:半导体线、半导体层、源极和漏极。半导体线包括第一半导体材料并且包括源区、漏区和沟道区,沿所述半导体线的轴向方向,所述沟道区位于所述源区和所述漏区之间;半导体层包括第二半导体材料并且包覆所述半导体线的沟道区;所述源极位于所述半导体线的源区内并与所述半导体线的源区直接接触,所述漏极位于所述半导体线的漏区内并与所述半导体线的漏区直接接触。在该纳米线晶体管中,由于源极和漏极与半导体线直接接触,栅极电场对沟道的控制作用得到加强,从而避免或减小栅致漏极泄漏电流,有利于提高纳米线晶体管的开关态电流比。
  • 纳米晶体管及其制作方法
  • [发明专利]一种基于Master-Slave神经元的人工神经网络控制器-CN202110488734.9有效
  • 李辛毅;吴华强;钱鹤 - 清华大学
  • 2021-05-06 - 2022-06-21 - G05B13/04
  • 本发明提出一种基于Master‑Slave神经元的人工神经网络控制器,属于人工神经网络硬件实现技术领域。该控制器包括:一个Master神经元模块、多个独立的Slave神经元模块以及一个非挥发忆阻器阵列;其中,所述Master神经元模块包含多个独立的Master神经元,每个Master神经元分别连接非挥发忆阻器阵列和每个Slave神经元模块,非挥发忆阻器阵列分别连接每个Slave神经元模块。本发明的Master神经元收到新的任务信息后,在不改变神经网络保存的已经过训练的信息的前提下,通过训练新的Slave神经元对新信息进行学习,从而使人工神经网络具有像生物神经网络一样的自适应和学习能力。
  • 一种基于masterslave神经元人工神经网络控制器
  • [发明专利]忆阻器及其制备方法-CN202011001124.3在审
  • 吴华强;钱鹤;李辛毅 - 清华大学
  • 2020-09-22 - 2022-03-29 - H01L27/24
  • 一种忆阻器及其制备方法。该忆阻器包括至少一个忆阻单元,至少一个忆阻单元中的每个包括晶体管和至少一个忆阻元件,晶体管包括源极和漏极;至少一个忆阻元件中的每个包括第一电极、阻变层、第二电极以及钝化层,第一电极与源极或漏极电连接;阻变层在第一电极和第二电极之间;钝化层至少覆盖阻变层的侧壁。该钝化层可以避免阻变层和与其相邻的介质层或绝缘层之间产生离子相互扩散的问题,并且在忆阻器包括多个忆阻单元时,还可以避免忆多个阻单元在工作过程中产生串扰而对忆阻器的整体性能产生不良影响。
  • 忆阻器及其制备方法
  • [发明专利]神经网络系统及神经网络计算方法-CN202010067674.9在审
  • 张清天;李辛毅;倪磊滨;王侃文;吴华强 - 华为技术有限公司;清华大学
  • 2020-01-20 - 2021-07-20 - G06N3/04
  • 本申请提供神经网络系统及神经网络计算方法,涉及电子技术领域,能够节省芯片面积和功耗。该神经网络系统包括第一忆阻器阵列、多个电流电压转换器和多个阻变存储器。第一忆阻器阵列包括多行多列忆阻器,用于接收第一输入数据,并根据配置的第一权重对第一输入数据进行乘加运算,获得电流。每个电流电压转换器分别连接第一忆阻器阵列中的至少一列忆阻器的输出端,用于接收对应列的忆阻器的电流,将接收的电流转换为电压。每个阻变存储器分别连接至少一个电流电压转换器,用于接收对应的电流电压转换器的电压,并根据接收的电压和相应阻变存储器的初始阻态获得第一计算结果中的一个计算结果。其中,每个阻变存储器的初始阻态均为高阻态。
  • 神经网络系统计算方法
  • [发明专利]信号处理装置及信号处理方法-CN201910081039.3有效
  • 李辛毅;吴华强;钱鹤;高滨 - 清华大学
  • 2019-01-28 - 2020-12-08 - G06K9/00
