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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁存储装置-CN202310159717.X在审
发明人：北川英二;李永珉 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：实施方式提供一种使外部磁场耐受性提高的磁存储装置。实施方式涉及的磁存储装置包括磁阻效应元件。磁阻效应元件包括第1铁磁性层、第2铁磁性层、层叠体、第1非磁性层、第2非磁性层以及第3非磁性层。层叠体相对于第2铁磁性层设置在与第1铁磁性层相反一侧。第1非磁性层设置在第1铁磁性层与第2铁磁性层之间。第2非磁性层设置在第2铁磁性层与层叠体之间。第3非磁性层相对于层叠体设置在与第2非磁性层相反一侧，包含金属氧化物。层叠体与第3非磁性层相接，包括包含铂即Pt的第4非磁性层。
存储装置

[发明专利]磁存储装置-CN202310055470.7在审
发明人：及川忠昭;吉野健一;泽田和也;岛野拓也;李永珉;矶田大河 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：实施方式提供维持存储单元的特性且抑制不良的产生的磁存储装置。实施方式的磁存储装置包括第1铁磁性层(32)、第1铁磁性层(32)之上的第1非磁性层(33)、第1非磁性层(33)之上的第2铁磁性层(34)、第2铁磁性层(34)之上的氧化物层(35)及氧化物层之上的第2非磁性层(36)。氧化物层(35)包含稀土类元素的氧化物。第2非磁性层(36)包含钴即Co、铁即Fe、硼即B及钼即Mo的每一个。
存储装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211557074.6在审
发明人：郑求烈;郭重赫;郑镇源;李永珉 -专利权人：爱思开海力士有限公司;铠侠股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括磁隧道结(MTJ)结构，该磁隧道结(MTJ)结构具有自由层、固定层以及隧道阻挡层，其中，自由层具有变化的磁化方向，固定层具有固定的磁化方向，以及隧道阻挡层插设于自由层和固定层之间并且包括具有两个单分子层或更小的厚度的多个材料层，并且每个材料层单独地结晶。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]磁性装置及其制造方法-CN201811047858.8有效
发明人： 李永珉;渡边大辅;李哉衡;永濑俊彦;泽田和也;及川忠昭;吉野健一;矶田大河 -专利权人：铠侠股份有限公司;SK 海力士公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供磁性装置及其制造方法。一实施方式的磁性装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包含第1铁磁性体、导电体以及氧化物。上述氧化物设置于上述第1铁磁性体与上述导电体之间。上述氧化物包含稀土类元素的第1氧化物、和共价半径比上述稀土类元素小的元素的第2氧化物。
磁性装置及其制造方法

[发明专利]磁存储装置-CN202211042776.0在审
发明人：矶田大河;北川英二;李永珉;及川忠昭;泽田和也 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：实施方式提供磁存储装置。其包括第1铁磁性层、包含铁或钴的第1铁磁性氧化物层、第1铁磁性层与第1铁磁性氧化物层之间的金属层、第1铁磁性氧化物层上的第2铁磁性层、第2铁磁性层上的第2铁磁性氧化物层、第2铁磁性氧化物层上的第3铁磁性层、第3铁磁性层上的绝缘层及绝缘层上的第4铁磁性层。金属层使第1铁磁性层与第1铁磁性氧化物层反铁磁性耦合。第2铁磁性层包含铁和钴中的第1铁磁性氧化物层所含的一种及第1元素组中的一种元素。第2铁磁性氧化物层包含铁和钴中的第2铁磁性层所含的一种与第1元素的合金的氧化物。第1元素具有比铁或钴的标准电极电位及第1元素组中的第2铁磁性层所含的一种元素的标准电极电位低的标准电极电位。
存储装置

[发明专利]磁存储装置-CN202210757254.2在审
发明人：及川忠昭;李永珉;北川英二;矶田大河 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高磁阻效应元件的转变消除层的垂直磁各向异性的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：第1磁性层(11)，具有可变的磁化方向；第2磁性层(12)，具有固定了的磁化方向；非磁性层(13)，设置于第1磁性层与第2磁性层之间；第3磁性层(14)，设置于第1磁性层、第2磁性层及非磁性层的下层侧，具有相对于第2磁性层的磁化方向反平行的固定了的磁化方向，由钴(Co)及铂(Pt)的合金形成；及缓冲层(16)，设置于第3磁性层的下层侧，包含含有铼(Re)的第1层部分。
存储装置

[发明专利]磁存储装置-CN202111083938.0在审
发明人：及川忠昭;李永珉;北川英二;泽田和也;矶田大河;郑求烈;郑镇源 -专利权人：铠侠股份有限公司;SK 海力士公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：根据一实施例，磁存储装置具备层叠构造，该层叠构造包括：第1磁性层，具有可变的磁化方向；第2磁性层，具有固定的磁化方向；非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；及氧化物层，与所述第1磁性层相邻，所述第1磁性层设置于所述非磁性层与所述氧化物层之间，所述氧化物层含有稀土类元素、硼即B及氧即O。
存储装置

[发明专利]磁存储装置-CN202111083939.5在审
发明人：及川忠昭;李永珉;北川英二;矶田大河;郑求烈;郑镇源 -专利权人：铠侠股份有限公司;SK 海力士公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：根据一实施例，磁存储装置具备层叠构造，该层叠构造包括：第1磁性层，具有固定的磁化方向；第2磁性层，具有可变的磁化方向；非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；钼层即Mo层，相对于所述第2磁性层设置于所述非磁性层的相反侧；及氧化物层，设置于所述第2磁性层与所述钼层即Mo层之间，含有从稀土类元素、硅即Si及铝即Al中选择出的预定元素。
存储装置

