“李深地”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]金属氧化物半导体电路结构-CN200510115418.8无效
发明人：方振宇;陈维忠;李深地;余建朋;王一诚 -专利权人：台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属氧化物半导体电路结构，该金属氧化物半导体电路结构包含一硅基底、一半导体组件、一场氧化层以及一多重保护层。该硅基底掺杂一种导体载子，其中该半导体组件与该硅基底电性连接。该场氧化层形成于该硅基底上与半导体组件端点相邻位置，是用以在该场氧化层与该半导体组件间形成一工作区。该多重保护层覆盖于工作区上以半导体组件端点与场氧化层连接，其中该多重保护层提供一介于该半导体组件与该硅基底间的截面崩溃路径，该截面崩溃路径是用以增加该半导体组件的截面崩溃电压。
金属氧化物半导体电路结构

[实用新型]可降低漏电流的CMOS图像感测器-CN98207554.5无效
发明人： 李深地;沈奇廷;陈琪芬;傅健益;陈昭荣;陈维忠 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 1998-07-27 - 公布日： 1999-12-15 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种可降低漏电流的CMOS图像感测器，包括有P－N接面感测区、场氧化层及基底。基底上形成有P－N接面感测区、场氧化层，场氧化层边缘与P－N接面感测区之间有一既定距离。因P－N接面感测区不会与氧化层边缘的鸟嘴接触到，不会造成漏电途径，有效地减少白点、亮线、暗点或暗线，提高成品合格率。
降低漏电 cmos 图像感测器

[实用新型]可消除白点的CMOS图像感测器-CN98207553.7无效
发明人： 李深地;沈奇廷;陈琪芬;傅健益;陈昭荣;陈维忠 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 1998-07-27 - 公布日： 1999-10-06 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种可消除白点的CMOS图像感测器,其包括有P－N接面感测区,场氧化层、保护层及基底。基底上形成有保护层覆盖在鸟嘴上,形成自动对准罩幕,使后续的植入或扩散制造过程,不会植入杂质(例如硼、磷……等)在鸟嘴处,避免P－N接面感测区在鸟嘴处的破坏及缺陷,减少漏电路径,有效地消除白点、亮线(暗点或暗线),会提高成品合格率。
消除白点 cmos 图像感测器

[实用新型]高性能接触型图象传感器-CN97202294.5无效
发明人：蔡永松;李深地;黄健洲;傅建益 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 1997-03-05 - 公布日： 1998-12-02 - 主分类号： H04N1/04 文献下载
摘要：提供一种改形的光电器件组件和运作方法的接触型图像传感器。当光电器件被激发时,光电器件组件立刻将由所接收到的光产生的视频信号从电荷转换为电压,并将此电压保持在光电器件组件的另一单元,以便在移位寄存器输出开关导通时立刻输出该电压。并提供一暗电流消除电路,它包括一产生暗电流基准信号,代表光电器件组件的光电器件中可能产生的暗电流的光屏蔽光电器件。此暗电流基准信号被用以调节因光电器件的光激发所产生的电荷。
性能接触图象传感器

[实用新型]彩色接触图像传感器组件-CN96249824.6无效
发明人：蔡永松;李深地;黄健洲;傅健益;陈琪芬;蔡伟文 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 1996-12-27 - 公布日： 1998-10-14 - 主分类号： H04N1/024 文献下载
摘要：一种接触图像传感器组件具有一个PC板,其上布置有多个彩色接触图像传感器芯片并用于接收代表文件上的图像的反射光。每个所述芯片具有多个光电晶体管阵列,每个阵列具有一个设在其上不同颜色的膜片。每个阵列还包括一个同其相连的传输门阵列,其中每个传输门阵列包括用于发送彩色信号的输出信号端。一列移位寄存器被连接到该传输门阵列上并响应于外部定时信号来开关该传输门。一个输出控制电路同该传输门阵列的输出信号端相连,用于输出彩色信号,一逻辑控制电路被连接到输出控制电路上以控制该彩色信号的输出。
彩色接触图像传感器组件

1
共 5 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top