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[实用新型]高效热解废旧碳纤维复合材料的装置-CN202320553758.2有效
发明人：汪海斌;张毅;邹志国;李西祥 -专利权人：山东公用环保科技集团有限公司;山东公用环保集团科技孵化器有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C10B53/02 文献下载
摘要：本申请公开高效热解废旧碳纤维复合材料的装置，属于废旧碳纤维复合材料处理设备技术领域，包括加热室、炉罐、换气系统以及降温机构，其中所述换气系统设置有分别连通所述炉罐的裂解气管道和供气管道，其中所述炉罐为可移动式炉罐，所述换气系统为可移动式换气系统，以能够随所述炉罐同步移动；其中所述降温机构包括设置于一预定空间的顶部和/或侧部的风机，所述风机的输出端正对所述预定空间，以在所述炉罐位于所述预定空间时给所述炉罐提供风冷降温。本申请提供的高效热解废旧碳纤维复合材料的装置能够有效提升热解废旧碳纤维复合材料的热解回收效率，由常规随炉降温的5‑8小时缩短至1‑2小时。
高效废旧碳纤维复合材料装置

[发明专利]金属硬掩膜氮化钛颗粒缺陷的改善方法-CN201911023024.8有效
发明人：雷海波;田明;鲍宇;李西祥 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种金属硬掩膜氮化钛颗粒缺陷的改善方法，提供一介电层，在所述介电层上以高氮气氛围溅射第一TiN层，所述第一TiN层延其厚度方向含氮量均匀；将步骤一中的所述高氮气氛围过渡至低氮气氛围，在所述第一TiN层上溅射第二TiN层，所述第二TiN层延其厚度方向含氮量逐渐降低；对所述第二TiN层表面进行等离子体处理，形成第三TiN层，所述第三TiN层延其厚度方向含氮量与所述第一TiN层延其厚度方向含氮量一致。本发明采用两步氮化钛沉积方法，克服了高氮气氛围溅射氮化钛颗粒导致缺陷的缺点，同时避免了低氮气氛围溅射氮化钛压应力较高的缺点，提高了产品的良率。
金属硬掩膜氮化颗粒缺陷改善方法

[发明专利]一种形成金属扩散阻挡层的方法-CN201811015325.1有效
发明人：鲍宇;李西祥 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种形成金属扩散阻挡层的方法，提供衬底，衬底由下向上依次包括金属互联层，绝缘层，低K介电层及硬掩膜层；还包括以下步骤：形成穿透硬掩膜层，低K介电层及绝缘层的通孔，通孔底部暴露金属互联层，并于通孔的顶部形成沟槽，沟槽底部位于低K介电层中；在硬掩膜层、通孔的孔壁及孔底，及沟槽的槽壁及槽底形成第一金属层；使通孔的孔壁，及沟槽的槽壁及槽底的第一金属层与低K介电层反应形成合金阻挡层；于合金阻挡层及剩余的第一金属层表面形成金属种子层；于沟槽及通孔中填充金属。本发明的有益效果在于，通过在沉积金属种子层之前形成合金阻挡层，从而更加有效的防止铜在形成阻挡层形成之前扩散。
一种形成金属扩散阻挡方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202011124404.3在审
发明人： 李西祥;曾海;黄驰;张育龙;王永平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构包括键合层，键合层中具有多个凹部；形成覆盖键合层上及多个凹部内壁的第一材料层；以及进行高温回流处理，高温回流处理使位于键合层上和/或多个凹部内壁的第一材料层的至少一部分沉积至多个凹部的底部；其中，形成覆盖键合层上及多个凹部内壁的第一材料层的步骤与进行高温回流处理的步骤分别在不同的腔室中进行。该制作方法提升了制作效率，降低了制作成本。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]铜填充的凹槽结构及其制造方法-CN201811477084.2有效
发明人：鲍宇;李西祥;曹艳鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜填充的凹槽结构，包括：凹槽，形成于第一介质层中；在凹槽的底部表面和侧面形成于阻挡层；在阻挡层的表面形成有纯铜的第一籽晶层；在第一籽晶层的位于凹槽的侧面的顶部的表面形成有铜合金的第二籽晶层；铜主体层将凹槽完全填充并形成凹槽结构，铜主体层的底部表面和侧面的底部和第一籽晶层直接接触用于降低凹槽结构的寄生电阻；铜主体层的侧面的顶部和第二籽晶层直接接触并通过第二籽晶层的铜合金材料降低凹槽结构的电迁移。本发明公开了一种铜填充的凹槽结构的制造方法。本发明能改善器件的EM性能，同时降低器件的寄生电阻；本发明特别适用于20nm以下的铜通孔的应用。
填充凹槽结构及其制造方法

