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[发明专利]一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法-CN202011426084.7有效
发明人： 李穆朗;李宁;张晓光 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法。按如下步骤进行：厚度分选：砷化镓减薄片分选厚度120±5µm，每10片一组，厚度差小于等于3µm；配制粗抛液，将游星轮均匀放置在抛光盘面上，然后将选好的砷化镓减薄片背面向上放置在游星轮孔洞中，自查游星轮和砷化镓晶片自旋状况；双面粗抛程序；双面粗抛加工砷化镓晶片厚度至90µm；清洗甩干；贴膜；对背面贴膜的砷化镓晶片进行二次单面无蜡粗抛，加工至砷化镓晶片厚度80µm，清洗甩干；脱膜。本发明的实施，可以将120微米左右的砷化镓减薄片通过双面粗抛得到四英寸80微米双抛片，在保证表面质量的前提下整体平整度低于3µm，满足了市场需求，填补了技术空白。
一种英寸 80 微米砷化镓双抛片制作方法

[发明专利]一种用于三结砷化镓外延层表面平整化处理的工艺方法-CN201911060784.6有效
发明人： 李穆朗;张雁敏;曹志颖;王东兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于三结砷化镓外延层表面平坦化处理的工艺方法，配制两种抛光液后，将晶片放置于压块上粘贴的无蜡垫内；三结砷化镓外延层面贴紧抛光盘上的阻尼布，执行自查程序，查看压块和晶片的自旋状况；自查程序执行结束后，施加第一种抛光液，执行第一段抛光程序；第一段程序结束后，关闭第一种抛光液，施加第二种抛光液，同时执行第二段程序；第二段程序结束后，关闭抛光液，从压块上粘贴的无蜡垫内取出晶片，放入白花篮中进行清洗。技术效果是解决了目前三结砷化镓外延层无法在保证表面质量的前提下达到1µm整体平整度和3nm以下表面粗糙度的问题，可以有效地提高三结砷化镓外延层表面平整度，降低表面粗糙度，提高键合效果。
一种用于三结砷化镓外延表面平整处理工艺方法

[发明专利]一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺-CN201711308112.3有效
发明人： 李穆朗;郭明;孙强 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺。步骤如下：配制粗抛液后，将环氧树脂游星轮均匀放置在抛光盘面上，然后将厚度偏差3µm内的砷化镓双抛片正面向上放置在环氧树脂游星轮孔洞中，执行自查程序，查看环氧树脂游星轮和砷化镓双抛片自旋状况；自查程序执行结束后，降下上抛光盘，完成第一次执行粗抛程序；第一次粗抛程序结束后，将砷化镓双抛片翻转，背面向上执行自查程序，然后第二次执行粗抛程序；重复十次操作后，从环氧树脂游星轮中取出砷化镓双抛片，放入白花篮中清洗甩干。通过本发明的实施，有效地提高了砷化镓双抛片的整体平整度。
一种降低砷化镓双抛片整体平整工艺

[发明专利]一种适用于砷化镓晶片抛光的抛光药液-CN201811517792.4在审
发明人： 李穆朗;工东兴;兰天平;边义午;张雁敏;曹志颖 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C09G1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于砷化镓晶片抛光的抛光药液。抛光药液是将抛光液溶于去离子水，抛光药液中抛光液含量为5‑40wt%；抛光液按照重量百分比由以下组分组成：氧化剂：1‑25；碳酸氢化物：4‑20；氧化催化剂：4‑20；表面活性剂：1‑15；碱性溶胶：50‑90。在相同条件下，使用氧化催化剂，抛光药液消耗更完全，减少氧化剂的流失，提高抛光药液的使用率；抛光药液腐蚀砷化镓晶片会更加均匀，不会造成抛光效果不一致的问题；使用碳酸氢化物，抛光药液PH值更加稳定，从而使化学反应更加稳定、持久；抛光药液原材料廉价易购得，从而降低了抛光药液的成本，制备方法简便快捷，具有广阔的市场价值。
抛光药液砷化镓晶片抛光液氧化剂碳酸氢化物氧化催化剂抛光表面活性剂重量百分比化学反应碱性溶胶抛光效果去离子水不一致使用率制备腐蚀消耗