[发明专利]磁装置及其制造方法-CN201810148600.0有效
发明人： 李永珉;永濑俊彦;渡边大辅;泽田和也;及川忠昭;吉野健一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开提供一种磁装置及其制造方法。实施方式提供一种既能够得到高的垂直磁各向异性和磁阻效应又能够得到高的保持特性的磁装置及其制造方法。实施方式的磁装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包括第1铁磁性体、第2铁磁性体以及第1稀土类磁性氧化物。上述第1稀土类磁性氧化物设置于上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体之间，将上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体进行磁耦合。
装置及其制造方法

[发明专利]磁存储装置-CN202110876577.9在审
发明人：矶田大河;李永珉;及川忠昭;北川英二;泽田和也;郑镇源;郭重赫 -专利权人：铠侠股份有限公司;SK 海力士公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开涉及磁存储装置。一个实施方式的磁存储装置具备：第1铁磁性层；第1铁磁性层的上方的绝缘层；绝缘层的上方的第2铁磁性层；第2铁磁性层的上方的、包含含有铁的合金的氧化物的第3铁磁性层；及第3铁磁性层的上方的、包含铁及5d过渡金属的第4铁磁性层。
存储装置

[发明专利]磁存储装置-CN201710845287.1有效
发明人：及川忠昭;永濑俊彦;李永珉;渡边大辅;泽田和也;吉野健一;大鸟博之;金亮坤;郑求烈;林钟久;李哉衡;徐秀万;郑星雄;李泰荣 -专利权人：铠侠股份有限公司;SK 海力士公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：根据一个实施例，磁存储装置包括磁阻元件，该磁阻元件包括具有可变磁化方向的第一磁性层(20)、具有固定磁化方向的第二磁性层(40)、以及设置在第一磁性层(20)和第二磁性层(40)之间的非磁性层(30)。第一磁性层(20)包括第一子磁性层和第二子磁性层(21，22)，每个至少包含铁(Fe)和硼(B)，以及在第一子磁性层(21)中包含的硼(B)的浓度与在第二子磁性层(22)中包含的硼(B)的浓度不同。
存储装置

[发明专利]磁性存储装置-CN202110947705.4在审
发明人：泽田和也;李永珉;及川忠昭;北川英二;矶田大河 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够抑制磁阻效应元件的性能劣化的磁性存储装置。实施方式的磁性存储装置具备磁阻效应元件。磁阻效应元件包含第1铁磁层、第2铁磁层、第3铁磁层、所述第1铁磁层与所述第2铁磁层之间的第1非磁性层、及第2铁磁层与所述第3铁磁层之间的第2非磁性层。第2铁磁层位于第1铁磁层与所述第3铁磁层之间。第1非磁性层含有镁(Mg)及氧(O)，第3铁磁层含有硅(Si)或锗(Ge)。
磁性存储装置

[发明专利]磁性存储装置-CN202110947732.1在审
发明人：北川英二;李永珉;及川忠昭;泽田和也;矶田大河 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够实现稳定的信息存储的磁性存储装置。本发明的实施方式的磁性存储装置具备积层结构，该积层结构包含：第1磁性层，具有可变的磁化方向；第2磁性层，具有固定的磁化方向；第3磁性层，具有相对于第2磁性层的磁化方向反平行的固定的磁化方向；第1非磁性层；第2非磁性层；以及第3非磁性层。第1非磁性层设置在第1磁性层与所述第2磁性层之间，第2磁性层设置在第1非磁性层与第3磁性层之间，第3磁性层设置在第2磁性层与第2非磁性层之间，第3非磁性层设置在第2磁性层与所述第3磁性层之间。第3磁性层含有钴(Co)及铂(Pt)，第2非磁性层含有钼(Mo)及钨(W)中的至少一者，且与所述第3磁性层直接连接。
磁性存储装置

[发明专利]磁存储装置-CN202010816455.6在审
发明人：泽田和也;李永珉;及川忠昭;北川英二;矶田大河 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实施方式提供能够使隧穿磁阻比率提高的磁存储装置。一个实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件。磁阻效应元件包括第1～第3铁磁性层、第1与第2铁磁性层之间的第1非磁性层以及第2与第3铁磁性层之间的第2非磁性层。第2铁磁性层位于第1与第3铁磁性层之间。第3铁磁性层包括与第2非磁性层相接的第4铁磁性层、第3非磁性层及第4铁磁性层与第3非磁性层之间的第4非磁性层。第1非磁性层包含氧化物，该氧化物包含镁即Mg。第4非磁性层的熔点比第3非磁性层的熔点高。
存储装置

[发明专利]磁性存储装置-CN202010120714.1在审
发明人：泽田和也;李永珉;北川英二;矶田大河;及川忠昭;吉野健一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一实施方式的磁性存储装置具备衬底、第1积层体及第2积层体。第2积层体相对于所述基板位在与所述第1积层体相同侧，且比所述第1积层体自所述基板更远离。所述第1积层体及所述第2积层体分别包含参照层、隧道势垒层、存储层及第1非磁性层。隧道势垒层相对于所述参照层，设置在垂直于所述基板之方向侧。存储层相对于所述隧道势垒层，设置于所述方向侧。第1非磁性层相对于所述存储层，设置于所述方向侧。所述第1积层体的所述第1非磁性层的热吸收率小于所述第2积层体的所述第1非磁性层的热吸收率。
磁性存储装置

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