[实用新型]一种环境质量自动监测远程控制系统-CN201821466336.7有效
发明人：刘允旺;李西祥;贾淑芹;李伟;侯颖;肖振华;宋帅 -专利权人：山东公用同太环保科技有限公司
申请日： 2018-09-08 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环境质量自动监测远程控制系统，包括固定杆、固定盘和套筒，固定杆的底端固定设有固定台，固定台的底端固定设有底座，固定杆的顶部嵌接有电动伸缩杆，电动伸缩杆的输出端传动连接有固定柱，固定柱底端的边侧固定设有套筒，固定柱的顶端嵌接有电机，固定柱的内部安装有蓄电池，固定柱的顶部转动连接有固定盘，本实用新型一种环境质量自动监测远程控制系统，底座底端设有的若干个钢筋条，在配合固定环的使用下，可以提高固定杆的稳定性，同时适应水泥地面和土质地面的安装需要，使用更加灵活、适用范围更广。
固定柱固定杆远程控制系统质量自动监测本实用新型电动伸缩杆固定盘固定台底端嵌接套筒蓄电池传动连接底座底端内部安装配合固定水泥地面土质地面转动连接钢筋条输出端底座电机灵活

[发明专利]铜填充的凹槽的方法-CN201811477042.9在审
发明人：鲍宇;李西祥;曹艳鹏 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜填充的凹槽的方法，包括步骤：步骤一、形成凹槽；步骤二、形成阻挡层；步骤三、形成籽晶层；步骤四、采用电化学电镀工艺在凹槽中填充铜并形成将凹槽完全填充的铜主体层，包括如下分步骤：步骤41、采用第一电流进行铜的敷形沉积形成在凹槽的底部表面和侧面均匀生长第一层铜；步骤42、进行将电流的大小从第一电流逐渐降低到第二电流铜的过渡阶段沉积形成位于凹槽底部表面的厚度大于侧面的厚度的形成第二层铜；步骤43、采用第二电流进行铜的底部向上沉积形成第三层铜将凹槽完全填充。本发明能同时兼顾电镀铜过程中对凹槽侧面和底部表面的籽晶的修复以及从底部向上填充，提高铜填充凹槽的能力，改善凹槽侧面的空洞问题。
填充铜填充沉积凹槽侧面底部表面凹槽底部表面电镀铜过程电化学电镀侧面过渡阶段逐渐降低第三层第一层主体层籽晶层阻挡层籽晶空洞修复生长

[实用新型]一种阶梯型人工湿地结构-CN201721125541.2有效
发明人： 李西祥;刘甜甜;李金萍;何嘉伟 -专利权人： 李西祥
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阶梯型人工湿地结构，包括蓄水池、第一阶梯湿地、第二阶梯湿地和第三阶梯湿地，所述第一阶梯湿地、第二阶梯湿地和第三阶梯湿地从上到下均依次设置有水生种植层、石英砂填料层、砾石填料层和碎石填料层，且水生种植层的顶部设置有水生植物，所述第一阶梯湿地、第二阶梯湿地和第三阶梯湿地的两侧均分别设置有第一隔板和第二隔板，所述第一隔板的底部开设有通孔，所述第一隔板和第二隔板包括上板和下板。本实用新型通过卡块、卡槽的配合使用，可以很方便的对第一隔板和第二隔板进行拆卸安装，避免了第一隔板和第二隔板的局部损坏需要更换整体情况的发生，节省了资源，提高了资源的利用效率。
隔板湿地阶梯型人工湿地本实用新型种植层水生植物石英砂填料层砾石填料层从上到下顶部设置局部损坏碎石填料依次设置卡槽卡块上板通孔下板蓄水池拆卸

[实用新型]一种潜流湿地结构-CN201721125763.4有效
发明人：刘甜甜;李西祥;何嘉伟;李金萍 -专利权人：刘甜甜
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及园林土木技术领域，且公开了一种潜流人工湿地结构，包括墙体，所述墙体的内部设置人工湿地，所述人工湿地的内部设置有第一水池，所述第一水池的一侧固定连接有进水管，所述人工湿地的内部设置有第二水池，所述第二水池的一侧设置有排水管，所述墙体的一侧固定连接有反洗水泵，所述反洗水泵的出水口固定连接有水管，所述水管的一端固定连接有反洗水管，所述反洗水管的内壁与穿孔管的外壁固定连接。该潜流人工湿地结构，为植物的根系提供充足的氧气，为植物提供充足的水分，从而使水渗透的更加均匀，提高了水渗透效率，可以定期的对湿地进行冲洗，阻止潜流人工湿地在使用过程中出现堵塞，有利于人工湿地长时间的使用。
人工湿地潜流人工湿地水池内部设置墙体反洗水泵反洗水管水渗透水管本实用新型排水管潜流湿地出水口穿孔管进水管根系内壁土木外壁冲洗氧气湿地堵塞园林

[发明专利]一种中低温混合导体透氧膜及其制备方法-CN201410410200.4有效
发明人：占忠亮;李西祥;孟燮;吴昊 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：一种中低温混合导体透氧膜及其制备方法，所述中低温混合导体透氧膜包括致密透氧层、位于所述致密透氧层一侧的第一多孔层、以及位于所述致密透氧层另一侧的第二多孔层，其中，所述致密透氧层由具有钙钛矿型结构的透氧膜材料制成，所述第一多孔层和/或第二多孔层由透氧膜材料和/或活性材料制成。
一种低温混合导体透氧膜及其制备方法

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