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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310087634.4在审
发明人：韩赫;朴性薰;李正吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：绝缘结构；绝缘结构中的第一导电结构，第一导电结构包括第一导电层和第二导电层；以及绝缘结构中的第二导电结构，第二导电结构包括第二导电结构的第一导电层。第一导电结构的宽度大于第二导电结构的宽度。第一导电结构的第一导电层、第一导电结构的第二导电层和第二导电结构的第一导电层包括相同的非金属元素。第一导电结构的第二导电层中的非金属元素的浓度高于第一导电结构的第一导电层和第二导电结构的第一导电层中的非金属元素的浓度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201811248928.6有效
发明人：李根;李正吉;金度亨;柳成男;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上交替堆叠牺牲层和层间绝缘层，以形成堆叠结构；形成穿透堆叠结构的沟道；形成穿透堆叠结构的分离区；通过去除穿过分离区的牺牲层来形成横向开口；以及在横向开口中形成栅电极。形成栅电极可以包括：通过供应源气体和第一反应气体在横向开口中形成成核层，以及通过供应源气体和与第一反应气体不同的第二反应气体在成核层上形成体层以填充横向开口。第一反应气体可以从储存在充气单元中并从充气单元供应的第一反应气体源供应。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810818513.1有效
发明人：李根;李正吉;金度亨;尹基炫;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：提供半导体器件及其形成方法。该半导体器件可以包括：多个栅电极，其层叠在衬底上并且在垂直方向上彼此间隔开；以及沟道区域，其在所述垂直方向上延伸穿过所述多个栅电极。所述多个栅电极中的每一个可以包括：第一导电层，其限定朝向所述沟道区域凹入的凹陷；以及第二导电层，其位于由所述第一导电层限定的所述凹陷中。第二导电层中的杂质的第一浓度可以高于第一导电层中的杂质的第二浓度，并且所述杂质可以包括氮(N)。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体存储器件和导体结构-CN201810749616.7有效
发明人：韩赫;朴济宪;金度亨;金台镛;李根;李正吉;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：提供了半导体存储器件和导体结构。该半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的栅电极结构、在栅电极结构之间的绝缘图案、穿透栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以布置在栅电极结构与垂直沟道之间。栅电极结构的每个可以包括壁垒膜、金属栅极和晶粒边界填塞层。晶粒边界填塞层可以在壁垒膜与金属栅极之间。
半导体存储器件导体结构

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的电子系统-CN202211339831.2在审
发明人：李根;尹基炫;李正吉;韩赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：提供了一种电极结构、半导体装置和电子系统。电极结构包括：导电电极，该导电电极包括第一表面；绝缘层，其位于导电电极上，绝缘层与导电电极的第一表面接触；以及纳米点图案，其位于导电电极中并且与导电电极的第一表面间隔开，纳米点图案包括与导电电极的第一表面平行排列的纳米点，并且纳米点中的每个纳米点包括第一侧表面和第二侧表面，第一侧表面与导电电极的第一表面相邻，第一侧表面是平坦的并且与导电电极的第一表面平行，第二侧表面与第一侧表面相对，第二侧表面在远离导电电极的第一表面的方向上凸起。
半导体装置包括电子系统

[发明专利]显示面板的制备方法及其处理设备-CN202110721800.2在审
发明人：高卓;李正吉;苑立阁 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种显示面板的制备方法及其处理设备，其中，显示面板的制备方法包括：提供载体基板；在载体基板上设置柔性器件层；在柔性器件层上设置功能层，功能层包括相互连接的有效部和辅助剥离部，辅助剥离部位于有效部外侧，有效部覆盖柔性器件层；沿辅助剥离部朝有效部的方向上，依次将辅助剥离部、有效部朝远离载体基板的方向运动，以使柔性器件层在功能层的带动下同步从载体基板上剥离；去除辅助剥离部，以获得显示面板。本申请提供的显示面板的制备方法及其处理设备，可无损地将柔性器件层从载体基板上剥离下来，同时保证柔性器件层上的显示器件及功能层不被损坏。
显示面板制备方法及其处理设备

[发明专利]混合型电致发光器件及其制备方法和显示装置-CN201910905359.6有效
发明人： 李正吉;李哲;陈颖;余磊;庄锦勇;董婷;陈亚文;宋晶尧;向超宇;孙贤文 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种混合型电致发光器件及其制备方法、显示装置。混合型电致发光器件包括量子点发光单元和有机发光单元；量子点发光单元包括层叠设置的第一阳极、量子点发光层、第一电子注入层和第一阴极；第一电子注入层与第一阴极直接接触，第一电子注入层包含金属氟化物和低功函数金属；有机发光单元包括层叠设置的第二阳极、有机发光层、第二电子注入层和第二阴极，第二电子注入层与第二阴极直接接触，第二电子注入层中包含所述金属氟化物和所述低功函数金属；其中，金属氟化物选自碱金属氟化物和碱土金属氟化物中的至少一种，低功函数金属选自功函数低于4eV的金属元素中的至少一种。
混合电致发光器件及其制备方法显示装置