  • 一种信号处理装置及信号处理方法。该信号处理装置包括接收器、忆阻器阵列和分类器。接收器被配置为接收第一信号。忆阻器阵列包括多个忆阻器单元,多个忆阻器单元中的每一个包括忆阻器,忆阻器阵列被配置为:将接收到的所述第一信号施加到所述多个忆阻器单元中的至少一个忆阻器单元,并且输出基于所述忆阻器阵列的忆阻器电阻值分布的第二信号。分类器被配置为对所述忆阻器阵列输出的第二信号进行分类,以获得所述第一信号的类型。该信号处理装置体积小、功耗低且易于集成。
  • 信号处理装置方法
  • [发明专利]神经元模拟电路及其驱动方法、神经网络装置-CN202010850087.7在审
  • 吴华强;魏秋萌;李辛毅;唐建石;高滨;钱鹤 - 清华大学
  • 2020-08-21 - 2020-11-20 - G06N3/063
  • 一种神经元模拟电路及其驱动方法、神经网络装置。该神经元模拟电路包括积分电路和阈值调节电路,该积分电路配置为响应于该激励信号单向改变第一节点的电压;该阈值调节电路包括第一忆阻器、第二忆阻器和单稳态电路,该单稳态电路的输出端与输入端分别与第二节点和第三节点连接;该第一忆阻器的第一端受该第一节点的电压控制,该第一忆阻器的第二端与该第三节点连接;该第二忆阻器的第一端受该第二节点的电压控制,且该第二忆阻器配置为根据该第二忆阻器的第一端和第二端之间的电压差而改变该第二忆阻器的电阻值。该神经元模拟电路使得神经元的兴奋性能够根据网络活动进行自适应调节,适用于大规模脉冲神经网络硬件系统的集成。
  • 神经元模拟电路及其驱动方法神经网络装置
  • [发明专利]阻变存储器、阻变存储器芯片及其制备方法-CN202010554860.5在审
  • 孙雯;李辛毅;高滨;唐建石;吴华强;钱鹤 - 清华大学
  • 2020-06-17 - 2020-09-18 - H01L27/24
  • 一种阻变存储器、阻变存储芯片及其制备方法。该阻变存储器包括晶体管和阻变存储元件。该晶体管包括第一源漏极、栅极、第二源漏极以及分别与第一源漏极、栅极和第二源漏极电连接的第一源漏极连接电极、栅极连接电极和第二源漏极连接电极。该阻变存储元件包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的阻变层,第一电极通过第二源漏极连接电极与第二源漏极电连接。第一源漏极连接电极、栅极连接电极、第二源漏极连接电极和阻变存储元件沿第一方向并列排布在同一平面上。由此,该阻变存储器可以实施限流作用下的原位透射电镜观测实验,并且得到高可靠性的实验数据。
  • 存储器芯片及其制备方法
  • [发明专利]电路结构及其驱动方法、神经网络-CN201710322907.3有效
  • 李辛毅;吴华强;宋森;张清天;高滨;钱鹤 - 清华大学
  • 2017-05-09 - 2020-05-05 - G06N3/063
  • 一种电路结构及其驱动方法、神经网络。该电路结构包括:至少一个电路单元,每个电路单元包括第一组阻变器件和第二组阻变器件,第一组阻变器件包括阻值渐变器件,第二组阻变器件包括阻值突变器件,第一组阻变器件和第二组阻变器件串联连接,在未加电压的情况下,第一组阻变器件的阻值大于第二组阻变器件的阻值。该电路结构利用阻值渐变器件和阻值突变器件串联连接形成类神经元结构,以实现模拟人脑神经元的功能。阻值渐变器件的阻值在外加电压下缓慢变化,可以用于模拟生物树突的S型生长曲线的行为。该电路结构具有结构简单、功耗低、面积小、可以实现复杂功能以及与标准CMOS工艺容易兼容等优点。
  • 电路结构及其驱动方法神经网络

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