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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于键合结构的激光切割的系统和方法-CN201980001263.5有效
发明人：汪飞艳;王先彬;李涌伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：提供了用于切割键合结构的系统和方法的实施例。一种方法包括以下操作。首先，可以确定扫描图案以用于在键合结构中形成一系列烧蚀结构。然后可以确定所述一系列烧蚀结构与所述键合结构的键合界面之间的相对位置。所述键合表面可以在第一晶片与第二晶片之间。可以基于所述一系列烧蚀结构与所述键合界面之间的相对位置来确定激光束的一个或多个焦平面或聚焦深度中的至少一个。此外，可以确定激光束。所述激光束具有一系列脉冲激光。此外，所述激光束可以根据所述扫描图案来在所述键合结构中移动，以在所述键合结构中形成所述一系列烧蚀结构。
用于结构激光切割系统方法

[发明专利]半导体芯片制造方法-CN202210054875.4在审
发明人： 李涌伟;王先彬 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体芯片制造方法，所述制作方法包括：形成一个由至少两个晶圆层层叠形成的晶圆组；在所述晶圆组的至少一个表面形成具有切割图案的遮罩层；沿所述切割图案，同步切割所述晶圆组中的至少两个晶圆层。
半导体芯片制造方法

[发明专利]半导体芯片制造方法-CN201910248959.X有效
发明人： 李涌伟;王先彬 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体芯片制造方法，所述制作方法包括：形成一个由至少两个晶圆层层叠形成的晶圆组；在所述晶圆组的至少一个表面形成具有切割图案的遮罩层；沿所述切割图案，同步切割所述晶圆组中的至少两个晶圆层。
半导体芯片制造方法

[发明专利]一种3D封装多点焊接的方法及装置、设备及存储介质-CN201910120689.4有效
发明人： 李涌伟;王先彬;汪飞艳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种3D封装多点焊接的方法及装置、设备及存储介质。该方法包括，确定3D封装中需要相互连接的M条接线；将所述M条接线焊接在相互连通的同一组合焊盘上，形成N个焊接点；其中，M和N为大于等于2的正整数，N小于等于M。本申请实施例所公开的3D封装中将焊接在一起的多条接线进行分组，分别焊接在不同的焊接点上，从而有效提升了焊接的可靠性，防止虚焊脱落。
一种封装多点焊接方法装置设备存储介质

[发明专利]键合结构及其形成方法-CN201910002425.9有效
发明人：王先彬;肖莉红;李涌伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合结构及其形成方法，包括：提供两个基底，每个基底均包括介质层和形成于所述介质层内的暴露顶部表面的金属互连部；在两个基底相对键合位置处的金属互连部表面形成阻挡层，且当两个基底相对键合位置处均设置有金属互连部时，至少在其中较大尺寸的金属互连部的顶部表面形成阻挡层，所述阻挡层为导电材料且能够阻挡金属原子的扩散；将所述两个基底的表面相对键合，所述阻挡层位于两个基底的金属互连部之间。所述阻挡层能够阻挡金属互连部内的金属原子向邻近介质层的扩散，避免金属原子扩散引起器件的电学性能下降和可靠性变差，提高键合器件的可靠性。
结构及其形成方法

[发明专利]一种改善晶圆翘曲的方法、装置和设备-CN201811633132.2有效
发明人： 李涌伟;王先彬;汪飞艳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种改善晶圆翘曲的方法、装置和设备，该方法包括，如果晶圆发生翘曲，确定所述晶圆上的每一曲面的形状；根据所述每一曲面的形状，确定所述晶圆的待改善区域；从所述晶圆的背面对所述待改善区域进行离子注入，产生与所述待改善区域的翘曲相对应的应力。
一种改善晶圆翘曲方法装置设备

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