[发明专利]墨水、光折射率调节膜及其制备方法、应用-CN202111166481.X在审
发明人： 李正吉 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种墨水、光折射率调节膜及其制备方法、应用，其中，墨水包括如下质量百分比的各组分：基础树脂5wt％～70wt％、乙烯基单体5wt％～50wt％、ZrO2纳米晶体10wt％～90wt％以及分散调节剂0wt％～10wt％。将上述墨水制备成光折射率调节膜代替传统的光提取层，根据需求可以通过调节ZrO2纳米晶体的浓度实现调节光折射率调节膜折射率的功能，并可以据此匹配不同折射率的电极层材料，有利于降低波导损耗，使出光效率最大化，进而提高发光器件的外量子效率。
墨水折射率调节及其制备方法应用

[外观设计]隐形眼镜戴取护理器（lens wear）-CN202230331461.2有效
发明人：李在倞 -专利权人： 李正吉
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：隐形眼镜戴取护理器（lens wear）。2.本外观设计产品的用途：隐形眼镜戴取护理器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
隐形眼镜护理 lens wear

[发明专利]家用电器自动开启门锁装置-CN202180019299.3在审
发明人：徐祥元;林漳周;李正吉;金熙昌 -专利权人：多尔电子株式会社
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： E05B65/00 文献下载
摘要：本发明实施例的自动开启门锁装置包括：本体罩，在内部形成有空间；以及马达，设置在上述本体罩的内部，用于提供驱动力，本发明实施例的自动开启门锁装置包括：锁扣，通过旋转与从外部引入的钩相结合或分离；锁扣轴，一端与上述锁扣相连接，形成在上述锁扣的旋转中心；牙嵌齿轮，与上述锁扣轴的另一端相连接，用于引导上述锁扣的旋转；锁扣弹簧，与上述锁扣的一侧相连接，用于向上述锁扣提供旋转恢复力；齿条滑块，通过上述牙嵌齿轮向锁扣提供上述马达的旋转力；以及小齿轮，用于向上述齿条滑块传递上述马达的旋转力，上述齿条滑块包括：第一齿条齿轮，在一端的规定区域与上述牙嵌齿轮相啮合；第二齿条齿轮，在另一端的规定区域与上述小齿轮相啮合；以及微动开关，形成在上述第一齿条齿轮与上述第二齿条齿轮之间。
家用电器自动开启门锁装置

[发明专利]发光器件及其制作方法-CN201911374915.8有效
发明人： 李正吉 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件及其制作方法，混合发光层中设置了连接层，蓝色有机发光层与红色量子点发光层、绿色量子点发光层之间通过连接层隔开，连接层起到向两侧的量子点发光层和有机发光层传输电子和空穴的作用，量子点发光层、连接层和有机发光层先后进行制作，避免了器件制作过程中有机发光层和量子点发光层溶剂交叉污染，能够提高发光器件的发光效率和寿命。
发光器件及其制作方法

[发明专利]用于移除外科手术多边形锁定螺钉的设备-CN202080050061.2在审
发明人： 李正吉;康灿 -专利权人：忠南大学医院;忠南大学产学协力团
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： A61B17/92 文献下载
摘要：本发明涉及一种外科手术多边形锁定螺钉移除装置，其包括：主体，该主体包括在其中形成有具有预设直径的通道的通道部，和多边形扩展部，其被构造用于联接至形成在外科手术锁定螺钉中的多边形凹槽以移除外科手术锁定螺钉，该多边形扩展部从通道部的前端突出；和手柄，其被构造用于插入通道部的后端中并且螺纹联接至通道部，并且被构造用于扩展多边形扩展部。
用于外科手术多边形锁定螺钉设备

[发明专利]半导体器件-CN202110879545.4在审
发明人： 李正吉;林泰洙;韩赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：在第一基板上的电路元件；栅电极，在第二基板上并堆叠为在第一方向上彼此间隔开；牺牲绝缘层，在穿透第二基板的下贯穿绝缘层上，堆叠为在第一方向上彼此间隔开，并具有与栅电极相对的侧表面；沟道结构，穿透栅电极，在第二基板上垂直地延伸，并包括沟道层；第一分隔图案，穿透栅电极并包括第一阻隔图案和从第一阻隔图案在第二方向上延伸的第一图案部分；以及第二分隔图案，穿透栅电极，设置为平行于第一分隔图案并在第二方向上延伸。牺牲绝缘层的侧表面中的一些可以在第三方向上与第一阻隔图案重叠。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202110573257.6在审
发明人：韩赫;金台镛;李根;李正吉;林泰洙;崔韩梅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：栅电极，所述栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并且彼此间隔开；层间绝缘层，所述层间绝缘层与所述栅电极交替堆叠在所述衬底上；沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述栅电极；和分隔区域，所述分隔区域在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，其中，每个所述栅电极包括顺序堆叠的第一导电层和第二导电层，所述第二导电层包括金属氮化物，并且其中，所述第一导电层和所述第二导电层均与所述分隔区域物理接触。
半导体器件

[发明专利]使用蚀刻停止层的存储器装置-CN201710804253.8有效
发明人： 李正吉;金知勇;李呈焕;边大锡;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。
使用蚀刻停止存储器装置

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